چکیده ندارد.

در این پایان نامه ابتدا معادلات ماکسول در داخل لایه نازک با اعمال شرایط مرزی لازم، حل شده است. با استفاده از جواب معادلات ماکسول و تعریف ماتریس مشخصه برای هر لایه، بازتاب از هر لایه در نتیجه بازتاب کل به دست آمد، و از این بازتاب کل برای طراحی فیلتر بازتاب زیاد استفاده شده است.برای طراحی فیلتر پادبازتاب روشهای مختلفی که بستگی به شرایط خاص خود را دارند بحث شده اند.با توجه به شرایط موجود از روش بر...

چکیده ندارد.

هدف ما در این پایان نامه بدست آوردن تخمین های اولیه از معادله بولتزمن، برای مولکول های ماکسولی همراه با فرض برش زاویه ای است.، که به پایداری l1-، جواب های نرم معادله منجر می شود. البته مسئله به حالتی که مقدار اولیه آشفتگی کمی در خلأ دارد، محدود می شود. برای این منظور ما تخمین هایی از توزیع یونی را به کار می بریم و در فضای -l1، دو تابعی غیر خطی می سازیم که یکی از آن ها اندازه گیری کننده میزان ...

بیش از یک دهه است که الاستومرهای دی الکتریک به عنوان مبدل برای تبدیل انرژی های الکتریکی و مکانیکی به یکدیگر به کار گرفته شده اند. محرک های الاستومری در الکتریک به طور گسترده ای برای ساخت پاها ربات ها مورد استفاده قرار گرفته اند. اخیراً ژنراتورهای الاستومری دی الکتریک نیز برای برداشت انرژی های بدون استفاده ناشی از حرکات طبیعی انسان مورد استفاده قرار گرفته اند. تحقیق جاری بر الاستومرهای دی الکتر...

در این پایان نامه اثر امپدانس دیواره و خودمیدانها به طور همزمان بر روی ناپایداری میزرسیکلوترون برای یک پرتو لایه ای الکترونی بررسی شده است. محاسبات در چارچوب معادلات ماکسول-ولاسوف خطی شده انجام یافته و ضخامت پرتو بسیار کوچکتر از شعاع متوسط آن می باشد. رابطه پاشندگی برای اختلالات الکترومغناطیسی با تقارن سمتی بدست آمده است. نشان داده می شود که وجود خودمیدانها باعث ایجاد نوسانات شعاعی با فرکانس بت...

در این پایان نامه به بررسی فرکانس تشدید و میرایی پلاسمون سطحی با درجات مختلف قطبش در نانوذرات کروی شکل فلزی می پردازیم. مسئله ویژه مقداری در چارچوب الکترودینامیک کلاسیک با حل معادلات ماکسول بدست می آید. از حل عددی آن وابستگی فرکانس پلاسمون سطحی به اندازه در نانوذرات کروی شکل را پیدا می کنیم. همچنین با معرفی تئوری mie سطح مقطع جذب و پراکندگی نانو ذرات کروی را برای طول موج های مختلف پیدا می کنیم ...

تحلیل و مدل سازی ترانزیستور به عنوان مهم ترین بخش مدارهای الکترونیکی فرکانس بالا، جزء بحث های مهم و کلیدی در طراحی دقیق مدارهای الکترونیکی می باشد. معمولاً هنگامیکه فرکانس کاری مدار و به تبع آن فرکانس کاری ترانزیستور پایین است، از مدل فشرده به نام مدل مدار معادل، برای مدل سازی ترانزیستور و طراحی مدارهای الکترونیکی استفاده می شود. ولی صحت و دقت این مدل ها با افزایش فرکانس و قابل مقایسه شدنِ ابعاد ...

بلورهای فوتونیکی ساختارهایی از مواد دی الکتریک هستند، که ضریب شکست در آن ها به صورت تناوبی تغییر می کند. از این ساختارها می توان در قسمت های اصلی وسیله های کنترل نور استفاده نمود، برای این منظور به بلور فوتونیکی دو بعدی از ستون های دی الکتریک مثلاً gaas نیازمندیم، با ایجاد نقصی در این بلور به عنوان مثال با حذف سه ستون در یک امتداد می توان یک کاواک l3 ایجاد نمود. نقص l3 اولین نوع از کاواک های بلو...