ضرورت توجه به ساخت ترانزیستورهای با محدوده عملکرد بالا (توان بالا وفرکانس قطع بالا) در ولتاژهای پایین باعث شد که عواملی که باعث افزایش جریان الکترونی این ترانزیستورها می شوند مورد بحث و بررسی قرار گیرند. برای بررسی اثر پهنای ناحیه تهی بر جریان الکترونی fetهای inaln/inn، ابتدا باید یک سری پارامترهای فیزیکی دقیق و کامل بدست آید، برای بدست آوردن این پارامترها چون چگالی گاز الکترونی، چگالی بار سطح...

ویژگی¬های الکتریکی و نوری خاص گرافین، ازجمله تحرک پذیری بالای حاملین در دمای اتاق، عدم وجود گاف باندی، قابلیت انعطاف پذیری بالا و وجود ترابرد بالستیک حاملین در دمای اتاق، آن را به یک ماده ایده¬آل برای استفاده در حوزه نانو الکترونیک تبدیل کرده است.تحرکپذیری بسیار بالای حامل¬ها در دمای اتاق و ترابرد بالیستیک، گرافین را جایگزین بالقوه ی سیلیکون به عنوان نیمرسانا در مدارهای مجتمع، مدارهای منطقی و ا...

ترانزیستورهای دوقطبی (bjt ها) هم اکنون در بسیاری از کاربردهای دیجیتال و ریزموجها به عنوان انتخاب اول محسوب می شوند و نقش بسیار مهمی در مداراهای آنالوگ ایفا می کنند. در فناوری bicmos ترانزیستورهای دوقطبی در کنار ترانزیستورهای mosfet ساخته می شوند. قابلیت جریان بالا و بهره زیاد، برتری این ترانزیستورها نسبت به ترانزیستورهای اثر میدان است. بهره جریان امیتر مشترک (?) ترانزیستورهای دوقطبی یکی از مهمت...

برای اولین بار، در این مقاله یک ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی تونل زنی جدید پیشنهاد شده است که در این ساختار جدید به جای استفاده از یک دوپینگ سنگین در ناحیه درین ساختار متداول، از یک دوپینگ خطی استفاده شده است. این دوپینگ از وسط ناحیه درین به صورت خطی به سمت ناحیه کانال گسترش یافته است. میزان ناخالصی در محل اتصال کانال-درین صفر است. این ساختار ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی تونل ...

پیشرفت سریع تکنولوژی و به دنبال آن کاهش بعد ترانزیستورهای ماسفت باعث شده است که این ترانزیستور ها رفتار متفاوتی در مدارات الکترونیکی از خود نشان دهند. در دهه‌ی اخیر، مدل های زیادی برای تخمین رفتار ترانزیستور های ماسفت کانال کوتاه ارائه شده است. در این مقاله یک مدل جدید برای پیش بینی رفتار و عملکرد ترانزیستورهای ماسفت کانال کوتاه پیشنهاد شده است. مدل پیشنهادی با ایجاد تغییراتی روی مدل nth-power ...

در طول چند دهه اخیر شاهد پیشرفت چشمگیری در زمینه الکترونیک بوده ایم. پیشرفت تکنولوژی سعی در تولید مدارات الکترونیکی دارد که در آن توان مصرفی و حجم مدار کمینه شود. در طول چند سال اخیر اصطلاح "یک سیستم روی یک تراشه" در مدارات مجتمع اهمیت ویژه ای پیدا کرده است. توسعه مدارات الکترونیکی موجب تولید تراشه های شامل مدارات دیجیتال و آنالوگ شده است. این توسعه همچنین باعث افزایش تعداد قطعات روی یک تراشه ش...

a novel and ultra low cost isfet electrode and measurement system was designed for isfet application and detection of hydronium, hydrazinium and potassium ions. also, a measuring setup containing appropriate circuits, suitable analyzer (advantech board), de noise reduction elements, cooling system and pc was used for controlling the isfet electrode and various characteristic measurements. the t...

وقتی که ابعاد ترانزیستور به حد نانو می رسد، فرض یکنواختی توزیع چگالی حامل ها در کانال ترانزیستور نادرست می گردد. توزیع غیر یکنواخت و تصادفی ناخالصی ها در کانال ترانزیستور باعث ایجاد تغییراتی در مشخصه ترانزیستور می گردد و باعث می شود که پارامترهای ترانزیستور از جمله ولتاژ آستانه، جریان حالت خاموش و ... تا حدی غیر قابل پیش بینی گردد. عدم پیش بینی پارامترهای یک افزاره، طراحی مدارات مجتمع را با مشک...

در این پروژه مدار مجتمع گیرنده سنسورهای اولتراسوند آرایه فازی با تکنولوژی cmos طراحی و شبیه سازی شده است . یک سیستم تصویربرداری آرایه فازی اولتراسوند شامل سه قسمت اصلی پیش تقویت کننده، تقویت کننده بهره متغیر و تاخیر آنالوگ می باشد. در ابتدا روشهای تصویربرداری اولتراسوند، همچنین ترانسدیوسرهای مورد استفاده در تصویربرداری مورد بررسی قرار گرفته اند. به منظور تقویت سیگنالهای ضعیف ترانسدیوسرها دو نوع...

در این پروژه، پارامترهای ذاتی مدار معادل سیگنال کوچک یک gaas hemt، در برابر بایاس (vds و vgs)، فرکانس (f) و دما(t) ، با استفاده از شبکه های عصبی پرسپترون چند لایه ای (mlp) و تابع پایه شعاعی (rbf) مدل شده اند. شبکه های عصبی پیاده سازی شده، شامل ساختارهایی با چهار ورودی (بایاس (vds و vgs)، دما و فرکانس) و هشت خروجی (مقدار پارمترهای ذاتی gaas hemt و نیز فرکانس قطع آن) می باشند، که در پایان از نظر ...