نتایج جستجو برای: ترانزیستور اثرمیدانی گیت عایق دار

تعداد نتایج: 60868  

ژورنال: :مدیریت اطلاعات سلامت 0

مقدمه: ریسرچ گیت یکی از نخستین شبکه های اجتماعی است که با هدف افزایش همکاری میان پژوهشگران و برقراری ارتباط بین آن ها و خوانندگان آثارشان راه اندازی شده است. پژوهش حاضر با هدف بررسی تعاملات و ارتباطات پژوهشگران دانشگاه علوم پزشکی اصفهان در شبکه ی اجتماعی ریسرچ گیت انجام شده است. روش بررسی: این پژوهش به صورت پیمایشی و با رویکرد آلتمتریکس انجام شده است. پس از بارگذاری داده ها از شبکه ی اجتماعی ری...

ژورنال: :انرژی ایران 0
مهدی معرفت

قرار دادن عایق در ساختارهای ساختمانی باعث کاهش بارهای سرمایش و گرمایش می شود. علاوه بر ضخامت عایق، محل قرارگیری عایق نیز در ساختارهای ساختمانی مهم می باشد. قرارگیری عایق در داخل یا خارج یک ساختار از نظر میزان کاهش در بارهای ساختمان اثرات متفاوتی دارد . در این تحقیق 5 سانتیمتر عایق ( به صورت یک تکه کامل یا به صورت 2 تکه 5/2 سانتیمتری ) در نقاط مختلف دیوارها و سقف های بتنی (به ضخامت 20 سانتیمتر) ...

ژورنال: :مهندسی مکانیک مدرس 0
محمد قرینی دانشجوی دکتری مهندسی مکانیک مجید محمدی مقدم دانشیار دانشکده فنی و مهندسی - بخش مکانیک - دانشگاه تربیت مدرس فرزام فرهمند هیثت علمی دانشگاه صنعتی شریف

هدف از این مقاله، بررسی تاثیر پروتز مچ پنجه ویسکوالاستیک روی سیکل گیت فرد قطع عضو زیر زانو با استفاده از شبیه سازی دینامیکی راه رفتن انسان می باشد. مدلی دو بعدی و هفت سگمنتی به منظور شبیه سازی کل سیکل گیت فرد نرمال و فرد قطع عضو ارائه شده است که مجهز به مدل تقابل بین پا و زمین برای شبیه سازی کل سیکل گیت به صورت یکپارچه می باشد. در مرحله اول، شبیه سازی سیکل گیت فرد نرمال با ترکیب فرآیند بهینه سا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه رازی - دانشکده فنی و مهندسی 1393

کاربردهای فرکانس رادیویی توان بالا خیلی مهم هستند، زیرا تقاضا برای بازاربی سیم درحال رشــد می بـــاشد. ترانزیستورهای اثر میدان(نیمه هادی- اکسید- فلز)mosfet به دلیل سرعت سوئیچینگ بالا، در سیستم های توان بالا به کار رفته اند. توجه ی اولیه ی این پایان نامه کار روی توسعه، ساخت و توصیف مشخصات ترانزیستورهای توان بالا vertical-drain lateral diffused (vdmos) خواهد بود. چندین نوع از قطعات توان بــالا ه...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس 1388

این پایان نامه به طراحی یک تقویت کننده کم نویز فراپهن باند می پردازد که در آن از تکینک حذف نویز پهن-باند با حداقل تعداد عناصر پسیو استفاده شده است. تحلیل دقیق نویز مدار نشان می دهد که نویز القایی گیت در باند uwb از اهمیت بیشتری نسبت به نویز حرارتی برخوردار است که مقایسه نتایج شبیه سازی و تحلیل تئوری این موضوع را به خوبی نشان می دهد. افزایش عملکرد خطی مدار با استفاده از تکنیک جمع آثار مشتقات برا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه زنجان 1390

در این پایان نامه به طراحی و شبیه سازی تقویت کننده ی کم نویز فوق پهن باند در باند فرکانسی 3-5ghz با استفاده از تکنولوژی 0.18µm-tsmc rf cmos پرداخته شده است .هسته ی اصلی تقویت کننده کم نویز ساختار کاسکد است که طبقه ی ورودی آن شامل فیدبک مقاومتی می باشد. چنین ساختاری دارای تطبیق ورودی و گین مناسبی می باشد، امّا عدد نویز و تلف توان بالایی دارد، برای بهبود عدد نویز از تکنیک کاهش نویز استفاده شده است...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - دانشکده علوم 1392

در این سال ها مواد آلی بسیاری به منظور افزایش کارآیی ترانزیستورهای اثر میدانی آلی گزارش شده اند که بیشتر در بهبود کارآیی گیت دی الکتریک ها متمرکز شده اند. هدف اصلی بررسی های پژوهشگران در یافتن مواد آلی کامپوزیتی به ویژه هیبریدهای آلی / غیر آلی استوار بوده تا معلوم شود آیا مواد مزبور قابلیت لازم را دارند تا به عنوان ترانزیستورهای اثر میدانی و آلی بکار روندیا خیر. در این مقالهگیت دی الکتریک تا با...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - موسسه آموزش عالی غیرانتفاعی و غیردولتی سجاد مشهد - پژوهشکده برق 1390

در این پایان نامه پارامترهای مهم در مدارات دیجیتال توضیح داده شده و چند سلول جمع کننده متداول مورد بررسی قرار گرفته است. ایده های مختلفی که در پیاده سازی مدارات جمع کننده وجود داشته، شبیه سازی شده است. در پیاده سازی مدار سلول جمع کننده، در بعضی از مقالات طبقات ورودی و در بعضی دیگر طبقات خروجی متفاوت است. در مقالات متفاوت از منطق های cmos مکمل، نسبتی، ترانزیستور عبوری مکمل، گیت های انتقال، تابع ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شیراز 1380

در این پایان نامه شکست کانال و مسائل مرتبط با آن در ترانزیستور ماس فت ‏‎mosfet‎‏ با روش های تحلیلی ، تجربی مدلسازی وشبیه سازی شده است . کاهش طول کانال باعث می شود که جریان در ین تنها محدود به جریان گذرنده از کانال نشود ، بنابراین ابتدا به مدلسازی جریان درین پرداخته شده است و سپس با ارائه مدل تحلیلی - تجربی شکست ‏‎pbt‎‏ در ماس فت بررسی و اثرات تغییر ولتاژ گیت ، دما ، طول کانال و غلظت پایه برآن ش...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده فنی 1393

تحقیق حاضربه طراحی وتحلیل ساختاریک ترانزیستور algan/gan-hemtباطول گیت um25/. وهمچنین استفاده ازاین افزاره برای طراحی یک تقویت کننده کم نویزباندباریک درفرکانس ghz10می پردازد.دراین راستا ابتداافزاره موردنظررادرنرم افزارسیلواکو طراحی وپس ازانجام شبیه سازی مشخصه های الکتریکی وهم چنین مشخصه های نویزمایکروویوآن رابررسی می نماییم.عملکردنویزافزاره موردنظرازفرکانس ghz1تاghz20ودروضعیت بایاس های مختلف شبی...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید