نتایج جستجو برای: اثر حفاظت مغناطیسی
تعداد نتایج: 162080 فیلتر نتایج به سال:
چینهای کمربند چین–رانده زاگرس با روند شمالباختر- جنوبخاور بهوسیلۀ مجموعهای از گسلهای عرضی با سازوکار غالب امتدادلغز قطع میشوند. تاقدیس کوههایسیاه در مرز فروافتادگی دزفول و پهنهی ایذه در کمربند چین-رانده زاگرس، یکی از این چینها است که تحت تاثیر گسلهای عرضی با سازوکار غالب امتدادلغز چپگرد و راستگرد قطع شده است. این گسلهای عرضی بهعنوان مراتب فعالیت جوانتر خطواره مغناطیسی پیسنگی L...
مقدمه: گزارش های متناقضی درباره اثر میدان های مغناطیسی بر جنبه های مختلف حیات در دست است. مطالعه حاضر به بررسی اثر میدان مغناطیسی با القای 05/0 تسلا بر رشد و قند خون پرداخته است. مواد و روش ها: 22 موش جوان نژاد balb/c به دو گروه تقسیم شدند. گروه آزمون به مدت 10 روز و روزانه حداقل به مدت 10 ساعت در میدان مغناطیسی ثابت یکنواخت با القای مغناطیسی 05/0 تسلا که توسط آهن ربای دایمی ایجاد شده بود، قرار...
با استفاده از نانوذرات مغناطیسی اصلاح شده با سیانکس 302، یک جاذب مغناطیسی برای استخراج یونهای توریم و اورانیم از محیطهای نیتراتی ساختگی فراهم شد. توانایی و قابلیت نانوذرات مغناطیسی (10nm≈) پوشش داده شده با سیانکس 302 برای استخراج و پیشتغلیظ همزمان توریم و اورانیم از محیط نیتراتی در روش ناپیوسته ارزیابی شد. اثر مقدار لیگاند، pH محیط، و غلظت اولیهی محلول یونهای فلزی بر رفتار استخراجی یو...
گرافین کامل و دست نخورده و نیز نانونوارهای آرمچیر پایان یافته با هیدروژن در غیاب نقصهای شبکه، موادی غیرمغناطیسی هستند. حضور تهیجایها، خواص مغناطیسی را بهشدت تحت تأثیر قرار داده و ممکن است قطبیدگی اسپینی قابل توجهی را در این مواد به وجود آورند. در این مقاله، با استفاده از روش محاسبات اصول اولیه مبتنی بر نظریه تابعی چگالی کوهن-شم، اثر حضور تهیجایها در خواص مغناطیسی و قطبیدگی اسپینی نانون...
چکیده ندارد.
چکیده ندارد.
چکیده ندارد.
در این مطالعه تاثیر میدان مغناطیسی ناشی از سیم حامل جریان الکتریسیته بر جریان سیال بیومغناطیس در یک کانال بصورت سه بعدی مورد بررسی قرار گرفته شده است. در این شبیه سازی از نرم افزار انسیس فلوئنت با اضافه کردن زیربرنامه مناسب به آن استفاده شده است. نتایج نشان می دهد، در حضور این میدان مغناطیسی، انتخاب شبکه ی محاسباتی مناسب، بسیار با اهمیت است. در این مطالعه، چگونگی انتخاب یک شبکه ی محاسباتی مناسب...
پیشرفت¬های روز افزون در تکنولوژی ساخت مواد نیم¬رسانای کم¬بعد و نیز ویژگی¬های منحصر¬به¬فرد این ساختار¬ها باعث ظهور نسل جدیدی از ابزارهای اپتوالکترونیکی با سرعت¬های بالا از جمله لیزر¬های مادون قرمز، تقویت¬کننده¬ها و آشکارساز¬های فوتونی شده¬است. در این میان ساختار¬های نقطه¬کوانتومی به دلیل محبوسیت سه بعدی حاملین بار و سطوح الکترونیکی کاملاً گسسته کاندیدای اصلی برای مطالعات بنیادین می¬باشند، علاوه ب...
بلورهای فوتونی، ساختارهای متناوب دی الکتریکی یا فلزی هستند که می توانند انتشار نور را کنترل کرده و رفتار آن را تحت تأثیر قرار دهند. وقتی که که مواد سازنده ی بلورهای فوتونی، خاصیت مغناطیسی داشته باشند و یا حداقل یک لایه در ساختارهای بلور فوتونی، مغناطیسی باشدبلورهای مگنتوفوتونی شکل می گیرند.استفاده از ساختار های بلور مگنتوفوتونی به منظور افزایش اثرات مگنتواپتیکی از سال 1996 آغاز شده و تاکنون مطا...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید