ترانزیستورهای لایه نازک پلی سیلسیمی (poly-si tft) در سال های اخیر، به جهت کاربردهای آنها در نمایشگرهای کریستال مایع ماتریسی فعال amlcd) ها) بطور گسترده ای مورد تحقیق و مطالعه قرارگرفته اند. برای این کاربردها، poly-si tft های با مقیاس پایین ،کارآیی خوب و قابلیت اطمینان بالا مورد نیاز است. یکی از مشکلات poly-si tft ها بزرگ بودن جریان نشتی آنها و نیز بالا بودن میدان الکتریکی افقی نزدیک درین، بدلیل...

در سال های اخیر با پیشرفت تکنولوژی و افزایش محصولات الکترونیکی قابل حمل، مدارهایی توان پایین با مساحت کوچکتر مورد نیاز هستند. دانشمندان به دنبال دستیابی به ساختارهایی هستند که بتواند محاسبات پیچیده ریاضی را که اساس عملکرد هر سیستم الکترونیکی است با مصرف کمترین توان انجام دهد. در سال¬های اخیر، طراحی وساخت گیت¬های مبتنی برمنطق برگشت¬پذیر به عنوان یک تکنولوژی جدید که کاربردهایی در سیستم¬های توان پ...

در این پایان نامه به مدل سازی اثرات کانال کوتاه در ماسفت های دوگیتی با گیت دو ماده ای پرداخته شده است. یک مدل دو بعدی برای پتانسیل کانال با استفاده از ترکیبی از روش های مد ناپایدار و روش تقریب چند جمله ای استخراج شده است. با استفاده از روش مد ناپایدار پتانسیل کانال به صورت مجموع پتانسیل یک بعدی برای حالت کانال بلند و تغییرات دو بعدی پتانسیل برای در نظر گرفتن کوتاه شدن کانال بیان شده است. تغییرا...

رشد فزاینده ی تعداد قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهای اثر میدانی که به ماسفت معروف هستند در هر تراشه که به ازای هر 18 ماه مطابق قانون مور[1] به دو برابر می رسد و نیز کاهش تابع نمایی اندازه ی این قطعات باعث شده است تا اکسیدهای فرانازک سیلیکونی که به عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی امروزی هستند کارآیی قابل قبولی را در قطعات نداشته باشد و باعث از دست رفتن کنترل جریان در چاه نانو تر...

همسانه­سازی قطعه dna موردنظر داخل یک ناقل پلاسمیدی، یکی از مراحل تکنولوژی dna نوترکیب است. در روش­های معمول برای همسانه­سازی به آنزیم لیگاز و آنزیم­های برشی نیاز است که با محدودیت­هایی مواجه هستند. راه­کارهای متعددی برای ایجاد و اتصال دو قطعه dna مستقل بدون استفاده از آنزیم لیگاز توسعه یافته­اند که از موفق­ترین آن­ها فناوری­های گیت­وی و یوزرفرندلی هستند. فناوری گیت وی روشی سریع و مؤثر برای همسا...

دراین پایان نامه یک ترانزیستور فلز – نیمه هادی (مسفت ) بر روی عایق با ساختاری نوین پیشنهاد شدهاست. تلاش ها در راستای کاهش تجمع میدان الکتریکی در لبه ی گیت در طرف درین بوده است. توزیع بار در ساختار پیشنهادی نسبت به ساختار مرسوم در کانال بهبود نسبی یافته و این امر به وسیله کاهش تجمع میدان الکتریکی در لبه ی گیت در جانب درین رخ داده است، در نتیجه ولتاژ شکست به شکل ملموسی بهبود یافته است. به منظور ک...

تقویت کننده های توزیع شده دارای بهره مسطح و تطبیق امپدانس خوب ورودی و خروجی در یک پهنای باند فرکانسی وسیع هستند. این تقویت کننده ها توانایی انتقال داده را در طیف وسیعی از باند فرکانسی با میزان بالای اطلاعات را دارا می باشند. در این پایان نامه ابتدا یک تقویت کننده تفاضلی cmos توزیع شده که ترکیبی از توپولوژیهای cascode و cascade می باشد برای کاربردهای uwb در تکنولوژی 0.13µm cmos ارائه شده است. م...

امروزه با کاهش ابعاد تراشه¬ها به مقادیر نانو متری، حساسیت مدار¬های دیجیتال نسبت به اشکال¬های تک رخداد گذرا افزایش پیدا کرده است. این رخداد¬ها چالشی جدی برای قابلیت اطمینان سیستم به شمار می¬روند. بنابراین طراحی سامانه¬های تحمل پذیر در برابر خطای نرم از اهمیت روز افزونی برخوردار است. هدف این پایان¬نامه بررسی و جبران خطای نرم در مدار¬های دیجیتال ( شامل مدارات منطقی (ترکیبی و ترتیبی) و عناصر حافظه)...

در این پایان نامه نقش شدت نور بر روی رابطه پراکندگی فراماده هذلولی بررسی می شود. با استفاده از اثر غیرخطی کر در طلا و گرافن سه نوع سوئیچ تمام نوری طراحی خواهد شد. در ضمن با استفاده از قابلیت تنظیم پذیری پتانسیل شیمیایی گرافن از طریق اعمال بایاس خارجی یک سوئیچ الکترو-نوری نیز طراحی می شود. عمل کرد این افزاره ها برخلاف افزاره هایی ای که تاکنون ارائه شده است به زاویه تابش وابستگی ندارد. در ضمن ساخ...

با کوچک شدن اندازه ترانزیستورهای اثر میدانی فلز- اکسید- نیمه رسانا (mosfet) مشکلاتی نظیر افزایش جریان نشتی، تونلی و نفوذ اتم های بور از گیت دی الکتریک بازدهی آن ها را کاهش داده است. حل این مشکلات نیازمند نانوترانزیستورهایی با گیت دی الکتریک با ثابت دی الکتریک (k) بالا به جای گیت دی-الکتریک امروزی، اکسید سیلیکون (2sio) می باشد. در این پژوهش، با سنتز و بررسی ویژگی های الکتریکی و نانوساختاری نانوک...