نتایج جستجو برای: نانو کاربید سیلیسیم
تعداد نتایج: 15218 فیلتر نتایج به سال:
هدف از این تحقیق ساخت کامپوزیت های al/al?o?/sicبه روش متالورژی پودر می باشد. ابتدا زمان مناسب برای آسیاکاری و دمای مناسب برای تف جوشی در نمونه های al/20%sic تعیین شد. زمان آسیاکاری و دمای تف جوشی بهینه که به ترتیب 8 ساعت و ?c600 تعیین شد، جهت ساخت کامپوزیت های تقویت شده با ذرات sicو al?o? به کار گرفته شد. پودرهای مورد نظر ابتدا با درصد های حجمی al/20%sic، al/20%al?o?، al/5%al?o?/15%sic، al/10%a...
ذرات کاربید سیلیکون (SiC) با نانو ذرات نیترید بور (BN) پوشش دهی و سپس سنتز شده اند. سرامیک های نانو کامپوزیتی و میکروکامپوزیتی SiC/BN باروش زینترینگ پلاسمای فعال (PAS)، زینتر شده اند. در نانو کامپوزیت ها به واسطة توزیع همگن نانو کریستال های BN اطراف دانه های زمینه SiC٬ اندازة دانة نانو کامپوزیت ها کوچک تر از دانه های منو لیتیک و میکرو کامپوزیت های SiC است. به دلیل اینکه استحکام خمشی نانو کامپوز...
مقدمه: یک ماده ترمیمی ایده آل دندانی باید خواص بازتاب نور، انتشار و فلورسانس مشابه دندان طبیعی داشته باشد. دندان های طبیعی همواره تحت نور فرابنفش فلوروسانس آبی شدید منتشر می کنند که این خود باعث سفیدتر و براق تر دیده شدن دندان ها در نور روز می شود. یکی از محدودیت ها در تلاش برای مشابه سازی مواد ترمیمی، ساختار منحصر به فرد دندان طبیعی است. هدف از این مطالعه مشابه سازی توبول های دندانی و بررسی می...
در این پژوهش، پوشش نانو کامپوزیت هیبریدی Ni-P/Al2O3-SiC و پوشش ساده Ni-P، با استفاده از فرآیند آبکاری الکتریکی، روی زمینهای از جنس مس تهیه گردید. آبکاری الکتریکی در هر دو مورد، بوسیله جریان مستقیم (DC) انجام شد. اندازه نانو ذرات SiC و نانو ذرات Al2O3 مورد استفاده برای تهیه حمام نانو کامپوزیت، به ترتیب nm55 و nm50 بود. مشخصهیابی و بررسی مورفولوژی سطح...
نمونههایی از مخلوط زیرکن (ZrSiO4) و کربن فعال با نسبتهای استوکیومتری متفاوت (C/Zircon = 3:1, 6:1) تهیه و به مدت پنج ساعت آسیاکاری شدند. پس از انجام فرآیند آهن زدایی با اسیدکلریدیک دو نرمال روی نمونه های آسیاکاری شده، آزمایشهای مقدماتی (TGA) روی کلیه نمونهها در اتمسفر آرگن با خلوص بالا انجام شد. نتایج آزمایشهای پراش اشعه ایکس روی باقی مانده های آزمایش (TGA) نشان داد با انجام پنج ساعت آسیاکا...
ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمههادی (MOSFET (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (SOI) بهطور گسترده در مدارات مجتمع به کار میروند. بنابراین، دستیابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب میآید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد میگردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...
ریختهگری ژلهای روش شکلدهی نوینی است که در سرامیکهای کاربردی با عملکرد بالا اهمیت قابل توجهی دارد. عمدهترین علل اهمیت آن، اقتصادی بودن، عدم نیاز به تجهیزات پیچیده و توانایی شکلدهی اشکال پیچیده است که با روشهای دیگر سخت و گاهی امکانناپذیر است. در این پژوهش به بررسی روش شکلدهی بدنههای سرامیکی کربنی، کاربید بور و کاربید سیلیسیم با روش ریختهگری ژلهای پرداختهشده و عوامل موثر بر آن و نتای...
هدف از این پژوهش همرسوبی الکتریکی ذرات سخت کاربید بور (B4C) و ذرات روانکار سولفید تنگستن (WS2) بر زیر لایه مسی و ایجاد پوشش نانو کامپوزیتی Ni-B4C-WS2 و ارزیابی سختی و رفتار تریبولوژیکی پوشش نانو کامپوزیتی حاصل بوده است. جهت بررسی ریزساختاری از میکروسکوپ الکترونی گسیل میدان (FESEM)و جهت ارزیابی سختی و رفتار تریبولوژیکی به ترتیب از سختی سنج ویکرز و آزمون پین روی دیسک استفاده شد. نتایج نشان دا...
کاربید بور متعلق به گروه مهمی از مواد سخت غیرفلزی شامل آلومینا، کاربید سیلیسیم ، نیترید بور مکعبی و الماس می باشد. این ماده پس از الماس و نیترید بور مکعبی سخت ترین ماده در بین مواد موجود می باشد . سرامیکهای ساخته شده از کاربید بور به دلیل دارا بودن خواص فوق العاده ای مانند سختی بالا، نقطه ذوب بالا، مقاومت پوششی عالی و دانسیته پایین قابلیت زیادی برای کاربرد بعنوان بسیاری از سرامیکهای سازه ای از ...
هدف از این پژوهش تولید نانو پودر کامپوزیت نیکل-کاربید وانادیم که به عنوان یک هارد متال شناخته میشود از مواد اولیه اکسیدی و عامل احیایی منیزیم به روش مکانوشیمیایی میباشد. با توجه به دمای آدیاباتیک واکنش (T=3964 K)، این واکنش از نوع سنتز خود پیشرونده یا MSR میباشد. مواد اولیه طبق واکنش استوکیومتری با نسبت (1:1:6:2) به ترتیب برای اکسید نیکل، اکسید وانادیم، منیزیم و گرافیت مخلوط شدند. آسیا کاری ...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید