بیوحسگرهای کریستال فوتونی به طور وسیع برای اندازه گیری تغییرات ضریب شکست آنالیت استفاده می شوند. معمولا در این ساختارها برای محدودکردن میدان قوی از ناحیه ای با ضریب شکست پایین مانند حفره ها استفاده می کنند که باعث حساس ساختن حسگر به تغییرات ضریب شکست حفره ها می شود. بنابراین حضور آنالیت داخل حفره ها توسط نمایش جابه جایی طیفی قابل آشکارسازی است، به خصوص اگر میکروتشدیدگر هایی با ضریب کیفیت بالا م...

در این رساله با استفاده از روش تفاضل محدود در زمان ابتدا به بررسی تأثیر خواص غیر خطی (از نوع کر) بلور فوتونی معکوس دو بعدی با شبکه های مربعی، مستطیلی و مثلثی بر میزان عبور نور از آنها می پردازیم. همچنین با ایجاد نقص دربلور با شبکه مثلثی، باند ممنوعه آن را با بلور کامل(بدون نقص) مقایسه خواهیم کرد. در ادامه میزان عبور نور از موجبرهای بلور فوتونی با شبکه های مربعی و مستطیلی را بررسی کرده ایم. از ن...

The accuracy of improved two dimensional finite difference time domain method (2D FDTD) is verified by comparing with 3D FDTD method and experimental data. The optimized 60° photonic crystal waveguide bend, used in this study as a test case, is composed of InPGaAs/InP material and air holes and TE polarization is considered. The photonic crystal waveguide bend transmission data was measured...

چکیده: در سالهای اخیر بلورهای فوتونی کاربری های زیادی پیدا کرده اند. این بلورها به دلیل دارا بودن ساختار متناوب خواص جالبی در زمینه های مختلف اپتیکی از خود نشان می دهند. علاوه بر ساختارهای متناوب، ساختارهای شبه متناوب هم خواص مشابهی از خود بروز می دهند. از جمله مهمترین ساختارهای شبه پریودیک می توان به ساختارهای فیبوناچی ،تو- مورسو دو دورهای اشاره کرد.در این پروژه خواص اپتیکی خطی و غیر خطی ساختا...

بره ها، بلورهای فوتونی دو بعدی هستند که ضخامت آن ها در جهت عمود بر صفحه تناوب محدود شده است و به دلیل مشاهده گاف فوتونی در این دسته از بلورها و امکان ساخت آن ها با فن-آوری های موجود، مورد توجه قرار گرفته اند. با ایجاد تغییر در ویژگی های ساختاری میله های دی الکتریک موجود در یک بره بلور فوتونی نقص های مختلفی حاصل می شوند. یک گونه از این نقص ها نقص خطی است که از جابجایی و تغییردر ویژگی های ساختا...

بلورهای فوتونی به دلیل قابلیت کوچک سازی، ظاهراً تنها راه دستیابی به مدارات مجتمع نوری هستند. خمش های بلور فوتونی و تقسیم کننده ها در زمینه فشرده سازی نوری ، نقش کلیدی در ارتباط با بلوک های ساختاری مختلف در تراشه های یکپارچه نوری دارند. بنابراین، بررسی انواع تقسیم کننده ها و رسیدن به تقسیم کننده هایی با تلفات کمتر و بازده بیشتر، از اهمیت خاصی برخوردار است. در این پایان نامه، ساختار بلور فوتونی د...

در این پایان نامه، ساختارهایی برای طراحی و پیاده سازی گیت های منطقی تمام نوری بر مبنای بلورهای فوتونی ارائه شده است. ساختار بلور فوتونی، از شبکه ی مربعی دوبعدی از میله های دی الکتریک در بستر هوا، تشکیل شده است. میله ها از دو ماده ی ایندیم فسفاید (inp) و ترکیب خاصی از شیشه های کالکوجناید (chalcogenide glasses) تشکیل شده است. این دو ماده، ضریب شکست یکسانی دارند، اما ضرایب اثر غیرخطی آن ها متفاوت ...

بلورهای فوتونیک مغناطیسی گروهی از بلورهای فوتونیک هستند که تحت تأثیر میدان مغناطیسی خواص مغناطواپتیکی قابل توجهی از خود نشان می دهند. در این ساختارها، علاوه بر کنترل خواص اپتیکی، قابلیت کنترل و بهبود خواص مغناطواپتیکی نیز وجود دارد. دوران فارادی یا چرخش صفحه ی قطبش امواج الکترومغناطیسی، از جمله خواص مغناطواپتیکی است که به طور گسترده ای در سیستم های مخابرات نوری کاربرد دارد. ایزولاتورهای نوری، ا...

بلورهای فونونی با توجه به پارامترهای فیزیکی و نوع آرایش شبکه آنها دارای نوارهای ممنوعه فرکانسی هستند که به این نوارها، نوار ممنوعه فونونی گفته می شود. امواج مکانیکی با فرکانس واقع در این نوار ممنوعه نمی توانند داخل بلور فونونی انتشار پیدا کنند. می توان با ایجاد نقص در یک بلور فونونی (تغییر شعاع و حذف یک میله (1l) یا سه میله(3l) و یا تغییر شکل یک میله)، درون نوار ممنوعه فونونی مدهایی را به وجود ...

در این پایاننامه، انتشار امواج الکترومغناطیسی در بلورهای فوتونی یک بعدی شامل محیط های جاذب یا تقویت کننده (بهره)، موادی با ضریب شکست مختلط ،n ?=n+i? به طور تحلیلی مطالعه شده است. روش ماتریس انتقال و شرط براگ به طور مناسب اصلاح شد ه اند. نتایج انتشار موج در یک بلور دولایه ای دی الکتریک-فلز و یک بلور جاذب سینوسی به عنوان مثال ارائه شده است. طیف انعکاسی، جذبی و تراگسیلی ساختار بلور فوتونی دی الک...