چکیده: مواد آلی به دلیل کاربرد های فراوان و آماده سازی آسان، طی چند دهه ی گذشته مورد توجه دانشمندان بسیاری قرار گرفته است. مزایای این مواد باعث شده است که از آنها در ادوات الکترونیکی و الکتریکی همچون ترانزیستورها، فوتودیودها و دیودهای نور گسیل استفاده شود. در یک دیود نور گسیل آلی (oled) دو نوع ماده آلی بعنوان ماده فعال مورد استفاده قرار می گیرد که عبارتند از ملکول های کوچک و پلیمرهای نیم رسانا....

چکیده در این پروژه یک cad به منظور طراحی و بهینه سازی مدارهای مجتمع دیجیتال و rf، پیاده سازی شده است. مسأله مهم در طراحی مدارهای مجتمع (بویژه در rf) در تکنولوژی cmos، توجه به عناصر پارازیتیک ترانزیستور، خازن و سلفهای مجتمع آن است و این مسأله محاسبات دستی طراحی را پیچیده می کند. یک ویژگی مهم این روش استفاده از مدلهای دقیق عناصر و در نظر گرفتن کلیه عناصر پارازیتیک در طراحی است لذا جواب بدست آمد...

در نیمه دوم قرن بیستم جهان وارد عصر تازه ای شد. تحولات پرشتاب علمی و فن آوری در زمینه ترانزیستورها موتور محرکه این تحول بوده است. ابتدا با ورود کامپیوتر به بازار و در ادامه با تحول در حوزه اطلاعات و ارتباطات، کامپیوترها به فن آوری های ارتباطی –تلفن و تلویزیون- پیوستند و انقلاب فن آوری اطلاعات و ارتباطات به وقوع پیوست. بیشتر مطالعات در زمینه تاثیر فن آوری اطلاعات و ارتباطات (ict) بر رشد اقتصادی ...

در این پایان نامه نشان خواهیم داد که گین فعال اسیلاتور در فرکانس های موج میلی متری به ازای هر مقدار جریان، برحسب سایز ترانزیستورها و گین فیدبک اسیلاتور، بر خلاف فرکانس های پایین تر نقطه ی کمینه دارد. از طرف دیگر نشان می دهیم که ماهیت نویز ایجاد کننده نویز فاز اسیلاتور موج میلی متری، با ماهیت نویز در فرکانس های پایین تر متفاوت می باشد. این نویز بیشتر ناشی از تبدیل نویز am به pm و نویز گیت اسیلات...

امروزه پژوهش در مورد مدارهای مخابراتی با رشد انفجار گونه ی صنعت مخابرات بی سیم از توجه بسیار زیادی بهره مند شده است. یکی از مهمترین مدارها که تقریباً در تمامی فرستندها و گیرنده های رادیویی با آن مواجه هستیم، نوسان سازها هستند. نوسان سازهای کنترل شده با ولتاژ که زیرمدار مهم سنتزگرهای فرکانس می باشند در کاربردهای بی سیم، باید علاوه بر بهره مندی از تمامی قابلیت های مدارهای همکار خود در کاربردهای دی...

این پایان نامه یک تقویت کننده کم نویز در تکنولوژی tsmc 0.18µm cmos را برای کاربردهای باند فرکانسی 10-12ghz ارایه میکند. تقویت کننده کم نویز پیشنهاد شده بر پایه ساختار دو مسیره میباشد. مسیر اول شامل دو طبقه اینورتر cmos است که به صورت آبشاری به هم متصل شدهاند. نقش این مسیر فراهم آوردن بهره صاف و مناسب در باند فرکانسی مطلوب است. علاوه بر این، بخشی از تطبیق امپدانس ورودی نیز توسط طبقه ورودی این مس...

جریان خاموشی بالا و کم بودن نسبت جریان روشن به خاموش در ترانزیستور های اثر میدان مبتنی بر نانونوار گرافن، یکی از معایب و مشکلات مجتمع سازی این نوع افزاره ها است. در نتیجه بر آن شدیم تا ساختار هایی را معرفی کنیم که این مشکلات را به حداقل برسانیم. در این پایان نامه عملکرد ترانزیستور های اثر میدان مبتنی بر نانونوار گرافن و همچنین مهندسی اتصالات سورس و درین در این ترانزیستورها به منظور کاهش جریان ...

???? انی ?? ام م ?? پذیری بالا در دمای اتاق، استح ?? صفر، تحرک ?? ترون ?? گرافن خواص منحصر به فردی چون جرم ال شدن این عنصر ?? لات صنعت ?? از مش ???? دارد. ی قوی و ?? و حرارت ???? تری ?? پذیری بالا، هدایت ال ?? و انعطاف های زیادی برای ایجاد گاف انرژی قابل تنظیم برای کاربردهای ?? رسانا گاف انرژی صفر آن است. روش ?? نیم ترین ???? مورد نیاز، استفاده شده است. در این بین آلایش و تبدیل نانوصفحه به ن...

کاهش ابعاد ترانزیستورها در نسل جدید حافظه های nand flash و رهسپار شدن آن ها به سمت حوزه های طراحی نانومتر منجر به عدم صحت در برنامه ریزی و پاک کردن اطلاعات در این طراحی ها شده است؛ درنتیجه قابلیت اطمینان در ذخیره سازی به عنوان چالشی مهم در ساختار این نوع حافظه ها تبدیل شده است. جهت مقابله با چنین چالشی در کنترلر این نوع از حافظه ها، بلوکی به نام ecc تعبیه شده است که وظیفه ی اصلی آن غلبه بر نرخ ...

پیشرفت روزافزون فناوری دیجیتال، همراه با کوچک شدن ابعاد ترانزیستورها از یک سو سبب افزایش قابلیت¬های متعدد این نوع مدارها شده است و از سوی دیگر آسیب¬پذیری آن¬ها را در برابر سازوکارهای خرابی از جمله اشکال¬های گذرا بیشتر کرده است. به فرض اعمال نویز گذرا در مدارهای منطقی، برآورد احتمال بروز خطای گذرا در خروجی مدار از جمله موارد ضروری در طراحی آن¬ها به ویژه در فناوری¬های جدید مدارهای مجتمع می¬باشد. ...