نتایج جستجو برای: روش تبدیل امپدانس با دی الکتریک های چند گانه

تعداد نتایج: 728156  

Journal: : 2021

هدف: پیشرفت جوامع بالاخص کشورهای درحال توسعه تا حد زیادی در گرو گسترش نهادهای دانشگاهی است. هم‌چنین یکی از مهم‌ترین ویژگی‌های آموزشی، درهم‌تنیدگی ساختارهای آموزش و اشتغال واقع هر آموزشی باید بازدهی یا توجیه اقتصادی داشته باشد که عالی‌ترین نوع آن ایجاد متناسب با فراگیر بر این اساس پژوهش حاضر به بررسی وضعیت راهیابی دانشجویان فارغ‌التحصیلان کارشناسی ارشد دکتری رشته تکنولوژی بازار کار عوامل مؤثر نظ...

Journal: : 2023

به منظور ساخت، راه‌اندازی و عیب‌یابی مقدماتی چشمه پنینگ داخلی سیکلوترون 10IRANCYC، یک مگنت الکتریکی دوقطبی با میدان مغناطیسی در حد امکان مشابه مرکز مذکور طراحی ساخته شد. این الکترومگنت که دانشکده فیزیک دانشگاه تهران شد، قادر است بزرگی 7000 گوس را محل استقرار (منطقه‌­ای شعاع 15 میلی‌متر مگنت) آسانی بدون نیاز خنک‌سازی تأمین کند. دست‌­یابی 1/1 تسلا نیز استفاده از برای مدت چند دقیقه امکان‌­پذیر است...

Journal: : 2022

هدف: هدف از این پژوهش بررسی واسطه‌­ای راهبردهای سازش نایافته تنظیم شناختی هیجان در رابطه باورهای فراشناختی با اضطراب امتحان بود. روش: روش حاضر توصیفی و نوع همبستگی جامعه آماری را کلیه دانش‌­آموزان پسر دوره دوم متوسطه شهر تهران سال تحصیلی 1401-1400 تشکیل دادند که تعداد 456 نفر به نمونه‏‌گیری دسترس انتخاب شرکت کردند. ابزارها شامل سیاهه ابوالقاسمی همکاران (1375)، پرسشنامه باکو دیگران (2009)، فرم ک...

Journal: : 2022

هدف: این پژوهش با هدف آزمون مدل روابط بین سبک‌های مقابله و خودکارآمدی حرفه‌ای استرس ادراک شده ناشی از حرفه‌های سلامت در گروهی پرستاران انجام شد. روش: همبستگی، 151 نفر شاغل بخش‌های اونکولوژی دانشگاه علوم پزشکی تهران به پرسشنامه باورهای شغلی برای (پیسانتی، لامباردو، لوسیدی، لازاری برتینی، 2008)، نسخة کوتاه سیاهه موقعیت‌های استرس‌زا (کوهن، جانگ استین، 2006) (ولفگانگ، 1988) پاسخ دادند. مفروض روش آم...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شیراز 1380

درسیستم ‏‎cdma‎‏ همه کاربران موجود در یک سلول یک باند فرکانسی در یک زمان استفاده می کنند و در واقع کدها هستند که کاربران را از هم مجزا می کنند. به همین دلیل این سیستم دارای ظرفیت بالاتری نسبت به نسل های قبلی موبایل می باشد اما دارای مشکلاتی نیز می باشد.یکی از مشکلاتی که در سیستم نسل سوم موچود است مشکل تداخل بین کاربران به علت پدیده فیدینگ در ارتباط بالا ‏‎(uplink)‎‏ می باشد. این مشکل باعث می گر...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید باهنر کرمان - دانشکده ریاضی و کامپیوتر 1390

در این پایان نامه، حل معادلات انتگرال از نوع مختلف را به کمک موجک های هار و توابع ترکیبی شرح می دهیم. در پایان هر بخش نیز مثال های عددی ارائه شده اند که نماینگر دقت و کارائی روش های مورد نظر می باشد.

در این مقاله، با استفاده از تابع تصحیح میدان موضعی هابارد وهمچنین تابع ساختار، به بررسی اثر برهمکنشهای کوتاه برد الکترونی و پهنای چاه کوانتومی بر رفتار تابع دی الکتریک سیستم گاز الکترون دوبعدی در حالات دمای صفر و دمای محدود می پردازیم. برای چگالی های الکترونی پائین تقریب فاز تصادفی معتبر نبوده و لازم است اثرات کوتاه برد از طریق تصحیح هابارد وارد محاسبات شود. نشان خواهیم داد که با وجودی که رفتار...

ژورنال: :نشریه دانشکده فنی 1991
دکتر حسین محسنی

با تبدیل ستاره به مثلث می توان با حذف نقطه مرکز ستاره حل مساله مدارها ی الکتریکی را دربسیاری از موارد ساده کرد.در تعمیم این تبدیل می توان یک یا چند گره از یک مدار الکتریکی را حذف کرد . د رمقاله /1/ رابطه این تبدیل به دست آورده شده است. در مقاله زیر ارتباط این تبدیل را با آلگوریتم حذف گاوس نشان می دهیم و خواهیم دید که چگونه یک مجهول در چند معامله چند مجهولی مربوط به یک مدار الکتریکی به معنی حذف...

Journal: : 2022

پیوند اعضا از ارکان مهم سیستم‌‌های سلامت است و به درمان بسیاری بیماری‌‌های صعب‌العلاج کمک شایانی کرده است. روزانه 7 تا 10 نفر بیماران نیازمند در ایران علت نرسیدن به‌موقع عضو پیوندی دنیا می‌­روند. با توجه بحرانی­‌بودن زنجیره برای سلامتی انسان، مدیریت برنامه‌ریزی این اهمیت فراوانی برخوردار انتقال بیمار یک بیمارستان محل تأثیر ثانیه‌‌ها بر کیفیت مورد­انتقال موفقیت پیوند، بسیار حائز پژوهش، مدلی ریاض...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه مازندران - دانشکده علوم پایه 1392

در سال های اخیر ضخامت گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون در تکنولوژی مکمل فلز- اکسید- نیمه رسانا (cmos)، به کم تر از 2 نانومتر رسیده است. مسائلی هم چون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتم بور از گیت دی الکتریک فرا نازک اکسید سیلیکون از نگرانی های عمده برای کاهش ضخامت گیت دی الکتریک می باشند. بنابراین باید به دنبال جایگزینی برای گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون باشیم. اخیرا مواد کامپوزی...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید