نتایج جستجو برای: کاربردهای فشار قوی الکتریکی

تعداد نتایج: 60073  

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
محسن عبدالهی m abdollahi i.h.uدانشگاه امام حسین محمدعلی طالبیان درزی ma talebian darzi i.h.uدانشگاه امام حسین حجت حسین خانی h hoseinkhani i.h.uدانشگاه امام حسین حامد باغبانی ریزی h baghbani rizi i.h.uدانشگاه امام حسین

در این تحقیق اثر میدان الکتریکی یکنواخت را روی انرژی حالت پایه نقاط کوانتومی کروی gaas/alas با استفاده از مدل پتانسیل نامحدود مورد مطالعه قرار داده ایم. برای میدان های الکتریکی قوی، تغییرات انرژی حالت پایه اثر اشتارک تقریباً به طور خطی با ازدیاد میدان الکتریکی افزایش می یابد . در حضور میدان های الکتریکی ضعیف برای محاسبه انرژی بستگی بهنجار از روش اختلالی در تقریب جرم مؤثر استفاده نمودیم. این انرژ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز 1389

امواج تراهرتز معمولاً به امواجی در بازه فرکانسی (100ghz-30thz) اطلاق می گردد. این امواج کاربردهای وسیعی در صنعت پزشکی، بیولوژی، عکسبرداری، مخابرات ایمن و باند پهن و ... دارد. از طرف دیگر مواد نیتریدی و بخصوص نانوساختارهای آنها، تحت میدانهای الکتریکی قوی از خود خاصیت ndr نشان می دهند لذا انتظار می رود با طراحی و مدل ساختاری بتوان امواج تراهرتز از ادوات مربوطه تولید نمود. در طرح شرایط متفاوت ایجاد...

ژورنال: :علوم و صنایع غذایی ایران 0
محمد علی صالحی استادیار گروه مهندسی شیمی دانشکده فنی، دانشگاه گیلان، رشت، ایران آیدا امیدواری کارشناس ارشد مهندسی شیمی دانشکده فنی، دانشگاه گیلان، رشت، ایران

چکیده  در این پژوهش با استفاده از تکنولوژی میدان الکتریکی پالسی، اثر پارامتر های میدان پالسی قوی (pef) به عنوان روشی غیر حرارتی و دوستدار محیط زیست جهت استخراج ساکارز از چغندر قند، تحت شرایط مختلف تیمار شامل پارامتر های قدرت میدان (kv/cm14-5/3) و تعداد پالس (150-40 پالس)، روی فرآیند انتقال جرم (بریکس و هدایت الکتریکی) بعنوان جایگزینی برای روش های سنتی حرارتی مورد بررسی قرار گرفت. در این روش خلا...

استانین، یک نانوساختار دو بعدی از اتم های Sn، دارای ساختار لانه زنبوری می باشد. بر هم کنش اسپین-مدار ذاتی قوی استانین، موجب ایجاد شکاف انرژی تا حدود 0.07 الکترون ولت در ساختار نواری آن می شود. در این پژوهش، ویژگی های الکترونی نانونوارهای استانینی لبه زیگزاگ با مدل تنگ بست و روش تابع گرین در حضور میدان های الکتریکی و مغناطیسی را بررسی می نماییم. در حضور میدان الکتریکی عمودی، در نانونوارهای استان...

ژورنال: :مکانیک سازه ها و شاره ها 2014
مهدی آهنگر رضا ابراهیمی شمس مهرزاد

حل معادلات هیدرودینامیک مغناطیسی با استفاده از روش های مبتنی بر تفکیک مشخصه ها که دارای لزجت عددی کمی هستند، در جریان های پلاسما با ضریب بتای کوچک غالباً واگرا می گردد. افزایش همزمان سهم انرژی مغناطیسی (به دلیل کوچک بودن پارامتر بتا) و انرژی جنبشی (به دلیل وقوع انبساط های قوی) باعث کاهش سهم انرژی داخلی از انرژی کل شده و نهایتاً فشار در سلول های مجاور نوک الکترودها منفی می شود. در این پژوهش، جهت د...

پوشش‌های کامپوزیتی جاذب امواج الکترومغناطیس از جمله فناوری‌های جدیدی محسوب می‌شوند که کاربردهای گسترده ای در صنایع نظامی، ساخت و تولید آنتن، محافظت از انسان‌ها و مواد بیولوژیکی در برابر مضرات امواج الکترومغناطیس، بهبود سازگاری الکترومغناطیسی بین دستگاه‌های مختلف الکترونیکی و ... پیدا کرده اند. از آنجایی که امواج الکترومغناطیس شامل دو مولفه الکتریکی و مغناطیسی می باشند، پوشش‌های کامپوزیتی جاذب ا...

مردانی, طهماسب, مردانی, محمد,

In this study, we derive analytically Green’s function (GF) formalism to calculate the electrical conductance for an armchair SWCNT in the ballistic regime. We obtain an exact analytical formula for the conductance of the SWCNT, in the tight-binding approach and assuming nearest-neighbor interaction by recursion process in the GF formalism. We show that in the presence of uniform external poten...

توصیف ترازهای انرژی برای گرافین و همچنین نانولوله‌های کربنی به کمک تقریب بستگی قوی با در نظر گرفتن همپوشانی میان توابع موج اتمی مربوط به الکترون‌های اوربیتال اتم‌های کربن و همچنین لحاظ نمودن همپوشانی تا همسایه‌های مرتبه سوم، به خوبی با نتایج حاصل از محاسبات اصول اولیه(first principle ) برای این ساختارها در توافق می‌باشد. [S. Reich, et all, Phys. Rev. B 66, 035412(2012)]لذا در این تحقیق برآن شدی...

پایان نامه :0 1368

در سیستمهای قدرت 400 کیلوولت به بالا، سطح عایقی خطوط و پستها ازطریق اضاف ولتاژ ناشی از رعدو برق تعیین نمی گردد، چون این اضافه ولتاژ نسبت به اضافه ولتاژ ناشی از کلید زنی از اهمیت کمتری برخوردار است . باتوجه به اینکه ازنظ تئوری تعداد دفعاتی که امکان اتفاق اضافه ولتاژ ناشی از کلید زنی وجود دارد، برابر با تعداد برقدار کردن خط می باشد که زیاد هم می باشد، اگر بتوان این اضاف ولتاژ را کاهش داد، می توان...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یزد 1390

خطوط انتقال معمولا دارای سطوح ولتاژ بالایی هستند و برای اندازه گیری ولتاژ این خطوط جهت استفاده در ورودی ولتاژ رله دیستانس از ترانسفورماتور ولتاژ خازنی cvt استفاده می شود. پاسخ گذرای cvt در حین وقوع خطا شامل گذراهای میراشونده ای است که می تواند عملکرد رله دیستانس را تحت تأثیر قرار دهد. بدین معنی که رله دچار افزایش دید می شود و نیز خطاهای واقع شده در داخل ناحیه حفاظتی را با تأخیر پاک سازی می کند....

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید