به دلیل خواص متنوع و قابل توجه سیلیکان متخلخل، این ماده در زمینه های بسیاری از جمله الکترونیک، میکرو الکترونیک، اپتیک و ساخت انواع حسگرها کاربرد فراوانی دارد.در این پایان نامه تصمیم بر این است که سیلیکان متخلخل ساخته شود و هدایت الکتریکی آن بررسی گردد.برای ساخت سیلیکان متخلخل می خواهیم از روش الکتروشیمیایی استفاده کنیم. در نظر داریم ویفر های سیلیکان نوع p که بدون پولیش هستند را به کار ببریم و د...

چکیده ندارد.

در این پژوهش، ترابرد کوانتومی را در اتصال ابررسانا/فلز‎‎ نرمال بررسی نموده ایم؛ که ابررسانا از نوع‎ p-wave ‎ و فلز نرمال‎‎‏، گاز الکترونی دو بعدی است. ما اثر جفت شدگی اسپین-مدار راشبای موجود در فلز نرمال و در سطح مشترک را بر رسانش الکتریکی مطالعه نموده ایم. ‎‎در فصل یک به کلیاتی در مورد جفت شدگی اسپین-مدار و انواع آن پرداخته ایم. فصل دو را به مروری بر ابررسانایی اختصاص داده ایم. بازتاب آندریف ...

لایه های کربن شبه الماسی با پوششی از نانو ذرات فلزی کاربردهای فراوانی دارند.از جمله می توان به کاربردهای فراوان در صناعیه الکترونیک، نانو حسگرهای گازی و علوم زیستی اشاره کرد. در این تحقیق انباشت نانو ذرات طلا در بستری از لایه های کربن شبه الماسی با استفاده از فرایند لایه نشانی همزمن کندوپاش به روش rf −pecv dبا وارد کردن گاز استیلن به عنوان گاز عامل و هدف طلا جهت کاشت ناخالصی فلزی صورت گرفته است...

دراین مقاله یک مدل علّی و مبتنی بر مسیر، برای توصیف سیستم های کوانتومی معرفی شده است . این نظریه از لحاظ ساختار بسیار شبیه مکانیک بوهمی بوده و مانند نظریه بوهم، تمام نتایج آماری مکانیک کوانتومی استاندارد را باز تولید می کند. مسیرهای ذرات در این مدل با مسیر های پیش بینی شده توسط مدل بوهم متفاوت می باشند. همچنین فرم پتانسیل (نیروی) کوانتومی متفاوت با نظریه بوهم داده شده است. در حقیقت در این نظریه ...

چکیده با کاهش ابعاد ترانزیستورهای ماسفت و نزدیک شدن به حد نانومتری، شیب زیر آستانه ترانزیستورها زیاد می¬شود. بالا بودن شیب زیر آستانه در این ترانزیستورها و داشتن نسبت ion/ioff پایین، کاربرد آنها را در مدارهای دیجیتال و آنالوگ دچار چالش می¬کند. برای کاهش شیب زیر آستانه و همچنین افزایش نسبت ion/ioff، ساختارهای تازه ای معرفی شده است که ترانزیستورهای اثر میدانی تونل زنی یکی از آنها است. این تران...

در مقالۀ حاضر بلور فوتونی سه گانه یک بعدی جدیدی معرفی و وابستگی آن نسبت به دما در دو ضخامت مختلف و پهنای شکاف باند در دمای ثابت با تغییرزاویۀ تابش پرتو بررسی شده است. ترکیب دو دی الکتریک و با دو بلورمایع  و  به صورت جداگانه بلور فوتونی پیشنهادی در این مقاله هستند که نشان می دهد پهنای شکاف باند با افزایش دما افزایش می یابدو با افزایش زاویۀ تابش پرتو پهنای شکاف باند بلور فوتونی در دمای ثابت علاوه...

امواج تراهرتز که طول موجµm 0/8 تاµm 1000 را به خود اختصاص داده، دارای ویژگی های منحصر بفردی می باشند که این ویژگی ها توجه دانشمندان را به ادوات تولید، تقویت و آشکارسازی این امواج جلب نموده است. آشکارسازی امواج تراهرتز به دلیل سطح انرژی پایین این امواج، که تقریباً در محدوده انرژی گرمایی محیط می باشد با مشکلات زیادی روبرو است که سبب شده است تا ساختار مناسب و کاملی با مدیریت پذیری و انعطاف پذیری با...

دو کوارکیها ممکن است نقش مهمی را در فیزیک هادرونی به خصوص در نزدیکی گذارهای فاز (نقاط کایرال و نقاط غیرمحبوس شدگی) بازی کنند. ما با استفاده از ایده های مربوط به دو کوارکی برداری در حد همبستگیهای دو کوارکی کایرال در ناحیه نسبیتی و با اعمال نمودن برهم کنشهای فوق ریز بین کوارکها در دوکوارکیهای برداری, جرم حالت پنج کوارکی+θ را محاسبه می کنیم, همچنین با استفاده از روش تونل زنی به طور هم زمان پهنای و...