هدف اصلی از انجام این پژوهش تولید گیت دی الکتریک جایگزین برای اکسید سیلیکون در قطعات ترانزیستورهای اثر میدانی است. یک رویکرد جدید استفاده از مواد هیبریدی آلی- غیرآلی به عنوان گیت دی الکتریک است. در این بین، این واقعیت که مواد از اتم های گسسته ساخته شده اند ممکن است توانایی ما را در ادامه ی کوچک تر کردن ابعاد به محدوده نانومتر محدود سازد چرا که در ابعاد اتمی اثرات کوانتومی خود را آشکار می سازن...

در سال های اخیر، موادی با ثابت دی الکتریک بالا نظیر اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم به جای گیت اکسید سیلیکون فرانازک مورد مطالعه قرار گرفته اند. در کار حاضر چنین اکسیدهایی در دماهای مختلف و تحت شرایط فراخلا بر روی زیرلایه ی si(100) رشد یافته اند. نتایج بدست آمده نشان می دهند که اکسید آلومینیوم از ساختار مناسب تری نسبت به ساختار اکسید تیتانیوم برخوردار است و می تواند به عنوان یک گیت دی الکتریک ...

طراحی، ساخت و نتایج اندازه‌گیری یک تقویت کننده توان متعادل در باند فرکانسی 1-3 گیگاهرتز با توان خروجی 160 وات ارائه شده است. در تقویت کننده ارائه شده از دو ترانزیستور 90 واتی به صورت متعادل (با استفاده از دو کوپلر 90 درجه 3dB) استفاده شده است. برای طراحی مدار تطبیق ورودی و خروجی هر یک از تقویت کننده‌ها از داده‌های سورس‌پول/لود‌پول و همینطور مدل پارامترهای ایکس ترانزیستور استفاده شده است که هر د...

اتوماتای سلول کوانتومی (qca) ابتدا توسط جناب آقای لنت در سال 1993 پیشنهادشده و از آن هنگام تاکنون تحقیقات بسیاری بر روی آن به صورت تئوری و آزمایشگاهی انجام شده است. مهم ترین کارکرد فنّاوری qca درزمینه δ استفاده از نقاط کوانتومی می باشد. گرچه ابزارهای اولیه ای براین اساس ساخته شده اند امّا این علم هنوز در ابتدای راه خود می باشد. پیشرفت ها در این زمینه بسیار قابل توجه است. به عنوان مثال افزایش 10ب...

تکنولوژی ساخت قطعات نیمه هادی مایکرویو یکی از مهم¬ترین مسائل در طراحی مدارهای راداری و فرستنده¬های مخابراتی است. قطعات اکتیو مورد استفاده در این مدارها باید توانایی تولید سطوح بالایی از توان rf را در دماهای بالا داشته باشند. لذا هر ساله مطالعات بسیاری در راستای طراحی و مدل¬سازی قطعات توان صورت می¬گیرد. موادی از قبیل gan، gaas، الماس ، یاقوت کبود و sic موارد پیشهادی برای ساخت قطعات توان هستد. ا...

در این پژوهش پاسخ‌دهی نوری نانولایه گرافین، به کمک ساخت دیود شاتکی نانوگرافین- سیلیکون مورد بررسی قرار گرفته است. جهت ایجاد پیوند شاتکی، نانولایه‌ای از گرافین بر روی زیرلایه‌ای از سیلیکون قرار گرفته است. زیرلایه سیلیکونی تا ضخامت 270 نانومتر اکسید شده است و پس از لایه‌نشانی‌های کروم- طلا (ضخامت لایه‌های کروم- طلا به ترتیب 50 و150 نانومتر است)، با استفاده از ماسک مخصوصی الگو شده است. منحنی مشخصه...

-1- ضرورت و شیوه ی تحلیل تغییرپذیری: امروزه تغییر پذیری به واسطه پارامترهای ساخت با افزایش چشمگیر سرعت کاهش مقیاس ساخت در مدارهای vlsi بسیار پراهمیت گشته است . به خصوص تاثیر به سزای آن در تاخیر و توان و ماکزیمم فرکانس کاری مدارها در طراحی های مختلف بسیار محسوس می باشد . تغییر پذیری در دو نوع سیستماتیک و تصادفی است . تغییرپذیری های تصادفی مستقل از قرار گرفتن ترانزیستورها در مدار هستند و در مقاب...

در این پایان نامه، دیود شاتکی گرافین-سیلیکون به وسیله ی ورقه کردن مکانیکی دو نوع گرافیت ( hopg و گرافیت طبیعی) بر روی زیر لایه ای از سیلیکون، ساخته شده است. زیرلایه ی سیلیکونی، پیش از قرار گرفتن گرافین، الگوسازی شده است. برای این منظور، سیلیکون تا ضخامت 300 نانومتر اکسید شده و سپس فلزات au/ti بر روی آن لایه نشانی می شوند. در مرحله بعد با استفاده از ماسک مخصوصی، فرآیند زدایش انجام می شود. پس از ...

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.