در این رساله به ترسیب و شناسایی سولفید سرب و کادمیم، به صورت فیلم تکی و مولتی بر روی زیر لایه های فلزی، شیشه هادی سنتزی و ito به روشهای الکتروشیمیایی ولتامتری چرخه ای و upd پرداخته شد. سپس خواص فوتوالکتروشیمیایی آنها و همچنین پارامترهای فیزیکی و الکتروشیمیایی مربوط به نیمه رساناها توسط تکنیکهای ولتامتری خطی و چرخه ای، مات-شاتکی و اسپکتروسکوپی امپدانس مورد بررسی قرار گرفت و روابط خوبی میان پارام...

فیلم های لایه نازک با ساختار نانو از بروموآلومینیوم فتالوسیانین و سرب فتالوسیانین که به روش تفنگ پرتوی الکترونی به ترتیب روی زیرلایه شیشه ای نشانده شدند، تهیه گردید. قطعه ساندویچی  Al/BrAlPc/PbPc/Alتحت خلأ  torr  5-10 در آزمایشگاه ما تهیه شد. رفتار الکتریکی قطعات با پیوند ناهمگن در بازه ی فرکانسی  Hz105-  102 و در بازه ی دمای K 403 - 303 مورد بررسی قرار گرفت. تم...

با مشخص شدن مزایای ترانزیستورهای تونلی برای استفاده در کاربردهای توان پایین، نیاز به یک مدل تحلیلی برای توصیف مشخصه های آنها همانند جریان، شیب زیرآستانه و خازن نیز بیشتر می شود. وجود یک مدل تحلیلی علاوه بر ایجاد دید فیزیکی لازم برای درک عملکرد ترانزیستور، برای استفاده درمدل¬های مداری نیز بسیار ضروری است. ما در این پایان نامه به ارائه یک مدل تحلیلی دو بعدی برای ترانزیستورهای تونلی دوگیتی پرداختی...

ویژگی‌های بردها و ریزنوارها (خطوط میکرواستربپ) تأثیر تعیین‌کننده‌ای در پدیده تداخل و القای امواج الکترومغناطیسی بر روی بردهای الکترونیکی دارند. در این مقاله اثر تغییر مشخصات فیزیکی خطوط هادی و برد‌های مدار چاپی با تابش یک پالس الکترومغناطیسی ذوزنقه‌ای به صورت سه بعدی با روش مشتقات محدود در حوزه زمانFDTD شبیه‌سازی شده است. اندازه طول و عرض یک ریزنوار و ضخامت فیبر مدار چاپی از جمله مواردی است که...

در این مقاله، به ارائه یک ضرب‌کننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی می‌پردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا  طراحی‌شده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1V) کار می‌کنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضرب‌کننده، با استفاده از فناوری CNTFET  ،32 نانو متر طراحی می‌شود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضرب‌کننده ارائه‌شد...

با توجه به اهمیت و مزایایی که ترانزیستورهای دو قطبی نامتجانس در کاربردهای مایکروویو دارند مطالعات وتحقیقات بیشتری در مورد این ترانزیستورها احساس می شود نظر به اینکه هدف این پایانه نامه شبیه سازی ترانزیستور با بهره گیری از تکنیک های هوش محاسباتی می باشد لذا از این جهت که در نهایت پیش بینی رفتارو عملکرد این ترانزیستوربا دقت بیشتر ، سرعت عمل بالاتر و زمان اندکی نسبت به روشهای قبلی دارد حائز اهمیت ...

یکی از محدودیت های اساسی در مینیاتورسازی ترانزیستورها، محدود بودن شیب زیر آستانه ی آن ها به 60mv/dec در دمای اتاق است. آی-ماس (i-mos) که مبتنی بر یونیزاسیون برخوردی است، این محدودیت را به حدود5mv/dec کاهش داده است. آی-ماس یک نانوترانزیستور با ساختار p-i-n دارای گیت است. گیت، بخشی از ناحیه ی ذاتی(i) واقع شده در میان سورس p یا n و درین n یا p را می پوشاند. ساز و کار تزریق حامل در این افزاره بر اس...

چکیده ندارد.

در کار حاضر، تلاش کردیم ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی را مطالعه کنیم که این مهم با مطالعه ی رفتار حامل ها در نانولوله زیگزاگ (به عنوان مجرای ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی) صورت گرفته است. هدف اصلی، محاسبه ی جریان حامل ها در نانولوله ی کربنی زیگزاگ بوده تا دریابیم که آیا این نوع نانولوله های کربنی می تواند به عنوان یک مجرای مناسب در تولید ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کرب...

در این پایان نامه یک مدار مرجع ولتاژ پایین با توان پایین ارایه گردیده است. در مدار مرجع پیشنهادی تمامی ترانزیستورهای mos در ناحیه زیرآستانه بایاس گردیده اند. در ساختار مدار برای کاهش حجم اشغالی بر روی ویفر و همچنین کاهش توان تلفاتی، از مقاومت استفاده نشده است، برای سازگاری بیشتر با تکنولوژی cmos و جلوگیری از پیچیدگی مراحل ساخت، در مدار فقط از ترانزیستور mos استفاده گردیده است. این مدار شامل سه ...