نتایج جستجو برای: محیط های دی الکتریک غیر خطی
تعداد نتایج: 524425 فیلتر نتایج به سال:
دو طرح برای رسیدن به این اهداف در این پایان نامه بررسی شده است. در اولین نمونه، مبدل آنالوگ به دیجیتال سه خروجی بر اساس تزویج بین موجبر و تشدیدگر حلقوی طراحی شده است. برای هر تشدیدگر حلقوی، به تنهایی، مقادیر راندمان و ضریب کیفیت به ترتیب 100% و 190 بدست آمده است. در ساختار اول ضریب دی الکتریک 3/47 و جنس محیط اطراف میله ها نیز هوا و نسبت پرشدگی شبکه نیز 22/0 r/a= انتخاب شده است. در این طرح، میان...
رنگدانه نانوساختار استرانسیم هگزاگونال فریت نوع M با ساختار شیمیایی SrFe12O19 در دماهای 1100-900 درجه سانتیگراد با روشهای همرسوبی و پچینی تهیه شدند. آنالیزهای پراش پرتو ایکس (XRD)، میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM)، مغناطومتر نمونه مرتعش (VSM) و تحلیلگر برداری شبکه ...
اکسید تیتانیوم و نیترید آلومینیوم را در شرایط به ترتیب فشار بالا و فشار بسیار پایین بر زیر لایه سیلیکونی رشد داده ایم و با استفاده از تکنیکهایی نظیر تابش سینکروترونی,( aes (auger electron spectroscopy و( sem (scanning electron microscope به مطالعه ساختار آنها پرداختیم. بررسیهای به عمل آمده نشان می دهند که فیلم آمورف اکسید تیتانیوم و یا نیترید آلومینیوم بر زیر لایه سیلیکون شکل گرفته است که این و...
مشخصه های الکترومغناطیسی ساختارهای موجبری دی الکتریک برای کاربردهای مایکروویوی و اپتیکی زمینه ای مورد توجه بوده است و انواع مختلف موجبرهای دی الکتریک موضوع چندین روش تحلیل بوده اند. از آنجا که اکثر این ساختارها را نمی توان بصورت تحلیلی حل نمود، روش های عددی متنوعی بهبود یافته اند که روش اجزای محدود از قدرتمند ترین آن ها است. اما مشکلی که در حل موجبرهای دی الکتریک با روش مذکور - و برخی روش های د...
در مقالۀ حاضر بلور فوتونی سه گانه یک بعدی جدیدی معرفی و وابستگی آن نسبت به دما در دو ضخامت مختلف و پهنای شکاف باند در دمای ثابت با تغییرزاویۀ تابش پرتو بررسی شده است. ترکیب دو دی الکتریک و با دو بلورمایع و به صورت جداگانه بلور فوتونی پیشنهادی در این مقاله هستند که نشان می دهد پهنای شکاف باند با افزایش دما افزایش می یابدو با افزایش زاویۀ تابش پرتو پهنای شکاف باند بلور فوتونی در دمای ثابت علاوه...
در این تحقیق شیشه-سرامیک ها ی ولاستونیت و کامپوزیت های حاوی 80 درصد وزنی پودر شیشه و20 درصد وزنی جزء دوم (tio2 و یا al2o3) از طریق سینتر بدون فشار تهیه شدند. ابتدا نمونه های تهیه شده از پودرهای شیشه در سیستم i (wo300/2- fe2o300/6- na2o08/5- cao25/27- sio268/59) و ii (wo300/2- fe2o300/6- na2o08/5- cao61/34- sio231/52) (بر حسب درصد وزنی) در محدوده دمایی c?900-720 عملیات حرارتی شده و سپس اثر افزای...
مواد فروالکتریک پایه سربی و علی الخصوص pb(zrti)o3 به علت دارا بودن خواص پیزوالکتریک عالی دارای کاربردهای وسیعی در عملگرها ، حسگرها و مبدل های پیزوالکتریک هستند. از طرفی، بیش از 60 درصد وزنی این ترکیبات را سرب تشکیل می دهد. با در نظر گرفتن سمی بودن سرب تلاش های فراوانی به منظور گسترش موادی سازگار با بدن و محیط زیست صورت گرفته است. در این پژوهش سرامیک نایوبات پتاسیم-سدیم (knn) به عنوان مهمترین خا...
تابش لیزر الکترون آزاد اسمیت پورسل که با حرکت پرتوهای الکترونی پرانرژی از بالای توری فلزی ایجاد می شود، از منابع همدوس تابش تراهرتز محسوب می شود. در اینجا یک توری مربعی که شیارهای آن توسط دی الکتریک پوشانده شده ارائه می-شود. اگر باریکه الکترونی را بصورت یک دی الکتریک پلاسمایی در حال حرکت در نظر بگیریم، می توان یک تئوری خطی سه بعدی از اندرکنش باریکه و موج بدست آورد.
در این مقاله توزیع حرارت در سطح قطعه کار در ضمن تخلیه الکتریکی واحد توسط نرمافزار Fluent شبیه سازی شد. برای این منظور از خواص ترمودینامیکی میانگین برای جنس قطعه کار و شعاع شار گرمایی با توزیع گاوسین برای منبع حرارتی و اعمال شرط مرزی جابجایی آزاد در سطح بالایی قطعه کار استفاده شد. در نهایت از روی پروفیل توزیع دما در قطعه کار استیل P20 حجم گودال بدست آمد و با داده های تجربی مقایسه شد. سیال دی ال...
در پژوهش حاضر، سنتز، بررسی رفتار سینتر با استفاده از روش های مختلف (کوره معمولی و گرمادهی مایکروویو) و ویژگی های مایکروویو دی الکتریک سرامیک های znnb2o6 در حضور tio2 مورد مطالعه قرار گرفت. از zno، nb2o5 و tio2 میکرون و نانو به عنوان مواد اولیه استفاده شد. ابتدا نانوپودر znnb2o6 با استفاده از آسیاب پرانرژی مخلوط پودرهای zno و nb2o5 به مدت 20 ساعت و عملیات حرارتی با استفاده از کوره معمولی و گرماد...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید