باتوجه به ماهیت فرایند فوتو ولتائیک در سلول‌های خورشیدی، مواد جاذب نور تنها سطح انرژی خاصی از فوتون را جذب می‌کنند. بنابراین، تنظیم شکاف انرژی نیم رساناها در سلول‌های خورشیدی حائز اهمیت است. در این مقاله ساختار و ویژگی‌های الکترونیکی نقطه‌ی کوانتومی تیتانیم دی اکسید به عنوان تابعی از اندازه برای بهبود بازده سلول‌های خورشیدی با استفاده از روش آغازی بررسی شده است و از سوی دیگر ویژگی‌های ساختاری ا...

در این پژوهش ابتدا حالت های همدوس استاندارد را به عنوان مجموعه ی مهمی از حالت های کوانتومی معرفی کرده و ویژگی آن ها را مورد مطالعه قرار داده ایم. سپس صورت بندی کلی حالت های همدوس غیرخطی که در اپتیک کوانتومی از اهمیت به سزایی برخوردارند مورد مطالعه قرار داده ایم. در ادامه حالت های همدوس فوتون-افزوده و همچنین حالت های همدوس فوتون-کاهیده را معرفی کرده و برخی ویژگی های غیرکلاسیکی آن ها را بررسی کرد...

در این پایان نامه رفتار زمانی آنتروپی فون نویمن به عنوان سنجه ای برای اندازه گیری درهم تنیدگی بین اتم های سه ترازه v شکل و مجموعه ای از فوتون های یک میدان الکترومغناطیسی دو مد مطالعه شده است. برهمکنش اتم-فوتون را در یک کاواک غیر خطی کر مانند با وجود جفت شدگی وابسته به شدت در نظر گرفته و به کوانتیزه کردن میدان الکترومغناطیسی در این محیط می پردازیم. با معرفی یک عملگر کازیمیر، n، که ویژه مقایراش ت...

هدف اصلی در این پژوهش مطالعه کوانتومی روی ابرمولکولی است که به طور موثر و کارآمدی بتواند هنگامی که برانگیختگی توسط فوتون صورت می گیرد، الکترون را منتقل کند. ابرمولکول سه تایی 3](bpy) (cx)2-[m(ii) که در آن os]، ru، m=feو c60, c80 [x = از خود آرایی گونه های الکترون گیرنده (فولرین) و گونه های الکترون دهنده (m(ii)(bpy)3) تشکیل می شود. محاسبات با درنظر گرفتن پارامتر های وان دروالسی و غیروان دروالسی ...

در این رساله پدیده خلق و نابودی فوتون را در برهم کنش اتمهای سه ترازی (‏‎a‎‏- شکل) با دو میدان الکترومغناطیسی، بررسی می نمائیم. برای این منظور ابتدا فرض می کنیم که یکی از میدانها کوانتومی همدوس و دیگری کلاسیک باشد. سپس حالتی را در نظر گرتفه که در آن هر دو میدان کوانتومی، اما یکی همدوس و دیگری معمولی است. نهایتا حالتی را مورد مطالعه قرار می دهیم که در آن هر دو میدان کوانتومی همدوس باشند. برای هر ...

در این پایان نامه، با استفاده از مدل نوسانگر وابسته؛ تابع دی الکتریک نیمه هادیهای گروه iii-iv مطالعه و بررسی شده است و با بهره گیری از این مدل طیف انعکاسی نظری نیمه هادی-های گروه فوق رسم و اثر پارامترهای اپتیکی مختلف در این مدل بررسی گردیده است. جهت بررسی کارایی این مدل، طیف فروسرخ دور تجربی نمونه هایی از نیمه هادی های گروه iii-iv (از قبیل gaas، gap و gasb) با طیف نظری برازش شده سپس پارامترهای ...

ویژگی اصلی طیف پرتو گاما به برهمکنش پرتو گاما با ماده مرتبط است. این برهمکنشها شامل شایعترین کریستال nai(tl) فوتوالکتریک، کامپتون و تولید زوج است. آشکارسازهای سوسوزن بخصوص برای اندازهگیری در طولانی مدت هستند. قدرت تفکیک این آشکارسازها نسبت به آشکارسازهای نیمرسانا دیگر پایینتر است، اما به دلیل دردسترس و ارزانتر بودن بیشتر در صنعت از آنها استفاده میشود. طیف به دست آمده از این آشکارسازها، به د...