نتایج جستجو برای: رسانش اسپینی

تعداد نتایج: 1042  

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
عبدالله لنگری a. langari department of physics, sharif university of technology, tehran 11155-9161, iranدانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران 9161- 11155، ایران

این مقاله مجموعه مطالبی است که در اولین مدرسه تابستانی سیستمهای همبسته قوی در دانشگاه صنعتی اصفهان در تیرماه 1386 ارائه شده است. ابتدا مرور مختصری بر سیستمهای اسپینی و مغناطیسهای کوانتمی ارائه می شود. سپس روش قطری سازی دقیق (لنکزش) به شیوه آموزشی تشریح می گردد. این روش برای محاسبه خصوصیات حالت پایه مدلهای شبکه ای روی خوشه های محدود مناسب است. دو ویرایش از روش لنکزش برای محاسبه حالتهای برانگیخته...

با استفاده از نظریة تابعی چگالی خواص الکتریکی و اپتیکی هگزاگونال بورون نیترید (h-BN) دو لایه تحت کرنش صفحه ای دو محوری بررسی می شوند. محاسبة انرژی کل دو حالت برهم چینش AA و AB نشان می دهد که حالت AB پایدارتر از حالت AA است. h-BN دو لایه دارای گاف نواری غیر مستقیم به اندازة 4.33 eV در راستایK-M است. با اعمال کرنش تراکمی، کمینة نوار رسانش در نقطة M نسبت به تراز فرمی به سمت بالا و لبة نوار رسانش د...

در این مقاله ساختار تعادلی، خواص الاستیکی و مغناطیسی دو آلیاژ  و  با استفاده از نظریه تابعیت چگالی و تقریب شیب تعمیم یافته و با استفاده از روش پتانسیل کامل از طریق نرم افزار Wien2k مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین برهمکنش کولنی درون جایگاهی در قالب روش GGA+U مورد استفاده قرار گرفته تا تأثیرات همبستگی ساختار الکترونی منظور گردد. تغییرات گاف نواری، یا در واقع همان گاف اسپینی با ثابت شبکه در ترکی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده فیزیک 1394

وجه اصلی تمایز کار ما این است که اتصالات نانو ترانزیستورهای اثر میدانی، از نوع اتم های کربن می باشند، که در زیر به تفصیل شرح می دهیم. 1- ترانزیستورهای طراحی شده سه پایانه ای می باشندکه کنترل جریان خروجی توسط اتصال گیت به کانال صورت می گیرد. 2- جنس الکترودها گرافن و از نانو نوارهای مختلف می باشند همچنین جنس کانال نیز از دیسک یا حلقه گرافنی می باشد که موجب کاهش اثرات مقاومت سطح تماس می شود. 3-...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
طهماسب مردانی t. mardani department. of physics, isfahan university of technology, isfahan 84154, iranدانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان بهروز میرزا b. mirza department. of physics, isfahan university of technology, isfahan 84154, iranدانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان

در مدلهای مختلف مکانیک آماری تعریف یک متریک بر روی فضای پارامترها باعث نگرش جدیدی به ساختار فاز نظریه می شود. در این مقاله انحنا اسکالر r مربوط به این متریک برای مدل اسپین مختلط چهار حالته حساب شده است. نشان داده شده است که انحنا اسکالر در این مدل رفتار مشابهی با مدلهای ایزینگ و پاتس دارد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کردستان - دانشکده علوم پایه 1389

یکی از خواص ممتاز نانولوله های کربنی، خواص الکتریکی شان می باشد. تحقیقات تئوری وتجربی زیادی برروی خواص الکتریکی نانولوله های کربنی تک دیواره انجام شده است. این تحقیقات نشان می دهد که در نانولوله های کربنی تک دیواره، رسانش الکتریکی بالستیک و در برخی از موارد شبه بالستیک می باشد، در نتیجه رسانش الکتریکی کوانتیزه می شود. هدف از این تحقیق بررسی رسانش الکتریکی نانولوله های کربنی تک دیواره در شرایط م...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شاهرود - پژوهشکده فیزیک 1392

کشف تقارنهای نسبیتی هامیلتونی دیراک به محاسبه جرم مزونها با استفاده از معادله دیراک با پتانسیلهای خارجی برای توصیف دینامیک میان یک کوارک و آنتی کوارک باز می گردد که توسط tassie و smith (1971) معرفی شده اند. نویسندگان در این مقاله ذکر کرده اند که اگر پتانسیلهای خارجی به یک اسکالر لورنتس و جزء زمانی یک بردار لورنتس محدود شود و اگر این دو پتانسیل تا یک ثابت مساوی باشند، نتایج جرمها مستقل از سمتگیر...

در این مقاله ویژگی های ساختاری، الکترونی، اپتیکی و ثابت های کشسانی ترکیب های هویسلر Co2CrZ(Z=Al,Ga) مورد مطالعه قرار گرفته است.محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت شدۀ خطی با پتانسیل کامل در چارچوب نظریة تابعی چگالی با استفاده از تقریب GGA و کد محاسباتی Wien2k انجام گرفته است.در این تحقیق خواص ساختاری ترکیب های Co2CrZ(Z=Al,Ga) ازجمله ثابت شبکه،مدول انبوهه و مشتق آن محاسبه شده است.در این مح...

پایان نامه :دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره) - قزوین - دانشکده علوم پایه 1389

چکیده: با کوچک سازی مداوم قطعات الکترونیکی بحث ترابری الکترون در ساختارهای نانویی و کاربردهای آن در صنعت الکترونیک و تکنولوژی فوق مدرن کاربرد وسیعی پیدا کرده است. تکنیکهای پیشرفته ی رشد بلور مانند تکنیکهای لیتوگرافی نیز طراحی و تولید ساختارهای مصنوعی را فراهم کرده اند که پدیده های فیزیکی جدیدی را نشان می دهند. یکی از قطعات مصنوعی, نقطه ی کوانتومی ( ) می باشد. نقاط کوانتومی نواحی کوچک تعریف شده...

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - تبریز - دانشکده علوم پایه 1389

در دهه های اخیر پیشرفت در زمینه نانو تکنولوژی نیمه رسانا ها پژوهشگران را قادر ساخته تا ساختارهایی در مقیاس نانو و ابعاد پائین با کنترل پذیری بالا بسازند . ساخت این ساختارها باعث ایجاد توجه جدی به مطالعه سیستم های مزوسکوپیک به خصوص در ارتباط با ترابرد الکترونی شد . در این پایان نامه ، ویژگی های ترابردی یک سیستم مزوسکوپیک دو بعدی شامل یک نقطه کوانتومی مغناطیسی در حالت غیر تعادلی و با در نظر گرفتن...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید