علی‌رغم وسعت زیاد کشور ایران، رصدخانه ژئومغناطیسی تهران تنها رصدخانه در کشور می‌باشد که در دهه گذشته، به‌دلیل قدیمی بودن دستگاه‌های موجود در این رصدخانه و نیز گسترش شهر و قرارگیری این مرکز در معرض منابع نوفه‌ای متعدد، متاسفانه داده‌های آن مورد اعتماد نبوده و از لیست رصدخانه‌های ژئومغناطیسی استاندارد دنیا حذف شده است. با توجه به مزایای متعدد ثبت پیوسته میدان مغناطیسی و مؤلفه‌های آن در رصدخانه‌ها...

در این مقاله ما حلهای خود مشابه برای قرصهای برافزایشی با پهن رفت غالب همراه با اتلاف ناشی از وشکسانی و مقاومت مغناطیسی در اطراف ستاره فشرده با میدان مغناطیسی دو قطبی را بررسی می کنیم. سیال برافزایشی را با تقارن محوری، ایستا و همدما که شامل میدان مغناطیسی دو قطبی ناشی از ستاره مرکزی است در نظر می گیریم. ساز و کار غالب در اتلاف انرژی، وشکسانی و مقاومت مغناطیسی است. ما اثر مقاومت مغناطیسی متغیر را...

برهم کنش باد خورشیدی با مغناطیس سپهر زمین، سبب انتقال شار مغناطیسی به داخل دُمِ مغناطیسی می شود و در نتیجه برای حفظ پیوستگی ساختار دُم، یک همرفتی شار بازگشتی به داخل منطق? شبه دوقطبی قسمت شب و از آنجا به قسمت روز به وجود می آید. چون با این شار مغناطیسی، پلاسمای پرانرژی همراه است بنابراین جریان هایی الکتریکی وجود خواهد داشت که موجب تغییرات شدت مغناطیسی در نزدیکی سطح زمین (زیرتوفان مغناطیسی) می شود ...

زمینه وهدف: پیراستام از ترکیبات محرک مغزی است که عملکرد سیستم عصبی را تقویت می کند. تشکیل حافظه ترکیبی از روندهای مختلف است که عوامل متفاوتی قادر به اختلال در آن هستند. با توجه به افزایش احتمال قرارگیری در معرض میدانهای مغناطیسی در سالهای اخیر واثرات مطرح این میدانها برروندتثبیت حافظه مطالعه مذکور طرح ریزی گردید تا نقش این دو عامل در ارتباط با حافظه مشخص شود. روش کار : دراین مطالعه یازده گروه د...

اثرمیدان های الکترو مغناطیسی بر باکتری ها را از طریق ایجاد منافذی بر روی غشای سیتوپلاسمی اعمال می گردد. از سوی دیگر آنتی بیوتیک های گوناگون دارای اثرات متفاوتی بر باکتری های گوناگون هستند. به علاوه تحقیقات گوناگون نشان داده اند که میدان های الکترومغناطیسی سرعت بهبودی زخم ها را افزایش می دهند.   در تحقیق حاضر ابتدا اثر چهار آنتی بیوتیک جنتامایسین، تتراسیکلین، اریترومایسین و وانکومایسین با استفاد...

با توجه به محدود بودن مطالعات انجام گرفته روی ویسکوزیته و خواص رئولوژیکی نانوسیالات مغناطیسی، در این تحقیق تغییرات ویسکوزیته نانوسیال مغناطیسی fe3o4 در اتیلن گلیکول در حضور میدان های خارجی(الکتریکی و مغناطیسی)، به صورت آزمایشگاهی مورد بررسی قرار گرفت. برای اندازه گیری ویسکوزیته از ویسکومتر لوله موئین و برای بررسی رفتار رئولوژیکی سیال پایه و نانوسیال از ویسکومتر چرخشی بروکفیلد استفاده شد. سیال پ...