در این تحقیق، یک مدل سه جسمی برای بررسی کانال تهییج در برخورد پروتون با هلیوم به کار برده می شود. در این مدل یکی از الکترون های هلیوم غیرفعال فرض شده که اثر آن با تعریف ضریب پوشانندگی و بار مؤثر برای الکترون فعال منظور می شود. تابع موج حالت پایه 11s و حالت های برانگیخته حالت های 21s و 21p الکترون فعال هلیوم از ترکیب توابع موج هیدروژنی با بار مؤثر تقریب زده شده است. در محاسبات کانال تهییج تک الک...

از مهمترین نیازمندی ها برای طراحی ابزارهای قابل حمل مانند گوشی های هوشمند مصرف پایین انرژی بر کارکرد می باشد. در بسیاری از کاربردها، حافظه ها بخش عمده ای از کل انرژی سیستم را مصرف می کنند. از این رو درکاربردهای توان محدود که سرعت در درجه دوم اهمیت پیدا می کند، مفید است که عملیات های خواندن و نوشتن برای یک سلول sram با کمترین ولتاژ کاری ممکن انجام گیرد. چالش اصلی در طراحی sram مرسوم سازش بین نیا...

در دهه اخیر، نیمه هادی ganبه دلیل گاف انرژی و رسانندگی گرمایی بزرگ تر نسبت به نیمه هادی gaas ، در کاربردهای توان بالا مورد توجه قرارگرفته است. به دلیل همین ویژگی ها، ganاین قابلیت را دارد که در دماها و ولتاژهای بالا نیز کار کند. علاوه بر این سرعت اشباع الکترون در ganنیز نسبت به gaasبیشتر بوده و به همین دلیل، این نیمه هادی برای کاربردهای فرکانس بالا نیز مناسب می باشد. در ترانزیستورهای hemt با فن...

در این مقاله تصحیح نیروی پراکندگی دور برد از نوع واندروالس (vdw-df) برای یک سامانه مرکب شامل نانو زنجیره نقره جذب سطحی شده بر روی تک لایه گرافین بررسی شده است. محاسبات در چارچوب نظریه تابعی چگالی و با استفاده از تقریب‏های lda، pbe و blyp انجام گرفته است. به دلیل جذب ضعیف زنجیره نقره بر روی صفحه گرافین، نمی‏توان سهم نیروی واندروالس در انرژی جذب را نادیده گرفت. اعمال این تصحیح منجر به تغییرات بنی...

در این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات الکتریکی و گرمایی نانو ترانزیستورهای سیلیسیم ژرمانیم روی عایق و ارائه ی چندین ساختار نوین برای آن ها پرداخته ایم. با پیشرفت تکنولوژی، اندازه ی ترانزیستورها در مقیاس نانومترخواهند شد تا بتوان از تعداد بیشتری از آن ها در مدارات توان پایین استفاده نمود. کوچک سازی ترانزیستورها، مشکلات الکتریکی و گرمایی زیادی را از قبیل اثرات کانال کوتاه، اثرات حامل های داغ...

در این پایان نامه، به بررسی و تحلیل عملکرد ترانزیستور اثر میدانی نانو نوار گرافنی می پردازیم. همچنین اثرات افزودن نقص به کانال ترانزیستور و تغییر فاصله اتم ها در لبه نانو نوار را مورد بررسی قرار می دهیم. برای شبیه سازی این ساختار از نرم افزار nano tcad vides، siesta و matlab استفاده شده است. در این راه شیوه بدست آوردن هامیلتونی نانو نوار آرمچیر با رویکرد تنگ بست توضیح داده می شود. برای بالاتر ب...

هدف از این پژوهش تعیین کارایی خاکستر نانوساختار سدر در حذف سرب از محیط‌های آبی به‌صورت تک و چند‌عنصریبود. به‌این منظور خاکستر نانوساختار سدر سنتز شد و اثر عواملی چون pH، دز جاذب، زمان تماس بر کارایی حذف سرب در سیستم ناپیوسته بررسی شد. برای تعیین ویژگی‌های جاذب از آزمون‌های SEM، PSA و FTIR استفاده شد. تصویربرداری از نانوجاذب تولیدی با میکروسکوپ الکترونی نشان داد که قطر همه ذرات، کوچک‌تر از 207 ن...

در این پایان نامه ضرب کننده فرکانسی بررسی شده و دو ضرب¬کننده فرکانسی تک انتهایی و تفاضلی مبتنی بر dll در تکنولوژی و ولتاژ طراحی شده است. به منظور کاهش توان در ضرب کننده فرکانسی تک انتهایی از ساده ترین ساختار در طراحی مدار پمپ بار و مدار خط تاخیر کنترل شونده با ولتاژ استفاده شده است. همچنین در واحد ترکیب کننده از مداری ساده و مبتنی بر ترانزیستور-بدون استفاده از سلف و خارن- استفاده شده است که توا...

در این پایان نامه به بررسی ساختار گرافین از جمله شبکه آن ، بردارهای پایه شبکه حقیقی و شبکه وارون و یکی از ویژگی های منحصر به فرد در گرافین که طبیعت خاص حامل های بار در آن است پرداخته ایم .نحوه به دست آمدن معادله دیراک در گرافین را شرح می دهیم و یک ترانزیستور اثر میدانی گرافینی را شبیه سازی می کنیم و رفتار فرمیون های بدون جرم دیراک را در برخورد با ترانزیستور اثر میدانی گرافینی را در حالت هایی که...