با پیشرفت تکنولوژی نانو و کاهش ابعاد ادوات نیمه هادی، مشکلات قابل ملاحظه¬ای از جمله اثرات نامطلوب کانال کوتاه بوجود آمده اند. لذا به منظور افزایش کارآیی و قابلیت اطمینان قطعه، کاهش اثرات منفی کانال کوتاه مهم است. به دلیل مزایایی که تکنولوژی سیلیسیم رو عایق در مقایسه با ترانزیستورهای بدنه¬ی سیلیسیمی دارد، ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق جایگزین مناسبی برای ابعاد کوچکتر ترانزیستورها می¬باشند. تران...

برای مطالعه در سنتیلاسیون مخصوص ویونیزاسیون مخصوص گازها نجیب اطاقک خاصی ساخته شد. مقدار سنتیلاسیون مخصوص ویونیزاسیون مخصوص همزمان اندازه گیری گردید و منحنی های تغییرات آنها بر حسب طول مسیر ذرات آلفا با هم مقایسه شد.آزمایش نشان داد که منحنی ها تا حدودی شبیه بهم می باشند.در آزمایش دیگر با اثر دادن میدان الکتریکی بشدت مختلف به هر جزء کوچکی از مسیر یونیزاسیون مخصوص ذرات آلفا اندازه گیری شد و من...

برای مطالعه در سنتیلاسیون مخصوص ویونیزاسیون مخصوص گازها نجیب اطاقک خاصی ساخته شد. مقدار سنتیلاسیون مخصوص ویونیزاسیون مخصوص همزمان اندازه گیری گردید و منحنی های تغییرات آنها بر حسب طول مسیر ذرات آلفا با هم مقایسه شد.آزمایش نشان داد که منحنی ها تا حدودی شبیه بهم می باشند.در آزمایش دیگر با اثر دادن میدان الکتریکی بشدت مختلف به هر جزء کوچکی از مسیر یونیزاسیون مخصوص ذرات آلفا اندازه گیری شد و منحنی...

از مهمترین نیازمندی ها برای طراحی ابزارهای قابل حمل مانند گوشی های هوشمند مصرف پایین انرژی بر کارکرد می باشد. در بسیاری از کاربردها، حافظه ها بخش عمده ای از کل انرژی سیستم را مصرف می کنند. از این رو درکاربردهای توان محدود که سرعت در درجه دوم اهمیت پیدا می کند، مفید است که عملیات های خواندن و نوشتن برای یک سلول sram با کمترین ولتاژ کاری ممکن انجام گیرد. چالش اصلی در طراحی sram مرسوم سازش بین نیا...

در دهه اخیر، نیمه هادی ganبه دلیل گاف انرژی و رسانندگی گرمایی بزرگ تر نسبت به نیمه هادی gaas ، در کاربردهای توان بالا مورد توجه قرارگرفته است. به دلیل همین ویژگی ها، ganاین قابلیت را دارد که در دماها و ولتاژهای بالا نیز کار کند. علاوه بر این سرعت اشباع الکترون در ganنیز نسبت به gaasبیشتر بوده و به همین دلیل، این نیمه هادی برای کاربردهای فرکانس بالا نیز مناسب می باشد. در ترانزیستورهای hemt با فن...

در این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات الکتریکی و گرمایی نانو ترانزیستورهای سیلیسیم ژرمانیم روی عایق و ارائه ی چندین ساختار نوین برای آن ها پرداخته ایم. با پیشرفت تکنولوژی، اندازه ی ترانزیستورها در مقیاس نانومترخواهند شد تا بتوان از تعداد بیشتری از آن ها در مدارات توان پایین استفاده نمود. کوچک سازی ترانزیستورها، مشکلات الکتریکی و گرمایی زیادی را از قبیل اثرات کانال کوتاه، اثرات حامل های داغ...

در این پایان نامه، به بررسی و تحلیل عملکرد ترانزیستور اثر میدانی نانو نوار گرافنی می پردازیم. همچنین اثرات افزودن نقص به کانال ترانزیستور و تغییر فاصله اتم ها در لبه نانو نوار را مورد بررسی قرار می دهیم. برای شبیه سازی این ساختار از نرم افزار nano tcad vides، siesta و matlab استفاده شده است. در این راه شیوه بدست آوردن هامیلتونی نانو نوار آرمچیر با رویکرد تنگ بست توضیح داده می شود. برای بالاتر ب...

در این رساله بیش از ده انتقال جدید دو فوتونی اتم نئون که در دامنه 574 تا 630 نانومتر مشاهده و برخی از آنها برای اولین بار شناسایی شدند، گزارش می شوند. این انتقالات از تراز الکترونی شبه پایدار اتم نئون صورت می گیرند و در یک لامپ هالوکاتد با روش طیف سنجی اپتوگالوانیک مطالعه شده اند. همچنین در راستای مطالعه دینامیکی رفتار پلاسما، بررسی رفتارزمانی سیگنال های اپتوگالوانیک انجام شد که ازاین طریق طول ...

پس از ارائه اولین گزارش ها در مورد نانو لوله های کربنی با خواص خاص و چشمگیر الکترونیکی ، نوری و شیمیایی ؛ آنها از دیدگاه کاربردی جهت تحقیقات اساسی ، موضوعی جذاب برای پژوهش در حوزه های گوناکون دانش بوده اند. از جمله مباحثی که در این زمینه مورد بررسی قرار گرفت مبحث ترانزیستور های اثر میدان نانو لوله کربن((cntfet می باشد. در ابتدا چگونگی عملکرد این قطعه خیلی واضح نبود اما با پیشرفت های بعدی ؛ شناخ...

در این پایان نامه به بررسی ساختار گرافین از جمله شبکه آن ، بردارهای پایه شبکه حقیقی و شبکه وارون و یکی از ویژگی های منحصر به فرد در گرافین که طبیعت خاص حامل های بار در آن است پرداخته ایم .نحوه به دست آمدن معادله دیراک در گرافین را شرح می دهیم و یک ترانزیستور اثر میدانی گرافینی را شبیه سازی می کنیم و رفتار فرمیون های بدون جرم دیراک را در برخورد با ترانزیستور اثر میدانی گرافینی را در حالت هایی که...