در این تحقیق رفتار الکتروشیمیایی تیتانیم خالص تجاری در محلول‌های 1/0، 0/1و 0/3 مولار اسید سولفوریک بررسی شد. منحنی‌های پلاریزاسیون نشان دادند که تیتانیم خالص تجاری در محلول‌های 1/0، 0/1و 0/3 مولار اسید سولفوریک، رفتار رویین عالی را ارایه می‌دهد. نتایج آزمون‌های موت- شاتکی نشان داد که رفتار نیمه‌هادی لایه رویین تیتانیم خالص تجاری از نوع n-است. برای سه محلول، نتایج آزمون‌های موت- شاتکی نشان داد ک...

مشخصه یابی ترانزیستورها و محاسبه پارامترهای مختلف آن ها در نواحی کاری متفاوت و بررسی تغییرات آن ها با تغییر در ولتاژ و دما، از مهم ترین مسائل جهت ارائه مدلی صحیح و دقیق برای ترانزیستور است. اگرچه روش های بسیاری برای استخراج پارامترهای ترانزیستور گزارش شده است، اما از آن جا که برای بهبود بخشیدن به کارایی ترانزیستورها در کاربردهای مختلف، از جمله کوچک سازی، افزایش فرکانس و توان کاری، ساختارهای جدی...

در این پایان نامه بلوک مبدل dc-dc برای تگ پسیو rfid طراحی شده است. مبدل dc-dc پیشنهادی، دارای نسبت تبدیل ولتاژ بالا و سطح تراشه کوچکی می باشد. مدار پمپ شارژ با گیت کنترل شونده نوعی مبدل dc-dc است که در هر طبقه شامل یک سوئیچ انتقال شارژ nmos می باشد. برای کنترل دینامیکی ورودی سوئیچ انتقال شارژ از دو ترانزیستور nmos و pmos استفاده می شود. در حالت پایدار ترانزیستورهای سوئیچ انتقال شارژ در ناحیه زی...

سیلیسایدها توسط لایه نشانی فلز بر روی نیمرسانای سیلسیم و پخت آن بوجود می آیند. سیلیسایدها هواص فلزی دارند و در تماس با نیمرسانا اتصال شاتکی می سازند. چنانچه دیود شاتکی به این روش ساخته شود ایده آل خواهد بود. از آنجا که دیود شاتکی ptsi/si مزایای متعددی دارد این دیود شاتکی مورد مطالعه نظری و تجربی قرار گرفته است . چگونگی تشکیل لایه ptsi و محاسبه ارتفاع سد دیود شاتکی ptsi/si هدف این پروژه می باشد....

عمل جذر یکی از مهمترین عملیات محاسباتی در کامپیوتر رقمی است . در پردازنده های جدید لازم است این عمل به صورت سخت افزاری پیاده سازی شود. آزمون پذیری و قابلیت گسترش دو مساله عمده در طراحی مدارهای محاسباتی vlsi است . در این پایان نامه دو طراحی برای پیاده سازی عمل جذر با روش غیر بازیافتی با قابلیت گسترش ارائه شده است . در طرح اول با استفاده از تنها یک بلوک و در طرح دوم با کمک دو بلوک مدار جذر گیرنده...

افزایش تعداد ترانزیستور های به کار رفته در ریزپردازنده ها، باعث شده که گیت دی الکتریک دی اکسیدسیلیکون برخلاف کوچک شدن از 100 نانومتر به 2/1نانومتر نمی تواند نیاز آینده ترانزیستورها را برآورده کند. بنابراین یک جایگزین مناسب که دارای ثابت دی الکتریک بالا بوده و مشکلات دی اکسید سیلیکون مانند افزایش جریان نشتی، جریان تونل زنی و نفوذ بور را نداشته باشد لازم و ضروری است. تیتانیا یا دی اکسید تیتانیوم...

مدل جامعی برای یک خازن MOS، که به صورت یک MOSFET n- کانال نوع تخلیه ای در یک فن آوری CMOS زیر میکرونی پیاده سازی شده است، ارائه می شود. این مدل وابستگی ظرفیت خازنی به ولتاژ گیت را روی تمام گستره ولتاژ های عملیاتی منظور می کند و برازش آن به داده های اندازه گیری شده ظرفیت خازنی بر حسب ولتاژ گیت با ضریب همبستگی 99/0 مشخص می شود. با در نظر گرفتن خازن گیت و مقاومت سری مربوط به آن به صورت یک شبه RC گ...

تمام مدارات الکترونیکی غیرخطی هستند، این یک واقعیت پایه در الکترونیک است. فرض خطی بودن که زیربنای اکثر تیوری های مدرن مداری امروزی را تشکیل میدهد، در واقعیت یک نوع تقریب بشمار می آید. بعضی از مدارات مانند تقویت کننده های سیگنال کوچک در اصل به صورت ضعیف غیرخطی هستند، با این حال در مدار به صورت المان های خطی درنظر گرفته می شوند. گونه ای دیگر از مدارات مانند چندبرابر کننده های فرکانسی از این قابلی...

دیودهای شاتکی پلیمری، بر پایه پلی آنیلین آلائیده با نانوذرات سولفیدروی و با اتصال اهمی طلا و اتصال شاتکی آلومینیم که با استفاده از لایه نشانی تبخیر در خلأ بر روی نمونه ها لایه نشانی شدند، مورد تحلیل و بررسی قرار گرفت.منحنی مشخصه i-v و c-v دیودهای شاتکی پلیمری تهیه شده یک نوع رفتار یکسوکنندگی را از خود نشان دادند. از روی منحنی مشخصه ها، پارامترهای پیوندگاهاز قبیل فاکتور ایده آل، ارتفاع سد پتانسی...

ترانزیستورهای ماسفت با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق کاربرد وسیعی در صنعت الکترونیک دارند. اما وجود لایه عایق در این ساختارها باعث مشکلاتی مانند اثر بدنه شناور و اثر خودگرمایی می‌گردند. به‌منظور بالابردن عملکرد الکتریکی، در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو ارائه می‌گردد. ساختار پیشنهادی با نام QSZ-MOSFET ارائه می‌گردد که در آن چهار ناحیه سیلیسیمی در کانال و در اکسید مدفو...