نتایج جستجو برای: افت وخیزهای تابع گاف

تعداد نتایج: 30761  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه بوعلی سینا - دانشکده علوم پایه 1386

چکیده ندارد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید مدنی آذربایجان - دانشکده علوم پایه 1391

برای بررسی عبور امواج الکترونی در ابرشبکه گرافین گاف دار، از روش ماتریس گذار استفاده کردیم. در گرافین برخلاف سیلیکون نیم رسانا، بین باندهای هدایت و ظرفیت فاصله ای ندارد. چنین گافی(باند گپی) برای کاربردهای الکترونیکی ضروری است. زیرا به ماده اجازه می دهد که جریان الکترونها را قطع و وصل کند. راه حل برای برطرف کردن این مشکل، ایجاد گاف در طیف گرافین است. از دیدگاه فرمیون های دیراک، این معادل تولید ج...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه لرستان - دانشکده علوم پایه 1390

نیمرساناهای ii-vi به دلیل گاف پهن نواری و قابلیت کاربرد برای قطعات اپتوالکترونیک بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. انرژی گاف آن ها بین 3- 1 الکترون ولت می باشد، از این رو ابزار مناسبی برای این قطعات در ناحیه مرئی طیف هستند. در این مطالعه، ما با استفاده از روش امواج تخت بهساخته خطی با پتانسیل کامل (fp-lapw) در چارچوب نظریه تابعی چگالی، ویژگی های الکترونی و اپتیکی آلیاژهای نیمرسانای zn1-xmgxs، zn1-...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
صمد روشن انتظار s roshan entezar university of tabrizدانشگاه تبریز مریم نیکخو m nikkhou university of tabrizدانشگاه تبریز

در این مقاله تاثیر گاف ‎نوار فوتونی بر سرعت انتشار پالس انعکاسی از یک بره دی الکتریک آلاییده شده با اتم های دو ترازی یا سه‎ترازی مطالعه می‎شود. فرض می شود بره دی الکتریک میان یک محیط یکنواخت (مانند خلاء) و یک بلور فوتونی یک بعدی قرار دارد. نشان داده می شود که اگر فرکانس حامل پالس گوسی فرودی به بره در ناحیه گاف ‎نوار فوتونی قرار بگیرد انتشار پالس انعکاسی از بره آلاییده شده توسط اتم های دوترازی (...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
حمید هراتی زاده hamid haratizadeh physics department, shahrood university of technology, 3619995161, p.o. box 316, shahrood, iranگروه فیزیک دانشگاه صنعتی شاهرود، بلوار دانشگاه، شاهرود، ایران مریم غلامی maryam gholami physics department, shahrood university of technology, 3619995161, p.o. box 316, shahrood, iranگروه فیزیک دانشگاه صنعتی شاهرود، بلوار دانشگاه، شاهرود، ایران

در این مقاله سعی بر آن است که ضمن مطالعه نقش نیتروژن در فرآیندهای اپتیکی نیمه رسانای inganas, روشهای بهبود بازده اپتیکی نانوساختارهای این نیمرسانا را به منظور به کارگیری آن در ساختمان دیودهای لیزری ناحیه ir تشریح کنیم و نشان دهیم که چگونه با وارد کردن نیتروژن به ساختار inganas طول موج گسیلی آن به ناحیه مطلوب منتقل می شود و چگونه ضمن رسیدن به طول موج مناسب می توان بهره اپتیکی را بهبود بخشید. تغی...

در این پژوهش، نانوذرات اکسید تیتانیوم آلاییده با آهن در غلظت مولی Fe/Ti از 1 تا 10% و دمای بازپخت 400 تا oC800 توسط طیف سنجی پراش اشعه x ، تصویربرداری میکروسکوپ الکترونی تراگسیلی (TEM) و طیف سنجی بازتاب پخشی (DRS) مورد مطالعه قرار گرفت. اندازه نانوذرات سنتز شده با استفاده از تصویربرداری میکروسکوپ الکترونی تراگسیلی از 6 تا nm 100 تخمین زده شد. مطالعات اپتیکی طیف سنجی بازتاب پخشی نشان داد که آلای...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده فیزیک 1393

در این پایان نامه ابتدا به بررسی مدل استاندارد کیهان شناسی و مشکلات آن می پردازیم. نظریه ی تورم به عنوان موفق ترین نظریه در جهت اصلاح مدل استاندارد کیهان شناسی برای توصیف عالم اولیه شناخته می شود. در ادامه دینامیک دوره ی تورم و ساده ترین نوع مدل تورمی که شامل یک میدان اسکالر به نام اینفلیتون است را مطالعه می کنیم. کیهان شناسی تورمی علاوه بر حل مشکلات مدل استاندارد‏،‏ به ما این امکان را می دهد ت...

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - دانشکده علوم پایه 1391

در این کار، خواص الکترواپتیکی ترکیب sbsbrxi(1-x)، با در نظر گرفتن 33/0 و 1 ،0x=، در فاز اورتورمبیک، به صورت نظری بررسی شده است. در انجام محاسبات، از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده ی خطی (fp-lapw) و تقریب شیب تعمیم یافته (gga)، استفاده شده است. ترکیب هایsbsbr و sbsi، در گروه فضایی 62 (pnma)، دارای خاصیت پاراالکتریسیته بوده و در گروه فضایی 33 (pna21)، دارای خاصیت فروالکتریسیته می باشند. خواص...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
شعبان رضا قربانی sh. r ghorbani tarbiat moallem university of sabzevar, sabzevar, iranدانشگاه تربیت معلم سبزوار

ترکیب بس بلور  ndba2-xlaxcu3o7-δ  با 3 0 / 0 ،2 0 / 0 ، 15/ 0 ، 1 0 / 0 ، 0 5/ 0 ، 0 =x به روش استاندارد واکنش حالت جامد ساخته شدند. خواص ترابردی و ابررسانایی آن با اندازه گیری مقاومت ویژه الکتریکی به صورت تابعی از دما و تراکم آلایش مطالعه شده است. به منظور اندازه گیری تراکم حاملها در صفحات 2 cuo ، توان گرماالکتریسته در دمای اتاق به صورت تابعی از تراکم آلایش la اندازه گیری شده است. با افزایش تر...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهرکرد - دانشکده علوم 1392

در این پایاننامه به کمک روشهای ماتریس انتقال و تابع گرین، در رهیافت بستگی قوی به مطالعهی رسانش الکترونی نانوسیمهای مولکولی با در نظر گرفتن جملههای پرش الکترون بین همسایههای دوم پرداختهایم. نتایج این تحقیق نشان می دهد که در طیف رسانش یک زنجیرهی اتمی، پهنای ناحیهی تشدیدی کاهش یافته و یک گاف انرژی جدید ایجاد میگردد. باافزایش قدرت انرژی پرش الکترون با همسایههای دوم، ناحیهی تونلزنی افزایش مییابد و ش...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید