بعد از محدود شدن ترانزیستورهای سیلیکونی، بعلت بازدهی کم و پتانسیل پایین، پیداکردن جایگزینی مناسب برای آنها، که علاوه بر بازدهی بالاتر، قابلیت مجتمع سازی و عدم نیاز به تجهیزات خنک کننده داشته باشد اهمیّت فوق العاده ای پیدا کرد. لذا با در نظر گرفتن این شرایط، گالیوم نیترید به عنوان جایگزین آن معرفی گردید که یک نیمه رسانای ترکیبی iii-v و با گاف نواری مستقیم و نسبتاً بزرگ (با انرژی 3.5 الکترون ولت) م...

در این مقاله ساختاری نوین برای  طراحی و ساخت هیدروفن‌های حساس باندپهن فرکانس پایین ارائه شده است. ساختار پیشنهادی از یک ترانزیستور با گیت معلق تشکیل شده‌است. با برخورد امواج آکوستیکی به گیت معلقی که روی یک ترانزیستور اثر میدانی قرار دارد، فاصله بین گیت و کانال ترانزیستور و به‌تبع آن ظرفیت خازنی معادل بین گیت و کانال ترانزیستور تغییر می‌کند که این امر به تغییر در جریان و ولتاژ خروجی ترانزیستور م...

در این سال ها با افزایش کاربرد های موبایل، پزشکی و فضایی، تقاضای تهاجمی برای کاهش مصرف انرژی و بهبود قابلیت اطمینان سیستم های نیمه-هادی به سرعت مورد توجه قرار گرفته است. در اکثر تحقیق های اخیر، توان یکی از بحرانی ترین محدودیت ها است. یکی از موثرترین روش ها برای کاهش فوق العاده توان مصرفی در قطعات نیمه هادی، استفاده از ولتاژ منبع پایین تری است. اگر ولتاژ منبع کاهش یابد، توان استاتیکی و دینامیکی ...

تقویت کننده نوری نیمه هادی بدلیل داشتن ویژگی های مطلوب مانند طیف بهره مناسب، سهولت در یکپارچه سازی با قطعات دیگر و نیز کاربرد اثرات غیرخطی این نوع تقویت کننده در سیستم های نوری چندکاناله، در سیستم های ارتباطات فیبر نوری کنونی بسیار مورد توجه می باشد. در این پایان نامه تلاش شده است تا با شبیه سازی مدلهای مبتنی بر تقویت کننده های نوری نیمه هادی، محدودیت ها و مزیت های این نوع تقویت کننده در سیستم...

وجه اصلی تمایز کار ما این است که اتصالات نانو ترانزیستورهای اثر میدانی، از نوع اتم های کربن می باشند، که در زیر به تفصیل شرح می دهیم. 1- ترانزیستورهای طراحی شده سه پایانه ای می باشندکه کنترل جریان خروجی توسط اتصال گیت به کانال صورت می گیرد. 2- جنس الکترودها گرافن و از نانو نوارهای مختلف می باشند همچنین جنس کانال نیز از دیسک یا حلقه گرافنی می باشد که موجب کاهش اثرات مقاومت سطح تماس می شود. 3-...

اهمیت و تأثیر صنعت الکترونیک بر زندگی بشر در قرن گذشته و در دوران کنونی بر کسی پوشیده نیست. این صنعت، در قرن بیست و یکم، همچنان با روندی پرشتاب و مطمئن می­رود تا با استفاده از فناوری نانو با رشد تکاملی و انقلابی خود با استفاده از نوآوریها و اختراعها طلایه­دار بهبود زندگی بشر در بسیاری از زمینه­ها از جمله فناوری رایانه، فناوری اطلاعات، فناوری زیستی، صنعت حمل و نقل، سامانه­های دفاعی و وسایل الکتر...

در این مقاله به بررسی امواج خروشان در یک لیزر نیمه­­هادی تزریقی نوری توسط مدولاسیون مربعی پمپ پرداخته شده است. بدین منظور، معادلات نرخ لیزر به صورت عددی حل شده­اند و شدت میدان بر حسب زمان محاسبه و بررسی شده است. همچنین تغییرات امواج خروشان برحسب دامنه و بسامد مدولاسیون برای مقادیر مختلف جریان محاسبه شده و اثر آن بر روی این امواج بررسی شد. نتایج نشان می­دهد که با تغییر جریان، روند تغییر امواج خر...

در این پایان نامه ابتدا به بررسی مشخصات دینامیکی و اشباع تقویت کننده ی نوری نیمه هادی می پردازیم و روش تئوری کنترل را برای کنترل و بهینه سازی یک سیستم، در فصل اول تشریح می کنیم. در فصل دوم، برای نخستین بار ساختاری ارائه می شود که مشخصات دینامیکی و اشباع تقویت کننده ی نوری نیمه هادی را تا حد زیادی بهبود می بخشد. بطوریکه با استفاده از این ساختار در bulk-soa زمان بازیابی گینی در حد زمان بازیابی گی...

در این رساله هدف آشنایی با طرز کار سنسورهای نوری و آشنایی با کاربرد انواع سنسورهای فیبر نوری است. بدین منظور ابتدا خواص اساسی نیمه هادیها، مخصوصا نیمه هادیهای سیلیکون و گالیوم ارسناید مورد بررسی قرار گرفته و بعد تاثیر ناخالصی بر روی این خواص بیان شده است در این راستا، گاف انرژی نیمه هادیها؛ حائز اهمیت است چون مقدار آن با عوامل خارجی مثل افزودن ناخالصی یا دادن گرما و نور به نیمه هادی تغییر می کن...

در این پژوهش، ابتدا الکترولیت توسط روش های مختلف آماده و بهینه سازی شد. در مرحله بعد، نانوذرات tio2 با موفقیت از طریق روش سل-ژل سنتز و برای نشست لایه ی tio2 و p25 از روش الکتروفورز (epd) بر روی لایه شیشه ای fto استفاده شد. علاوه بر این، برای ارتقاء راندمان تبدیل انرژی، از ضخامت های مختلف cds بر روی tio2 توسط روش جذب و واکنش پی در پی لایه یونی (silar) نهشت شده است. اثر نانوذرات tio2 و ضخامت cds ...