نتایج جستجو برای: نانوسیم نیمرسانا

تعداد نتایج: 458  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید چمران اهواز - دانشکده علوم 1392

با توجه به کاربرد وسیع نانوساختارهای نیم رسانای zno در ساخت وسایل اپتوالکترونیکی، حسگرها، ذخیره ی انرژی و هم چنین استفاده ی آن به عنوان کاتالیست، این موضوع انتخاب شد. آلایش ناخالصی در نیم رساناها با عناصر مختلف بر خواص فیزیکی مثل خواص الکتریکی، اپتیکی، مغناطیسی و ساختاری به شدت اثر می گذارد که برای کاربردهای عملی بسیار مهم است. به طور کلی عناصر مورد نظر که به عنوان آلایش در zno استفاده می شوند ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید چمران اهواز - دانشکده علوم پایه 1391

در دهه های گذشته، نانوفنآوری پیشرفت های قابل توجهی داشته است و تأثیرات آن در همه ی زمینه ها مشهود است. نانومواد نیم رسانای تک بعدی مانند نانوسیم ها و نانولوله ها، به علت کاربرد در ابزارهایی که برای اندازه گیری در ابعاد نانو مورد استفاده قرار می گیرند، توجه زیادی را به خود جلب کرده اند. این نانوساختارها در ساخت دیودهای نوری، حسگرهای بیوشیمیایی و ترانزیستورهای اثر میدان کاربرد دارند. ایندیوم آرسن...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شاهرود 1390

موضوع تحقیق این پایان نامه "اصلاح عملکرد قطعات الکترولومینسانس با استفاده از نانومواد"می باشد که در این خصوص ابتدا نانوسیم های ایندیم به روش تزریق داغ تحت خلاء سنتزشده و نتایج آن موید سنتز موفقیت آمیز نانوسیم های ایندیم به صورت آرایه ای دو بعدی و نانوسیم های آزاد می باشد. برای تهیه آرایه های دو بعدی نانوسیم های ایندیم که در قالب آلومینا سنتز شدند، از حلال های شیمیایی مانندهیدروکسیدسدیم جهت حذف ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان 1390

در دهه ی اخیر، نانوسیم های آلیاژی مغناطیسی مرکز توجه بسیاری از فعالیت ها واقع شده اند که به دلیل کاربردهای وسیع شان در زمینه های مختلف به خصوص دستگاه های ضبط مغناطیسی با چگالی فوق العاده بالا، gmr و ... می باشد. در این پروژه به ساخت و توصیف مشخصه های نانوسیم های سه آلیاژی مغناطیسی cofezn پرداخته شده است. روش ساخت این نانوسیم ها مشتمل بر دو بخش است:1) تهیه قالب آلومینیوم آندی به روش آندیزاسیون ن...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - دانشکده علوم پایه 1389

سیستمهای دینامیکی آشوبناک یکی از اساسی ترین مباحث فیزیک نظری می باشد،که آغاز مطالعات این محاسبات به اواسط سالهای 1600بر می گردد.با توجه به کاربرد سیستمهای دینامیکی آشوبناک در نظریه پژوهش داده ها،ارتباطات دیجیتالی،فشرده سازی داده ها و....،همواره مورد توجه محققان فیزیک و اغلب پژوهشگران رشته های ریاضی ومهندسی بوده است . سیستمهای دینامیکی به دو صورت می باشند: سیستمهای دینامیکی خطی که به روش حل م...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - دانشکده علوم پایه 1390

در این پژوهش فرایندهای تونل زنی وابسته به اسپین الکترون ها را از ساختارهای نامتجانس مغناطیسی به صورت فرومغناطیس/نیمرسانا/فرومغناطیس مورد بررسی قرار داده و تاثیر دو برهم کنش اسپین- مدار درسل هاس و راشبا را به طور جداگانه بر این فرایندها به دست آورده ایم. سپس این دو برهم کنش اسپین- مدار را در یک ساختار مرکب به صورت فرومغناطیس/نیمرسانا (با برهم کنش درسل هاس)/نیمرسانا(با برهم کنش راشبا)/فرومغناطیس ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - دانشکده علوم پایه 1391

در این پایان نامه با توجه به ساختارهندسی نانوسیم کوانتومی v شکل با پهنای شیار متغیر و مدل تحلیلی آن یک پتانسیل موثر با تقریب پیشنهاد شده است. با یک انتقال مناسب دردستگاه مختصات معادله ی شرودینگردو بعدی به دو معادله ی یک بعدی تجزیه می شود. توابع موج وترازهای انرژی الکترون و حفره در سیم v شکل به دست آمده است.با رسم نمودار پربند سطحی تقید قوی الکترون و حفره به طور واضح آشکار می شود.انرژی های به دس...

پایان نامه :دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره) - قزوین - دانشکده علوم پایه 1390

از طریق روش اکسیداسیون گرمایی نانوسیم های اکسیدروی سنتز شده اند. مشخصه یابی نانوسیم ها توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی، طیف فوتولومینسانس، پراش پرتو ایکس و طیف تراگسیل انجام شده است. گاف انرژی نمونه ها از طریق داده های حاصل از طیف تراگسیل در گستره طول موج 800-300 نانومتر تعیین شده است. با افزایش دمای گرمایی از 500 به 600 درجه سانتیگراد میانگین قطر نانوسیم ها افزایش یافته است ولی باافزایش بیشتر دم...

حسن ربانی, عصمت اسمعیلی, محمد مردانی

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده فیزیک 1391

این رساله مبتنی بر دو پژوهش است. در اولین پژوهش به مطالعه ی خواص الکترونی بسپار پلی-پارا-فنیلین بر روی گرافین با استفاده از نظریه اختلال بس ذره ای g0w0 پرداخته ایم. تحلیل چگالی بار و پتانسیل الکتروستاتیکی نشان می دهد که دو قطبی های سطحی شکل گرفته ناشی از اندرکنش بسپار-گرافین ضعیف بوده و انتقال بار قابل ملاحظه ای میان بسپار و گرافین رخ نمی دهد. در تقریب چگالی موضعی (lda) ساختار نواری سامانه مرکب...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید