نتایج جستجو برای: گاف نوار فوتونی

تعداد نتایج: 4582  

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - تبریز - دانشکده علوم پایه 1388

به دلیل رفتار خاص امواج الکترومغناطیسی در محیط های تک منفی، برخی از پدیده های اپتیکی مانند تشدید، تونل زنی کامل، بازتاب صفر و شفافیت در ساختاری دولایه ای از متامواد تک منفی (با یک لایه ی اپسیلون- منفی و یک لایه ی مو- منفی) قابل مشاهده است. اگر فضای داخل یک موجبر با این ساختار دولایه ای پر شود، برخلاف موجبرهای معمولی، این موجبر حداکثر یک مُد را می تواند انتقال دهد و ضخامت آن را نیز می توان به اخت...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده فیزیک 1392

در این پژوهش ما رفتار ناشی از آثار سطحی لبه های یک دستگاه نواری شکل ابررسانا را که در یک میدان مغناطیسی اعمالی متناوب عمود قرار گرفته بررسی می کنیم. توزیع میدان مغناطیسی و چگالی جریان الکتریکی را به دست می آوریم و با رسم منحنی مغناطش برای دستگاه هایی با تعداد نوار متفاوت، نشان می دهیم همانگونه که انتظار داریم افزوده شدن سد هندسی لبه به دستگاه می تواند مانع از تخلیه کامل شار مغناطیسی از دستگاه ش...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک 1391

بلورهای فوتونی به دلیل توانایی بی نظیر در کنترل خواص نوری، توجه زیادی را در هر دو حوزه مفاهیم فیزیکی و کاربردهای عملی به خود معطوف کرده اند. کاواک ها و موجبرها که از اجزای اصلی مدارهای نوری ساخته شده بر پایه بلورهای فوتونی هستند، حاصل اعمال نقص های کنترل شده در بلورهای فوتونی می باشند. یک کاواک بلور فوتونی با اعمال نقص نقطه ای و یک موجبر نوری بلور فوتونی با اعمال نقص خطی در ساختار شبکه بلور حاص...

بابک ژاله صفدر حبیبی محمد نوروزی محمود برهانی پریسا فخری

فیلم­های پلی­وینیلیدین فلورید تهیه شده و با باریکه­ی الکترونی به انرژی MeV10 و با آهنگ دز kGy/s10 در دزهای مختلف در بازه­ی 50 تا kGy300 پرتودهی شدند. طیف­سنجی مادون قرمز نشان داد که پرتودهی تغییر قابل توجهی در فاز پلی­مر ایجاد نمی­کند. طیف جذب مرئی- فرابنفش نشان داد که تابش منجر به جابه­جایی قله­ی جذب پلی­مر، ایجاد یک قله­ی جذب جدید و افزایش گاف نوار می­شود. این تغییرات می­تواند به دلیل فرایند ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان خراسان رضوی - دانشکده علوم 1390

هدف از اجرای این پروژه، بررسی نظری خواص الکترونیکی اکسید تیتانیوم (tio2) در فاز روتایل (rutile) در حالت خالص و همراه با ناخالصی های گوگرد، سلنیوم، تلوریم و پلونیوم از گروه اکسیژن و زیرکونیم و هافنیم از گروه تیتانیوم و تأثیر اثر ناخالصی روی خواص فوتوکاتالیستی این ماده می باشد. محاسبات بر پایه ی نظریه ی تابعی چگالی (dft) و استفاده از روش شبه پتانسیل با استفاده از نرم افزار siesta انجام شده است....

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه لرستان - دانشکده علوم پایه 1392

خواص ساختاری و الکترونی فازهای رتایل،آلفا کوارتز،آلفا دی¬اکسید سرب،دی¬کلرید کلسیم و پیرایت از دی¬اکسید ژرمانیم توسط روش موج تخت بهبود یافته خطی با پتانسیل کامل (fp-lapw) محاسبه شده است.پتانسیل تبادلی-همبستگی توسط تقریب چگالی موضعی رفتار می¬کند.چگالی حالتهای کلی و جزئی و همچنین ساختار نواری برای هر فاز محاسبه شده است.محاسبات نشان می¬دهد که سهم عمده چگالی حالتها در زیر سطح فرمی مربوط به اوربیتاله...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده برق و الکترونیک 1392

استفاده از پدیده رامان برای دست یابی به تقویت کننده های پالس سیگنال در طول موج های مخابراتی امروزه بسیار مورد توجه است. ظهور این پدیده غیرخطی نوری به توان بالای نور در داخل محیط رامان نیازمند است. افزایش چگالی توان پمپ توسط ساختارهای ریزحلقه به علت خاصیت تشدیدکنندگی ، می تواند توان پمپ ورودی را به میزان قابل توجهی کاهش دهد. کریستال های فوتونی نیز با امکان تحدید نور توسط گاف فوتونی و تمرکز نور د...

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - تهران - دانشکده علوم 1390

در این پایان نامه برای بررسی خواص ساختاری، الکترونی، اپتیکی و مغناطیسی پروسکایت باریم استانات(basno3) هم در شکل خالص و هم آلایش داده شده با اتم mn، محاسبات اصول اولیه بر اساس نظریه ی تابعی چگالی با دو تقریب gga و mbj روی پتانسیل تبادلی-همبستگی انجام شده است. برای انجام محاسبات از کد محاسباتی wien2k استفاده شده است. آنالیز ساختار نواری و چگالی حالت های کل و جزئی برای باریم استانات نشان می دهد که...

ژورنال: شیمی کاربردی 2016
حیدرعلی شفیعی گل, مرتضی فاضل زاده

در این تحقیق، خواص ساختاری، الکترونی و ارتعاشی فاز مکعبی BaHfO3 به روش شبه پتانسیل، در چارچوب نظریه تابعی چگالی و با دو تقریب  LDA و GGA مورد بررسی قرار می گیرند. اجرای محاسبات در بسته نرم افزاری کوانتوم اسپرسو نشان می دهد که ساختار نواری BaHfO3 شامل یک گاف نواری مستقیم eV  3.67 و eV  3.88 در نقطه ی G (مرکز شبکه وارون) برای تقریب های LDA و GGA  است که الکترون های ظرفیت اتم O Ba در پایین ترین نو...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید