نتایج جستجو برای: گاف نوار فوتونی
تعداد نتایج: 4582 فیلتر نتایج به سال:
به دلیل رفتار خاص امواج الکترومغناطیسی در محیط های تک منفی، برخی از پدیده های اپتیکی مانند تشدید، تونل زنی کامل، بازتاب صفر و شفافیت در ساختاری دولایه ای از متامواد تک منفی (با یک لایه ی اپسیلون- منفی و یک لایه ی مو- منفی) قابل مشاهده است. اگر فضای داخل یک موجبر با این ساختار دولایه ای پر شود، برخلاف موجبرهای معمولی، این موجبر حداکثر یک مُد را می تواند انتقال دهد و ضخامت آن را نیز می توان به اخت...
در این پژوهش ما رفتار ناشی از آثار سطحی لبه های یک دستگاه نواری شکل ابررسانا را که در یک میدان مغناطیسی اعمالی متناوب عمود قرار گرفته بررسی می کنیم. توزیع میدان مغناطیسی و چگالی جریان الکتریکی را به دست می آوریم و با رسم منحنی مغناطش برای دستگاه هایی با تعداد نوار متفاوت، نشان می دهیم همانگونه که انتظار داریم افزوده شدن سد هندسی لبه به دستگاه می تواند مانع از تخلیه کامل شار مغناطیسی از دستگاه ش...
چکیده ندارد.
بلورهای فوتونی به دلیل توانایی بی نظیر در کنترل خواص نوری، توجه زیادی را در هر دو حوزه مفاهیم فیزیکی و کاربردهای عملی به خود معطوف کرده اند. کاواک ها و موجبرها که از اجزای اصلی مدارهای نوری ساخته شده بر پایه بلورهای فوتونی هستند، حاصل اعمال نقص های کنترل شده در بلورهای فوتونی می باشند. یک کاواک بلور فوتونی با اعمال نقص نقطه ای و یک موجبر نوری بلور فوتونی با اعمال نقص خطی در ساختار شبکه بلور حاص...
فیلمهای پلیوینیلیدین فلورید تهیه شده و با باریکهی الکترونی به انرژی MeV10 و با آهنگ دز kGy/s10 در دزهای مختلف در بازهی 50 تا kGy300 پرتودهی شدند. طیفسنجی مادون قرمز نشان داد که پرتودهی تغییر قابل توجهی در فاز پلیمر ایجاد نمیکند. طیف جذب مرئی- فرابنفش نشان داد که تابش منجر به جابهجایی قلهی جذب پلیمر، ایجاد یک قلهی جذب جدید و افزایش گاف نوار میشود. این تغییرات میتواند به دلیل فرایند ...
هدف از اجرای این پروژه، بررسی نظری خواص الکترونیکی اکسید تیتانیوم (tio2) در فاز روتایل (rutile) در حالت خالص و همراه با ناخالصی های گوگرد، سلنیوم، تلوریم و پلونیوم از گروه اکسیژن و زیرکونیم و هافنیم از گروه تیتانیوم و تأثیر اثر ناخالصی روی خواص فوتوکاتالیستی این ماده می باشد. محاسبات بر پایه ی نظریه ی تابعی چگالی (dft) و استفاده از روش شبه پتانسیل با استفاده از نرم افزار siesta انجام شده است....
خواص ساختاری و الکترونی فازهای رتایل،آلفا کوارتز،آلفا دی¬اکسید سرب،دی¬کلرید کلسیم و پیرایت از دی¬اکسید ژرمانیم توسط روش موج تخت بهبود یافته خطی با پتانسیل کامل (fp-lapw) محاسبه شده است.پتانسیل تبادلی-همبستگی توسط تقریب چگالی موضعی رفتار می¬کند.چگالی حالتهای کلی و جزئی و همچنین ساختار نواری برای هر فاز محاسبه شده است.محاسبات نشان می¬دهد که سهم عمده چگالی حالتها در زیر سطح فرمی مربوط به اوربیتاله...
استفاده از پدیده رامان برای دست یابی به تقویت کننده های پالس سیگنال در طول موج های مخابراتی امروزه بسیار مورد توجه است. ظهور این پدیده غیرخطی نوری به توان بالای نور در داخل محیط رامان نیازمند است. افزایش چگالی توان پمپ توسط ساختارهای ریزحلقه به علت خاصیت تشدیدکنندگی ، می تواند توان پمپ ورودی را به میزان قابل توجهی کاهش دهد. کریستال های فوتونی نیز با امکان تحدید نور توسط گاف فوتونی و تمرکز نور د...
در این پایان نامه برای بررسی خواص ساختاری، الکترونی، اپتیکی و مغناطیسی پروسکایت باریم استانات(basno3) هم در شکل خالص و هم آلایش داده شده با اتم mn، محاسبات اصول اولیه بر اساس نظریه ی تابعی چگالی با دو تقریب gga و mbj روی پتانسیل تبادلی-همبستگی انجام شده است. برای انجام محاسبات از کد محاسباتی wien2k استفاده شده است. آنالیز ساختار نواری و چگالی حالت های کل و جزئی برای باریم استانات نشان می دهد که...
در این تحقیق، خواص ساختاری، الکترونی و ارتعاشی فاز مکعبی BaHfO3 به روش شبه پتانسیل، در چارچوب نظریه تابعی چگالی و با دو تقریب LDA و GGA مورد بررسی قرار می گیرند. اجرای محاسبات در بسته نرم افزاری کوانتوم اسپرسو نشان می دهد که ساختار نواری BaHfO3 شامل یک گاف نواری مستقیم eV 3.67 و eV 3.88 در نقطه ی G (مرکز شبکه وارون) برای تقریب های LDA و GGA است که الکترون های ظرفیت اتم O Ba در پایین ترین نو...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید