دراین پایان نامه یک ترانزیستور فلز – نیمه هادی (مسفت ) بر روی عایق با ساختاری نوین پیشنهاد شدهاست. تلاش ها در راستای کاهش تجمع میدان الکتریکی در لبه ی گیت در طرف درین بوده است. توزیع بار در ساختار پیشنهادی نسبت به ساختار مرسوم در کانال بهبود نسبی یافته و این امر به وسیله کاهش تجمع میدان الکتریکی در لبه ی گیت در جانب درین رخ داده است، در نتیجه ولتاژ شکست به شکل ملموسی بهبود یافته است. به منظور ک...

تقویت کننده های توزیع شده دارای بهره مسطح و تطبیق امپدانس خوب ورودی و خروجی در یک پهنای باند فرکانسی وسیع هستند. این تقویت کننده ها توانایی انتقال داده را در طیف وسیعی از باند فرکانسی با میزان بالای اطلاعات را دارا می باشند. در این پایان نامه ابتدا یک تقویت کننده تفاضلی cmos توزیع شده که ترکیبی از توپولوژیهای cascode و cascade می باشد برای کاربردهای uwb در تکنولوژی 0.13µm cmos ارائه شده است. م...

امروزه با کاهش ابعاد تراشه¬ها به مقادیر نانو متری، حساسیت مدار¬های دیجیتال نسبت به اشکال¬های تک رخداد گذرا افزایش پیدا کرده است. این رخداد¬ها چالشی جدی برای قابلیت اطمینان سیستم به شمار می¬روند. بنابراین طراحی سامانه¬های تحمل پذیر در برابر خطای نرم از اهمیت روز افزونی برخوردار است. هدف این پایان¬نامه بررسی و جبران خطای نرم در مدار¬های دیجیتال ( شامل مدارات منطقی (ترکیبی و ترتیبی) و عناصر حافظه)...

در این پایان نامه نقش شدت نور بر روی رابطه پراکندگی فراماده هذلولی بررسی می شود. با استفاده از اثر غیرخطی کر در طلا و گرافن سه نوع سوئیچ تمام نوری طراحی خواهد شد. در ضمن با استفاده از قابلیت تنظیم پذیری پتانسیل شیمیایی گرافن از طریق اعمال بایاس خارجی یک سوئیچ الکترو-نوری نیز طراحی می شود. عمل کرد این افزاره ها برخلاف افزاره هایی ای که تاکنون ارائه شده است به زاویه تابش وابستگی ندارد. در ضمن ساخ...

با کوچک شدن اندازه ترانزیستورهای اثر میدانی فلز- اکسید- نیمه رسانا (mosfet) مشکلاتی نظیر افزایش جریان نشتی، تونلی و نفوذ اتم های بور از گیت دی الکتریک بازدهی آن ها را کاهش داده است. حل این مشکلات نیازمند نانوترانزیستورهایی با گیت دی الکتریک با ثابت دی الکتریک (k) بالا به جای گیت دی-الکتریک امروزی، اکسید سیلیکون (2sio) می باشد. در این پژوهش، با سنتز و بررسی ویژگی های الکتریکی و نانوساختاری نانوک...

با ظهور ممریستور ویژگی های دیجیتال و آنالوگ آن مورد بررسی قرارگرفت و مدل های متنوعی از آن در نرم افزار spice ارائه گردید. از ویژگی های آنالوگ ممریستور می توان به پیاده سازی شبکه های عصبی با استفاده از آن به عنوان سیناپس ها اشاره نمود. علت آن نیز ساخت متراکم و عملکرد عالی شان به عنوان حافظه آنالوگ است. ویژگی های دیجیتال این وسیله که در این پایان نامه مد نظر می باشد درموارد مختلف بصورت گسترده تری...

اتوماتای سلول کوانتومی (qca) ابتدا توسط جناب آقای لنت در سال 1993 پیشنهادشده و از آن هنگام تاکنون تحقیقات بسیاری بر روی آن به صورت تئوری و آزمایشگاهی انجام شده است. مهم ترین کارکرد فنّاوری qca درزمینه δ استفاده از نقاط کوانتومی می باشد. گرچه ابزارهای اولیه ای براین اساس ساخته شده اند امّا این علم هنوز در ابتدای راه خود می باشد. پیشرفت ها در این زمینه بسیار قابل توجه است. به عنوان مثال افزایش 10ب...

در این تحقیق، هدف، شبیه سازی ترانزیستورهای اثرمیدانی نانوسیم سیلیکونی با گیت فراگیر و بررسی اثر کرنش روی پارامترهای این افزاره و مشخص? جریان- ولتاژ آن است. ابتدا به بررسی وابستگی ساختار نوار انرژی آن و درنتیجه جرم موثر الکترون و شکاف انرژی به پارامترهای مختلف افزاره مانند انداز? نانوسیم (برای شعاع های سیم 1.5 تا 4 نانومتر) و جهت کریستالی ([100], [110], [111]) می پردازیم و سپس جرم موثر و شکاف ان...

در سال های اخیر بحث تغییرپذیری مدارات مجتمع و اثرات آن موضوعی است که ذهن طراحان دیجیتال را به خود مشغول کرده است. تغییرپذیری پارامترها در تکنولوژی زیر میکرون اثرات مهمی روی قابلیت اطمینان، تاخیر در پاسخ و صحت پاسخ مورد انتظار دارد. این اثرات معمولا بعد از ساخت ic ظاهر می شوند. لذا شناخت و پیش بینی اثرات تغییرپذیری روی ic ها قبل از مرحله ساخت و اعمال آن ها در طراحی کمک وافری به طراحی و بهینه ساز...

در این پایان نامه طراحی و شبیه سازی گیت های منطقی بولی صوتی بر بستر بلورهای فونونی با روش چند موجبری ارائه شده است. برای طراحی این گیت ها از بسترهای فونونی سیلیکنی جهت مجتمع سازی با سایر ادوات اپتوالکترونیکی که یکی از مزایای این طرح نیز می باشد استفاده شده است. در ابتدا به مطالعه و بررسی انواع بلور فونونی و حوزه های مختلف فرکانس کاری و پارامترهای موثر بر رفتار آنها می پردازیم. پس از آن انواع رو...