هگزافریت استرانسیوم (srfe12o19) با مغناطش اشباع، ناهمسانگردی تک محوری و مقاومت الکتریکی بالا، جزء مواد مغناطیسی سخت به شمار می آید. این ترکیب با ساختار هگزاگونال و 64 یون به ازاء سلول واحد، دارای خواص جالب و منحصر به فرد زیادی می باشد. انواع مختلف آلایش در این ترکیب، تغییرات متنوعی در ساختار و خواص مغناطیسی این ماده ایجاد می کند. بنابراین در این پایان نامه، نانو ذرات هگزافریت استرانسیم خالص و آ...

بلور مایع های نماتیک در ساخت ابزارهای فوتونیکی به ویژه در صفحات نمایشگر تخت مورد استفاده قرار می گیرند، وجود یونهای ناخالصی بدونه توجه به سرچشمه آنها باعث بروز مشکلات فراوانی در صنایع تولید صفحات نمایشگر می شود. یونهای ناخالصی یک میدان برهم کنشی داخلی اضافی تحت اعمال میدان خارجی در سلول بلور مایع ایجاد می کنند که باعث بروز مشکلاتی از جمله کاهش در اندازه میدان در دسترس و افزایش در ولتاژ آستانه، ...

در این تحقیق، اثر پلاسمای اعمالی با گازهای کاری متفاوت بر میزان نیترات موجود در آب بررسی شده است. برای تولید پلاسما از منبع تغذیه (15kv-27khz) استفاده شده است. مشاهده گردید که اعمال پلاسمای هوا در ساختار تخلیه سد دی الکتریک بر محلول پتاسیم نیترات، منجر به افزایش غلظت نیترات موجود در محلول شده در حالی که در مورد پلاسمای آرگون تولیدی در حباب با ساختار دو الکترود میله ای، تاثیری در میزان آن مشاهده...

نانو ساختارهای اکسید لانتان تزریق شده با زیرکونیوم به روش سُل- ژل تهیه شدند. در این کار، مقادیر مشخصی از نیترات لانتان، پروپکساید زیرکونیوم، اسیداستیک و متاکسی اتانول با هم حل شده و نانوبلورک­های به دست آمده با تکنیک­های پراش پرتو ایکس (xrd) ، میکروسکوپ الکترونی عبوری (tem) ، میکروسکوپ نیروی اتمی (afm) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) بررسی شدند. برای بررسی خواص الکتریکی و اندازه­گیری ثابت دی­ال...

میدان الکترومغناطیسی در حضور دو تیغه دی الکتریک موازی در فضای تهی، به روش تابع گرین، کوانتیزه می شود. برای سادگی محاسبات فرمولبندی به حالت یک بعدی اختصاص داده می شود. فشار تابشی خلاء روی هر وجه یک تیغه، با برگرداندن عبارت های کلاسیک به عبارت های کوانتومی نظیر محاسبه می شود. نیروی کازیمیر بر واحد سطح هر تیغه با محاسبات اختلاف فشار در دو طرف تیغه ها بدست می آید. نتیجه نهایی با کارهای قبلی، که با ...

در این پروژه با استفاده از تئوری الکترومغناطیس کلاسیک سطح مقطع پراکندگی ذرات کوچک دی الکتریک در برخورد با امواج الکترومغناطیسی بررسی شده و تغییرات این سطح مقطع برای پارامترهای اندازه مختلف بررسی شده است . همچنین میدانهای داخل کروی کوچک دی الکتریک در مواجهه با امواج تخت بررسی شده و نتایج زیر بدست آمده است . سطح مقطع پراکندگی ذرات کوچک با تغییرات پارامتر اندازه نوسان می کند. میدانهای الکتریکی داخ...

برآورد سریع و غیر مخرب رطوبت اهمیت بسزایی در مدیریت برداشت، انبار داری، فروش، و فراوری خرما دارد. در این تحقیق با روش خازن با صفحات موازی، ولتاژ متناوب سینوسی به محصول خرما اعمال و با دستگاه اسپکتروم آنالایزر پاسخ سیگنال خروجی مدار در محدودۀ فرکانسی 1 تا mhz 100 اندازه گیری گردید. از مدل های رگرسیون خطی چندمتغیره (mlr) به منظور استخراج رابطۀ بین رطوبت و مقادیر توان در فرکانس های گوناگون استفاده...

انبوهه و نانو لایه‌ی GaAs به دلیل کاربردهای وسیع مورد توجه بسیاری از پژوهشگران قرار گرفته اند. به دلیل اهمیت نانو لایه GaAs ، در این مقاله با استفاده از دو ناخالصی Mn و Fe احتمال ایجاد گذار فاز رسانا به نیم‌رسانا و برعکس هچنین چگونگی جابجایی ستیغ های ضرایب اپتیکی این نانو لایه‌‌ها مورد بررسی قرار می گیرد. به این منظور ویژگی‌های ساختاری، الکترونی و مغناطیسی نانو لایه ی GaAs خالص و آلائیده شده با...

تکنیک ساده اندازه گیری موجبری جهت تعیین ثابت مختلط مواد دی الکتریک ارائه شده است .نمونه دی الکتریک بار شده در فرکانس باند x بارگذاری میشود. با استفاده از یک تحلیلگر شبکه بهره بازتاب موجبر اتصال کوتاه شده اندازه گیری میشود .بهره گیری از شیوه المان محدود fem منجر به تابعی از ثابت دی الکتریک به عنوان بهره بازتاب موجبر کوتاه شده ( بار گذاری شده با نمونه مورد اندازه گیری ) میشود. بهره گیری از میزان ...

کار بر روی پروژه "شبیه سازی، طراحی و تهیه ی اجزای مورد نیاز برای ساخت سامانه ی لایه نشانی pecvd"، با هدف لایه نشانی اکسیدسیلیکون به عنوان لایه ی محافظ در قطعات الکترونیک آغاز شد. در مراحل ابتداییِ تحقیق مشخص شد که اغلب لایه های دی الکتریک موجود در تکنولوژی مدارات مجتمع، از جمله دی الکتریک بین لایه ها، اکسید میدان، لایه های محافظ و حتی در مواردی اکسید گیت، با روش های لایه نشانی بخار شیمیایی در مح...