درسالیان اخیر با پیشرفت نیمه هادیهای توان و تکنولوژی مجتمع سازی ادوات نیمه هادی توجه چشمگیری به افزاره های توان شده است. در بین ادوات توان ساختار سیلیسم بر روی عایق به علت ویژگی های بسیاری از جمله، کاهش خازن های پارازیتیک، ایزولاسیون تقریبا ایده آل و کاهش جریان های نشتی به زیر لایه مورد توجه قرار گرفته است به خصوص خاصیت ایزولاسیون بالای آن باعث شده است که در کاربردهای مدارات مجتمع توان امکان مج...

همواره در تقویت کننده توان کلاس-‏e‏ با توپولوژی خازن موازی، اثرات خازن های خطی و غیر خطی ذاتی عنصر ‏سویچینگ به منظور مدلسازی مدار در شرایط سویچنگ ولتاژ- صفر‎(zvs)‎‏ و تغییرات سویچنگ ولتاژ- صفر‎(zvds)‎‏ مورد توجه ‏قرار می گیرد. در این شرایط، دوره کاری ترانزیستور نه تنها به عنوان یک متغیر طراحی بلکه به عنوان یک پارامتر قابل تغییر به ‏منظور دستیابی به شرایط مشخص و خاصی از عملکرد مدار مورد توجه قرا...

در این پایان نامه ما با ارائه روشهای پیشنهادی، نخست ضریب کیفیت مدار را افزایش دادیم، سپس با ارائه شروطی، روشهای کاهش نویز ولتاژ را پیشنهاد کردیم، در نهایت، مصرف توان را تا حد امکان کاهش دادیم. برای تحقق این اهداف، سه مدار بر پایه ساختار (fai) flipped active inductor پیشنهاد شد. این ساختار با وجود داشتن محدوده سلفی بالا و استفاده از تنها دو ترانزیستور در ساختار اصلی خود، مصرف توانی حدود mw 9 دار...

جریان تونل زنی اکسید گیت در ماسفت ها یکی از مهمترین عوامل در تحلیل و اندازه گیری پارامترهای این قطعات است. در رساله حاضر، ابتدا اثر جریان گیت در ترانزیستورهای ساخته شده در فناوری روز نیمه هادی بررسی شد و لزوم محاسبه آن ذکر شد. سپس با استفاده از مدلی جدید به محاسبه ی عرض چاه پتانسیل ایجاد شده در ناحیه ی وارونگی و همچنین تابع موج الکترون ها در واسط بین اکسید و نیمه هادی پرداخته شد. در نهایت به کم...

ویژگی‌های بردها و ریزنوارها (خطوط میکرواستربپ) تأثیر تعیین‌کننده‌ای در پدیده تداخل و القای امواج الکترومغناطیسی بر روی بردهای الکترونیکی دارند. در این مقاله اثر تغییر مشخصات فیزیکی خطوط هادی و برد‌های مدار چاپی با تابش یک پالس الکترومغناطیسی ذوزنقه‌ای به صورت سه بعدی با روش مشتقات محدود در حوزه زمانFDTD شبیه‌سازی شده است. اندازه طول و عرض یک ریزنوار و ضخامت فیبر مدار چاپی از جمله مواردی است که...

در این مقاله، به ارائه یک ضرب‌کننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی می‌پردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا  طراحی‌شده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1V) کار می‌کنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضرب‌کننده، با استفاده از فناوری CNTFET  ،32 نانو متر طراحی می‌شود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضرب‌کننده ارائه‌شد...

با توجه به اهمیت و مزایایی که ترانزیستورهای دو قطبی نامتجانس در کاربردهای مایکروویو دارند مطالعات وتحقیقات بیشتری در مورد این ترانزیستورها احساس می شود نظر به اینکه هدف این پایانه نامه شبیه سازی ترانزیستور با بهره گیری از تکنیک های هوش محاسباتی می باشد لذا از این جهت که در نهایت پیش بینی رفتارو عملکرد این ترانزیستوربا دقت بیشتر ، سرعت عمل بالاتر و زمان اندکی نسبت به روشهای قبلی دارد حائز اهمیت ...

یکی از محدودیت های اساسی در مینیاتورسازی ترانزیستورها، محدود بودن شیب زیر آستانه ی آن ها به 60mv/dec در دمای اتاق است. آی-ماس (i-mos) که مبتنی بر یونیزاسیون برخوردی است، این محدودیت را به حدود5mv/dec کاهش داده است. آی-ماس یک نانوترانزیستور با ساختار p-i-n دارای گیت است. گیت، بخشی از ناحیه ی ذاتی(i) واقع شده در میان سورس p یا n و درین n یا p را می پوشاند. ساز و کار تزریق حامل در این افزاره بر اس...

چکیده ندارد.

در کار حاضر، تلاش کردیم ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی را مطالعه کنیم که این مهم با مطالعه ی رفتار حامل ها در نانولوله زیگزاگ (به عنوان مجرای ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی) صورت گرفته است. هدف اصلی، محاسبه ی جریان حامل ها در نانولوله ی کربنی زیگزاگ بوده تا دریابیم که آیا این نوع نانولوله های کربنی می تواند به عنوان یک مجرای مناسب در تولید ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کرب...