افزایش تعداد ترانزیستور های به کار رفته در ریزپردازنده ها، باعث شده که گیت دی الکتریک دی اکسیدسیلیکون برخلاف کوچک شدن از 100 نانومتر به 2/1نانومتر نمی تواند نیاز آینده ترانزیستورها را برآورده کند. بنابراین یک جایگزین مناسب که دارای ثابت دی الکتریک بالا بوده و مشکلات دی اکسید سیلیکون مانند افزایش جریان نشتی، جریان تونل زنی و نفوذ بور را نداشته باشد لازم و ضروری است. تیتانیا یا دی اکسید تیتانیوم...

در چند دهه گذشته، به دلیل استفاده از مشددهای دی الکتریکِ سرامیکی صنایع مخابراتی بالاخص ارتباطات بی سیم دچار تغییرات اساسی شده است. مشددهای دی الکتریکی به عنوان رزوناتور،باید دارای ضریب دی الکتریک بالا به منظور تسهیل در کوچک تر کردن مدارات الکترونیکی، مقادیر فاکتور کیفیت بالا به منظور به گزینی فرکانسی آن ها و ضریب دمایی فرکانس رزونانس نزدیک به صفر به منظور پایداری فرکانس در برابر دماباشند.اخیرا ب...

پیشرفت روزافزون صنعت میکروالکترونیک، نیازمند ارتقای مواد الکترونیکی پیشرفته از جمله سرامیک­های دی­الکتریک با ثابت دی­الکتریک بالا برای کاربردهایی نظیر خازن­ها می­باشد. دی­الکتریک­های برپایه اکسید نیکل دسته­ای از این مواد پیشرفته می­باشند، که به علت داشتن ثابت دی­الکتریک بسیار بالا در محدوده دمایی گسترده، در سال­های اخیر مورد توجه محققان بوده­اند. در این پژوهش، سرامیک­ دی­الکتریک li0.05ni0.95o ب...

در این تحقیق نانوفریت های مس cufe2o4 ، آلاییده با یون های روی و نیکل با فرمول های عمومی cu1-xmxfe2o4 که m نشان دهنده نیکل ( x= 0 ,0.5 ,1) و روی ( x = 0 ,0.25 ,0.5 ,0.75 ,1 ) می باشد ، به روش سل – ژل سنتز شدند. تحلیل الگوی پراش اشعه x نمونه ها نشانگر تشکیل ساختار مکعبی اسپینلی با گروه فضایی fd3m بود که ساختار و گروه قضایی فریت ها می باشد. پس از تأیید ساختار نمونه ها به کمک الگوی پراش ، قرص دی ...

چگونگی بهینه سازیِ ذخیره و مصرف انرژی موضوعی است که امروزه توجه گسترده جهانی را به خود جلب کرده است. توسعه خازن ها با قابلیت ذخیره سازی بالای انرژی یکی از جنبه های قابل توجه بهره برداری منابع جدید انرژی است. مواد دی الکتریک پلیمری با ثابت دی الکتریک بالا، نقش موثری را در توسعه این خازن ها، ایفا می کنند. از سال 1960 میلادی شیمیدان ها تحقیقات گسترده ای در زمینه خاصیت دی الکتریکی پلیمرها انجام داده...

اثرات کانال کوتاه یکی از حساس ترین نکات در ساخت ترانزیستورها در ابعاد کمتر از میکرو ونانو است وبه مانع اصلی فن آوری ساخت ترانزیستور در مقیاس نانوتبدیل شده است و باعث تخریب عملکرد وتغیر ویژگیهای الکتریکی شده است. یک نمونه از اثرات کانال کوتاه اشباع سرعت است که در آن حامل در دستگاه به سرعت به اشباع رسیده با جود آن که حالت اشباع بوجود نیامده است. در سال های اخیر ترانزسیتورهای اثر میدانی مبتنی بر گ...

هدف از این پایان نامه بررسی رفتار افزاره های سیلیکون روی الماس دو لایه است. ما قصد داریم در این پایان نامه با بررسی دقیق مشکلات موجود در روند کوچک سازی افزاره های اثر میدان در ابعاد نانومتر، روش هایی برای کاهش آثار ناشی از کوچک سازی افزاره ها ارائه نماییم. ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق در مقایسه با ترانزیستور بالک محاسن چندی از خود نشان می دهند. اثرات خودگرمایی در این ترانزیستورها با توجه به ک...

ضدعفونی بیولوژیکی با استفاده از تخلیه ی گاز غیرحرارتی در فشار اتمسفر موضوع تلاش پژوهشی مهم در حال حاضر می باشد. ساختار هندسی جدید تخلیه ی سد دی الکتریک (dbd) در فشار اتمسفر توسعه داده شد و برای استریلیزاسیون گونه های باکتری به کار گرفته شد. چشمه ی پلاسما با یک منبع تغذیه یac در hz50 و ولتاژ 5400vrms راه اندازی شد. از گاز اکسیژن با خلوص 99/99 درصد برای تولید پلاسما استفاده شد. به منظورارزیابی اث...

دی اکسیدهای گروه iva (sio2, geo2, sno2, pbo2) ازگاف نواری پهن و ثابت دی الکتریک بالایی برخوردارند. این مواد به دلیل ویژگی های شیمیایی، مکانیکی و خواص دمای بالای برجسته ای که دارند همواره مورد توجه بوده اند. این ترکیبات همچنین از نقطه نظر ژئوفیزیکی مهم هستند و خواص الکترونی¬شان به طور وسیعی از عایق به فلز تغییر می کند. در این مطالعه نظر به اهمیت و کاربرد اکسیدهای کووالانسی در صنایع و بالا بودن ش...

در این پایان نامه،مشخصات الکتریکی ترانزیستور اثر میدان نفوذ افقی با تکنولوژی سیلسیم روی عایق(soi-ldmos) مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین دو ساختار جدید برای بهبود پارامترهای الکتریکی این نوع ترانزیستور نیز پیشنهاد شده است. در این ساختارها با توجه به کاربردهای این افزاره در الکترونیک قدرت و مخابرات ،بهبود همزمان مشخصه های dc وفرکانسی مد نظر قرار گرفته است. در ساختار پیشنهادی اول قطعه فلزی از ج...