با استفاده از مدل¬سازی اثرات ناشی از نیروی مغز دافعه در برهم¬کنش¬های نوکلئون-نوکلئون از طریق مدل اصلاح شده¬ی واپیچش-دوگانه، به بررسی نقش اثرات معادله حالت ماده¬ی هسته¬ای در طول فرآیند همجوشی کامل دو هسته¬ی برهم¬کنشی پرداخته¬ایم. با توجه به مفهوم دمای هسته¬ی مرکب، مطالعات انجام گرفته در این تحقیق را به دو بخش اثرات اصلاحی ماده¬ی هسته¬ای سرد (0 = t) و گرم (0 ? t) تقسیم¬بندی نموده¬ایم. تحقیقات ما ...

شرایط امروزی حاکم بر جامعه و اقبال عمومی ساخت وساز به سمت استفاده از اسکلت فلزی در قیاس با اسکلت بتن مسلح به دلیل تسریع در روند ساخت، این موضوع را به ذهن متبادر می نماید که بهره گیری از سیستم های ترکیبی مقاوم سازی ساختمان های بتن مسلح در ساختمان های اسکلت فلزی می تواند مزایای متعددی را جهت رفتار لرزه ای اینگونه سازه ها تامین نماید. از آنجایی که تاکنون عمدتا قابهای ساختمانی بتن آرمه با استفاده ا...

زمینه و هدف: میدان های الکترومغناطیسی در محیط اطراف ما با شدت های متفاوت وجود دارند. به همین دلیل بررسی اثر آنها بر موجود زنده حایز اهمیت است. هدف از انجام این مطالعه بررسی اثر میدان بر روند جذب استخوان و تاثیر متقابل استخوان و هورمون هایی چونpth و کلسی تونین در اثر میدان بر یکدیگر بود. روش بررسی: در این پژوهش تجربی 30 موش صحرایی نر نژاد spraague –dawley به سه گروه تقسیم شدند. حیوانات گروه آزما...

در این پایان نامه کاربرد شبکه های عصبی پرسپترون چند لایه و تابع بنیادی شعاعی برای مدل کردن ترانزیستورهای توان بالا و فرکانس بالای ldmos ارائه شده است. اخیرا علاقه به ترانزیستور ldmos به خاطر کاربردهایش در تقویت کننده های توان rf در سیستم های ارتباطی بی سیم افزایش یافته است. اما غیر خطی بودن قطعه مسئله مهمی در این تقویت کننده هاست چون به هنگام اعمال سیگنال های با فرکانس نزدیک به هم در ورودی منجر...

مدل سازی جریان تونل زنی گیت ماسفت توسط شبکه عصبی

گرافین دولایه هم مانند تک لایه یک نیمرسانای بدون گاف است، اما مطالعات توری و تجربی اخیر نشان داده اند که می توان گاف نواری قابل توجهی را با کاهش دادن تقارن سیستم با استفاده از یک میدان الکتریکی عمود بر لایه ها به وجود آورد. بنابراین ماده ای با گاف نواری قابل کنترل داریم که استفاده از آن در وسایل الکترونیکی و اپتوالکترونیکی که وجود یک گاف نیمرسانایی لازم است، را ممکن می سازد. به خصوص گافی به اند...

چکیده این رساله ضمن ارزیابی مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان با کانال از جنس نانولوله کربنی، دو ساختار نوین برای بهبود این افزاره ها و یک ساختار نوین برای افزاره های اثر میدان نانونوار گرافینی پیشنهاد کرده است. اولین ساختار نوین تحت عنوان ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی با توزیع ناخالصی خطی در ناحیه کانال(ldc-cntfet) می باشد که نسبت به ساختارهای پایه و تک هاله دارای نوسانات زیرآستانه کمتر و ...

میدان های مغناطیسی می توانند اثرهای گوناگونی بر جانداران از سطح یاخته تا پیکره گیاهان، جانوران و آدمی بگذارند. در بررسی های همه گیرشناسی، اثر این میدان ها در بالارفتن میزان بروز برخی از سرطان ها همچون سرطان خون به خوبی نشان داده شده است. در آزمایش های گوناگون دانشمندان کوشیده اند تا به سازوکار این اثرهای زیستی پی ببرند؛ اما داده های به دست آمده بسیار ناهماهنگ و گستره انجام این بررسی ها چه از دی...

وقتی باریکه نوری از یک سطح مسطحی انعکاس می یابد، رفتار آن از پیشگویی های اپتیک هندسی )قوانین بازتابش (متفاوت خواهد بود. این اختلاف به جابجایی فضایی گوس هانچن و جابجایی زاویه ای ایمبرت فدروف معروف است. جابجایی گوس هانچن می¬تواند مقادیر مثبت یا منفی باشد. معمولاً این جابجایی کمتر از پهنای پرتو فرودی و همواره در امتداد مولفه موازی سطح بردار موج، اتفاق می افتد. هردو نوع جابجایی به عوامل مختلفی از جم...