با توجه به اهمیت نانوذرات مغناطیسی در کاربردهایی همچون ذخیره مغناطیسی، زیستی، مواد با فرکانس بالا، کاتالیست‌ها و صنایع نفتی، در این تحقیق نانوذرات فریت نیکل (NiFe2O4) توسط روش همرسوبی (co-precipitation)، بر سطح نانولوله‌های کربنی پلیمره شده توسط فرآیند پلیمریزاسیون بذرافشانی که حاوی مکان‌های مناسب جوانه‌زنی می‌باشند ایجاد گردیده‌اند. آنالیز ساختاری ماده توسط دستگاه پراش پرتو اشعه ایکس (XRD) صور...

چکیده مطالعات انجام گرفته در این پروژه، به اصلاح سطح الکترود با نانوذرات فلزی و برخی پلیمرهای هادی واجد ذرات فلزی و نانولوله های کربنی اختصاص دارد. در این راستا، یک محلول آبی از سورفاکتانت تریتون x-100 (tx-100) بعنوان یک افزودنی برای الکتروپلیمریزاسیون متا- تولوئیدین (mt) بر روی الکترود خمیر نانولول? کربنی (cntpe) استفاده شد که بعنوان پیکره ای جدید برای پخش نانوذرات پلاتین مورد بررسی قرار گرف...

هدف از این پژوهش ترسیب الکتروشیمیایی نانوذرات پلاتین روی سطوح نیمه هادی و بررسی رفتار کاتالیستی آن ها به ویژه برای حسگری اتانول می باشد.در این پژوهش با توجه به خصوصیات مواد نانو سعی بر پوشش دهی سطح قلع دی اکسید به وسیله نانو ذرات پلاتین از طریق ترسیب الکتروشیمیایی پالسی گردید. به این منظور پالس آمپرومتری تفاضلی که در آن امکان کنترل مرحله الکتروکریستالیزاسیون و تولید رسوباتی با خواص و ساختار منح...

توسعه مواد فوتوکاتالیست موثر و پایدار جهت حذف آلودگی های آلی یکی از مهم ترین موضوعات مورد بررسی در فوتوکاتالیست هاست. اخیراً، مواد فلز-نیمه هادی نظیر نقره/هالیدهای نقره (کلر و برم) نشان دادند که می توانند یک فوتوکاتالیست نوین و موثر تحت تابش نور مرئی برای تخریب گستره ی وسیعی از مواد آلی باشند. نقره/هالید های نقره قادر به جذب نور مرئی و جدا کردن الکترون-حفره تحت تاثیر رزونانس پلاسمون سطحی هستند. ...

در این مقاله یک مبدل رزنانسی کاهنده با بهره ولتاژمنفی و بازده بالا ارائه شده است. مبدل پیشنهادی ولتاژ ورودی را معکوس و کاهش می‌دهد. از تکنیک ZCS به منظور کاهش تلفات سوئیچینگ و تداخلات الکترومغناطیسی استفاده شده است. به منظور فراهم کردن شرایط سوئیچینگ نرم برای تمام المان‌های نیمه هادی، شبکه رزنانسی LLC مورد استفاده قرار گرفته است. نتایج عملی، بی‌نقص بودن عملکرد مبدل پیشنهادی و همچنین درستی آنالی...

در این مقاله یک مبدل رزنانسی کاهنده با بهره ولتاژمنفی و بازده بالا ارائه شده است. مبدل پیشنهادی ولتاژ ورودی را معکوس و کاهش می‌دهد. از تکنیک ZCS به منظور کاهش تلفات سوئیچینگ و تداخلات الکترومغناطیسی استفاده شده است. به منظور فراهم کردن شرایط سوئیچینگ نرم برای تمام المان‌های نیمه هادی، شبکه رزنانسی LLC مورد استفاده قرار گرفته است. نتایج عملی، بی‌نقص بودن عملکرد مبدل پیشنهادی و همچنین درستی آنالی...

اگر به بررسی موبیلیتی (µ) در ترانزیستورهای لایه نازک آلی در سال های اخیر بپردازیم یک روند افزایشی را در آن به سه دلیل (1-ترکیب نیمه هادی های آلی جدید 2-اتصالات سورس ودرین وشکل بندی کلی ترانزیستور بهینه شده است 3-پارامترهای لایه رسوب شده نیمه هادی آلی بهینه شده اند) مشاهده می کنیم که ما نیز جهت رسیدن به موبیلیتی قابل قبول تحت ولتاژاعمالی گیت پایین روی آنها تمرکز می کنیم. مثلاٌ pentance یکی از عمد...

li/mgo پایه بسیاری از کاتالیزورهای فعال برای زوج شدن اکسایشی متان (ocm) می باشد. این کاتالیزور یک نیمه هادی و همچنین یک هادی یونی می باشد، لذا مقاومت الکتریکی آن با دما و ترکیب واکنشگرها و همچنین ترکیب کاتالیزور تغییر می کند. در این تحقیق، ابتدا اثر میزان لیتیم کاتالیزور li/mgo بر روی عملکرد ocm و دهیدروژناسیون اکسایشی اتان (ocm) بررسی شد. سپس سعی شد که عملکرد کاتالیزور به هدایت الکتریکی آن مرب...

بلورهای نیمه¬هادی کاربرد وسیعی در ساخت قطعات الکترونیکی و مدارهای مجتمع دارند. ژرمانیوم یکی از بلورهای نیمه¬هادی است که در صنایع الکترونیک و مخابرات به¬صورت دیود و ترانزیستور به¬کار می¬رود. در کاربردهای الکتریکی علاوه بر این¬که ژرمانیوم باید به شکل تک¬بلور باشد، درجه¬ی خلوص آن نیز از اهمیت زیادی برخوردار است. مهم ترین تکنیک رشد این بلور نیمه-هادی، رشد از فاز مذاب و به روش چُکرالسکی می¬باشد. در ا...

دزیمتری فعال فردی گاما و نوترون در سال های اخیر مورد توجه بوده اند و از این میان، دیود های نیمه هادی گزینۀ مناسبی برای این منظور هستند. دیودهای نیمه هادی برای آشکارسازی ذرات باردار استفاده می شوند و برای ایجاد حساسیت نوترونی در آن ها از یک لایه مبدل استفاده می شود. نوترون ها با انجام واکنش در مبدل نوترون، ذرات باردار ثانویه تولید می کنند. این ذرات باردار ثانویه با رسیدن به آشکارساز ثبت می شوند....