نتایج جستجو برای: حسگر نیمه هادی

تعداد نتایج: 32196  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز 1389

اگر به بررسی موبیلیتی (µ) در ترانزیستورهای لایه نازک آلی در سال های اخیر بپردازیم یک روند افزایشی را در آن به سه دلیل (1-ترکیب نیمه هادی های آلی جدید 2-اتصالات سورس ودرین وشکل بندی کلی ترانزیستور بهینه شده است 3-پارامترهای لایه رسوب شده نیمه هادی آلی بهینه شده اند) مشاهده می کنیم که ما نیز جهت رسیدن به موبیلیتی قابل قبول تحت ولتاژاعمالی گیت پایین روی آنها تمرکز می کنیم. مثلاٌ pentance یکی از عمد...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده فنی 1392

انرژی خورشیدی از جمله انرژی های دوستدار محیط زیست و یکی از منابع تمام نشدنی انرژی می باشد و برای مهار کردن آن از ابزارهایی مانند سل های خورشیدی استفاده می شود. به منظور کاهش هزینه ها و بالا بردن کیفیت سل های خورشیدی و به دنبال آن افزایش راندمان تبدیل انرژی خورشیدی به الکتریکی، از نانوکامپوزیت ها استفاده می شود. در این تحقیق، نیمه-هادیهای سولفید کادمیم و دی اکسید تیتانیم انتخاب و لایه های نازک ن...

ژورنال: :فصلنامه علمی- پژوهشی آب و فاضلاب 2014
بهنام مهدوی حمید زیلوئی نوراله میرغفاری

در این تحقیق یک حسگر میکربی برای اندازه گیری bod طراحی شد. در ساختار این حسگر از یک سلول کلارک به عنوان ترانسفورماتور و از لجن فعال تهیه شده از تصفیه خانه آب و فاضلاب شاهین شهر اصفهان به عنوان شناساگر حسگر استفاده شد. نتایج مربوط به کالیبراسیون حسگر نشان می دهد رابطه خطی بین اختلاف جریان الکتریکی و غلظت محلول استاندارد گلوکز- گلوتامیک اسید، تا مقدار bod5 برابر با 50 میلی گرم اکسیژن در لیتر برقر...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده برق 1393

پیشرفت روزافزون صنایع و تکنولوژی، نمایش و کنترل پیوسته آلودگی موجود در هوا را در کارخانه ها، آزمایشگاه ها، بیمارستان ها و اکثر محیط های فنی ضروری می سازد. به همین دلیل، توسعه آشکارسازهای گازهای بسیار حساس، اهمیت یافته تا از حوادث ناشی از نشت گاز جلوگیری شود.از ویژگی¬های اصلی این پروژه این است که برای اولین بار، تولید صنعتی حسگر گاز در ایران مورد توجه عملی قرار گرفت. طی این پروژه یک نمونه مهندسی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تهران 1378

li/mgo پایه بسیاری از کاتالیزورهای فعال برای زوج شدن اکسایشی متان (ocm) می باشد. این کاتالیزور یک نیمه هادی و همچنین یک هادی یونی می باشد، لذا مقاومت الکتریکی آن با دما و ترکیب واکنشگرها و همچنین ترکیب کاتالیزور تغییر می کند. در این تحقیق، ابتدا اثر میزان لیتیم کاتالیزور li/mgo بر روی عملکرد ocm و دهیدروژناسیون اکسایشی اتان (ocm) بررسی شد. سپس سعی شد که عملکرد کاتالیزور به هدایت الکتریکی آن مرب...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه بوعلی سینا - دانشکده علوم پایه 1393

بلورهای نیمه¬هادی کاربرد وسیعی در ساخت قطعات الکترونیکی و مدارهای مجتمع دارند. ژرمانیوم یکی از بلورهای نیمه¬هادی است که در صنایع الکترونیک و مخابرات به¬صورت دیود و ترانزیستور به¬کار می¬رود. در کاربردهای الکتریکی علاوه بر این¬که ژرمانیوم باید به شکل تک¬بلور باشد، درجه¬ی خلوص آن نیز از اهمیت زیادی برخوردار است. مهم ترین تکنیک رشد این بلور نیمه-هادی، رشد از فاز مذاب و به روش چُکرالسکی می¬باشد. در ا...

ژورنال: :سنجش و ایمنی پرتو 0
حسین ذکی دیزجی hosein zaki dizaji imam hossein comprehensive universityدانشگاه جامع امام حسین(ع) فریدون عباسی دوانی fereidoon abbasi davani radiation application department, shahid beheshti universityدانشکده مهندسی هسته ای، دانشگاه شهید بهشتی طیب کاکاوند tayyeb kakavand imam khomeini international universityدانشگاه بین المللی امام خمینی، قزوین

دزیمتری فعال فردی گاما و نوترون در سال های اخیر مورد توجه بوده اند و از این میان، دیود های نیمه هادی گزینۀ مناسبی برای این منظور هستند. دیودهای نیمه هادی برای آشکارسازی ذرات باردار استفاده می شوند و برای ایجاد حساسیت نوترونی در آن ها از یک لایه مبدل استفاده می شود. نوترون ها با انجام واکنش در مبدل نوترون، ذرات باردار ثانویه تولید می کنند. این ذرات باردار ثانویه با رسیدن به آشکارساز ثبت می شوند....

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یزد 1389

در این پایان نامه، با استفاده از مدل نوسانگر وابسته؛ تابع دی الکتریک نیمه هادیهای گروه iii-iv مطالعه و بررسی شده است و با بهره گیری از این مدل طیف انعکاسی نظری نیمه هادی-های گروه فوق رسم و اثر پارامترهای اپتیکی مختلف در این مدل بررسی گردیده است. جهت بررسی کارایی این مدل، طیف فروسرخ دور تجربی نمونه هایی از نیمه هادی های گروه iii-iv (از قبیل gaas، gap و gasb) با طیف نظری برازش شده سپس پارامترهای ...

اکسید روی (ZnO)نیمه هادی اکسیدی است که خواص فوتوکاتالیستی داشته و قابلیت تجزیه مواد آلی و تصفیه پساب های صنعتی را دارا می باشد. در این تحقیق نانوذرات اکسیدروی دوپ شده با درصدهای متفاوت نقره (Ag) به روش سل-ژل پکینی برای بررسی خواص فوتوکاتالیستی سنتز گردید. نانو ذرات به دلیل داشتن نسبت سطح به حجم بالا می توانند خواص فوتوکاتالیستی بهتری از خود نشان دهند. همچنین افزودن فلزات نجیب به نیمه هادی می تو...

آذر دیوشلی یوسف متولدی نوبر

با استفاده از عناصر نیمه هادی جدید و مدارهای یکپارچه رقمی موجود به عنوان کار پژوهشی فوق لیسانس ساعت تمام ترانزیستوری طراحی وساخته شده است منظور از این کار پژوهشی آشنایی دانشجویان با وسایل جدید و استفاده از آنها برای ساخت مدارهای مورد نیاز می باشد ساعت ساخته شده می تواند مستقیماً یا با تغییرات جزیی به عنوان انواع شمارنده های مورد نیاز مراکز هسته ای و آموزشی بکار رود .

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید