در این پروژه مطالعه کاملی بر روی الکتروموتورهای dc بدون جاروبک [ساختمان - انواع - روابط حاکم و روشهای متداول کنترل آنها]، و سنسورهای تعیین موقعیت در ارتباط با کنترل این نوع الکتروموتورها صورت گرفته است . سپس عناصر و قطعات نیمه هادی قدرت را برای فعال نمودن تغذیه الکتروموتور، بررسی نموده و در میان آنها عنصر igbt را به عنوان عنصری نزدیک به ایده آل، انتخاب و بررسی های کاملی بر روی آن انجام دادیم. د...

مدل سازی جریان تونل زنی گیت ماسفت توسط شبکه عصبی

در تمام اندازه گیری های آزمایشگاهی بدون شک خطا های وجود دارد که برخی از این خطاها مربوط به دستگاه اندازه گیری می باشد(خطاهای سیستماتیک) و برخی دیگر ناشی از طبیعت کاتوره ای پرتوزایی می باشد(خطاهای استوسکتیک). خطاهای دیگری وجود دارد که یا ناشی از فرد آزمایشگر است، مانند خطا در خواندن مقدار اندازه گیری، خطاهای ناشی از چشمه و هندسه آن یا اثرات محیطی، از دیگر خطاها می باشند. برای اینکه یک اندازه گیر...

همسانه­سازی قطعه dna موردنظر داخل یک ناقل پلاسمیدی، یکی از مراحل تکنولوژی dna نوترکیب است. در روش­های معمول برای همسانه­سازی به آنزیم لیگاز و آنزیم­های برشی نیاز است که با محدودیت­هایی مواجه هستند. راه­کارهای متعددی برای ایجاد و اتصال دو قطعه dna مستقل بدون استفاده از آنزیم لیگاز توسعه یافته­اند که از موفق­ترین آن­ها فناوری­های گیت­وی و یوزرفرندلی هستند. فناوری گیت وی روشی سریع و مؤثر برای همسا...

سیلیکن کاربید (sic) یک ماده نیمه هادی باند بزرگ با خواص ماده بسیار خوب برای الکترونیک فرکانس بالا، توان بالا و دمای بالا است. در این رساله ترانزیستور اثر میدان فلز- نیمه هادی sic با ساختارهای مختلف مورد مطالعه قرار گرفته است و مشخصه های dc و فرکانس بالای افزاره ها مانند، جریان اشباع درین، ولتاژ شکست، حداکثر توان خروجی، فرکانس قطع (ft) و حداکثر فرکانس نوسان (fmax) با هم مقایسه شده است. در این کا...

جریان تونل زنی اکسید گیت در ماسفت ها یکی از مهمترین عوامل در تحلیل و اندازه گیری پارامترهای این قطعات است. در رساله حاضر، ابتدا اثر جریان گیت در ترانزیستورهای ساخته شده در فناوری روز نیمه هادی بررسی شد و لزوم محاسبه آن ذکر شد. سپس با استفاده از مدلی جدید به محاسبه ی عرض چاه پتانسیل ایجاد شده در ناحیه ی وارونگی و همچنین تابع موج الکترون ها در واسط بین اکسید و نیمه هادی پرداخته شد. در نهایت به کم...

امام‌رضا(ع) در عصر خویش شاهد حاکمیت ظلم و طاغوت بودند و در مقابله و مبارزه با این روند گام‌های مهمی برای هدایت جامعه مسلمانان برداشتند که می‌تواند الگویی عملی و کاربردی برای طالبان راه حق در عصر غیبت معصوم باشد. این مقاله با تمرکز بر شیوه مبارزاتی امام‌رضا(ع) تلاش می‌کند فرایندها و سازوکارهای مهم آن امام را در مبارزه با حکومت جور زمان خویش بازیابد تا الگویی...

ما در این پایان نامه براساس منطق ترانزیستور تک الکترون و با استفاده از ترانزیستور تک الکترون سه گیت مبتنی بر نقطه کوانتومی سیلیکنی 2 نانومتر قابل عملکرد در دمای اتاق، مداراتی را برای گیتهای منطقی buffer، not، xor، xnor، and، nand، or و nor طراحی کرده ایم و عملکرد هر یک از آنها را مورد بررسی قرار داده ایم. گیتهایی که عملکردی مکمل یکدیگر دارند، دارای ساختار مشترکی هستند و فقط مقادیر ولتاژهای بایا...

در سال های اخیر، کامپوزیت های هیبریدی آلی و غیرآلی با توجه به ثابت دی الکتریک بالاتر، فاکتور کیفیت بالاتر و جریان نشتی کم تر به عنوان جایگزین مواد گیت دی الکتریک در نظر گرفته شده اند. نفوذ بور از فیلم نازک دی-اکسید سیلیکون، جریان های تونلی و نشتی را افزایش می دهد و نشان می دهد که دی اکسید سیلیکون نمی تواند برای دستگاه های cmos (فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل) مورد استفاده قرار گیرد. برخی از افراد ا...

در این پایان نامه روش تحلیل و ساخت نوسان ساز rsg-mosfet مبتنی بر فناوری mos ارائه شده است. گیت در این ترانزیستور به صورت معلق روی کانال قرار دارد، و دو طرف آن مقید شده است. هدف نهایی از طراحی این افزاره، مجتمع کردن همه اجزا مورد نیاز مدار مجتمع، بر روی تراشه ای واحد است. ضریب کیفیت نوسان ساز rsg-mosfet در مقایسه با مدار lc، به مراتب بیشتر است. بنابراین نوسان ساز rsg-mosfet، را می توان به عنوان ...