با کوچک کردن تکنولوژی بمنظور افزایش تراکم ترانزیستورها در یک تراشه و افزایش کارایی این قطعه آثار ناخواسته ای به نام آثار کانال کوتاه (مانند کاهش سد ناشی از درین، roll off ولتاژ آستانه و... ) ظاهر می شوند که کارایی افزاره را کاهش می دهند. برای کاهش این آثار کانال کوتاه ساختارهای مختلفی از جمله ماسفت soi utb ، ساختارهای عمودی، ترانزیستور مهندسی باند و ساختارهای دوگیتی و غیره توسط محققان پیشنهاد ش...

هدف از پایان نامه طراحی وساخت لیزر تار نوری فمتو ثانیه در ناحیه طول موجی 1550نانومتر است. طبق نظریه قفل بندی مدی جهت تولید تپ های فوق کوتاه دو روش کلی کنا و ناکنا وجود دارد. از آنجاییکه روش های کنا به دلیل استفاده از افزاره های الکترونیکی به عنوان مدولاتورهای amو fm دارای سرعت های کلید زنی بالایی نیستند لذا در مقایسه با روش های کنا پهنای زمانی تپ های آنها بیشتر است. دو روش قفل بندی مدی ناکنابا...

در این پایان نامه روش تحلیل و ساخت نوسان ساز rsg-mosfet مبتنی بر فناوری mos ارائه شده است. گیت در این ترانزیستور به صورت معلق روی کانال قرار دارد، و دو طرف آن مقید شده است. هدف نهایی از طراحی این افزاره، مجتمع کردن همه اجزا مورد نیاز مدار مجتمع، بر روی تراشه ای واحد است. ضریب کیفیت نوسان ساز rsg-mosfet در مقایسه با مدار lc، به مراتب بیشتر است. بنابراین نوسان ساز rsg-mosfet، را می توان به عنوان ...

در این پژوهش رفتار حامل ها به ازای تحریک نوری با کمک رابطه های بقای انرژی، اندازه حرکت و بار الکتریکی که با نام معادله هیدرودینامیک شناخته می شوند، در حالت ماندگار شبیه سازی شده است. رابطه ها برای پیوند pn از جنس سیلیسیم تشکیل شده و در آنها زمان واهلش حامل ها بر اساس تحرک پذیری میدان ضعیف، و ضریب رسانش گرمایی به صورت تابعی از رسانش الکتریکی انتخاب شده اند. برای حل معادله ها از روش تفاضل محدود، ...

امروزه فوتودیودهای با ساختار فلز-نیمه¬هادی-فلز (msm)، پیوندهای ناهمگن p-n و پیوندهای شاتکی بطور قابل ملاحظه ای برای کاربردهایی از قبیل: هشدار حریق، تشخیص آلودگی، تصفیه آب، تجهیزات پزشکی و ارتباطات مورد توجه قرار گرفته اند. فوتودیود پیوندی p-n متشکل از پیوند نیمه هادی با آلایش n- و p- بصورتی ساخته و کپسوله می شود که اجازه دهد نور تا نزدیکی پیوند متالوژیکی نفوذ کند. فوتودیودهای پیوند p-n و p-i-n ...

مفهوم اندازه گیری زمان نقش مهمی در قسمت های مختلفی از علم و فناوری چون ابزارهای اندازه گیری، فیزیک، قفل کننده های فاز دیجیتال و همچنین در دمدولاتورها و مبدل های داده ایفا می کنند. مبدل های زمان به دیجیتال که عملیات اندازه گیری و تبدیل بازه ی زمانی به خروجی دیجیتال را انجام می دهند، معمولا شامل دو بخش می شوند: بخش اول که مقدار زمان های بزرگ را اندازه گیری می کند و به طور معمول از یک شمارنده ساخت...

محدودیت های عملکرد ذاتی ترانزیستورهایsi در دماها و توان های بالا انگیزه اصلی گرایش به سمت نیمه هادی هایی با شکاف انرژی بالا نظیر sic و gan بوده است. در بسیاری از کاربردها از قبیل کاربردهای نظامی و رادار لازم است مدارهایی با قابلیت های پهن باند مورد استفاده قرار گیرند. طراحی تقویت کننده های توان با کارایی بالا مهم ترین مساله ای ایست که در طراحی فرستنده ها باید مورد توجه قرار گیرد. در سال های اخ...

تمایل بشر به افزایش مینیاتورسازی قطعات الکترونیکی، برای بدست آوردن چگالی تجمیع بالا و سرعت بیشتر باعث احساس نیاز روزافزون در حوزه آماده سازی مواد و فرآیندهای تولید قطعات شده است. پس برای رسیدن به قابلیت های بیشتر در ارتباط با افزاره های الکترونیکی نیاز به قطعاتی داریم که دارای ویژگی های زیر باشند: 1- دارای قابلیت مجتمع سازی با چگالی بالاتر 2-سرعت پردازش بالاتر 3-مصرف توان کمتر در این راستا ...

ترانزیستورهای دوقطبی (bjt ها) هم اکنون در بسیاری از کاربردهای دیجیتال و ریزموجها به عنوان انتخاب اول محسوب می شوند و نقش بسیار مهمی در مداراهای آنالوگ ایفا می کنند. در فناوری bicmos ترانزیستورهای دوقطبی در کنار ترانزیستورهای mosfet ساخته می شوند. قابلیت جریان بالا و بهره زیاد، برتری این ترانزیستورها نسبت به ترانزیستورهای اثر میدان است. بهره جریان امیتر مشترک (?) ترانزیستورهای دوقطبی یکی از مهمت...

در این پایان نامه، با استفاده از بلور های فوتونی دوبعدی، نحوه طراحی و دست یابی به یکی از اساسی ترین عناصر مدارهای مجتمع نوری یعنی دی مالتی پلکسر تمام نوری بررسی شده است. هدف از این طراحی ها، دستیابی به ساختارهای دی-مالتی پلکسر با مشخصات زیر بوده است: راندمان زیاد انتقال توان در خروجی ها، هم شنوایی کم بین کانال های خروجی، تفکیک پذیری طیفی بالا، ضریب کیفیت زیاد برای هر کانال خروجی، تعداد کانال ها...