حلالهای آروماتیک حاوی نمکهای ان بوتیل آمین دارای پایداری ترموشیمیایی کافی،پتانسیل پلاریزاسیون گسترده،نقطه جوش بالا و ضریب دی الکتریک قابل قبول برای پوشش دادن الکترولیتی یونهای فلزی فعال هستند. در این مقاله سینتیک جوانه زنی و رشد رسوب لایه نازک فلزی از کمپلکس ان بوتیل آمین حاوی فلز مس در محلول پایه نفتالین به شیوه ولتامتری چرخه ای ، کرنوآمپرمتری و بیناب نگاری امپدانس الکتروشیمیایی بررسی شده است....

در چند دهه گذشته، به دلیل استفاده از مشددهای دی الکتریکِ سرامیکی صنایع مخابراتی بالاخص ارتباطات بی سیم دچار تغییرات اساسی شده است. مشددهای دی الکتریکی به عنوان رزوناتور،باید دارای ضریب دی الکتریک بالا به منظور تسهیل در کوچک تر کردن مدارات الکترونیکی، مقادیر فاکتور کیفیت بالا به منظور به گزینی فرکانسی آن ها و ضریب دمایی فرکانس رزونانس نزدیک به صفر به منظور پایداری فرکانس در برابر دماباشند.اخیرا ب...

در این پژوهش، به ساخت و بررسی تخلیه سد دی الکتریک میکرومتری در فشار اتمسفری پرداخته شده است. بدین منظور به صورت کلی پلاسمای اتمسفری معرفی و سپس میکروتخلیه های فشار اتمسفری که در طبقه پلاسماهای اتمسفری غیر حرارتی قرار دارند بررسی شده است. از میان میکروپلاسماها، ویژگی-ها،مبانی فیزیکی وشرایط ارائه میکروتخلیه های کاتد با حفره میکرومتری (mhcd) در فشار اتمسفری بررسی شده است. در ادامه روند ساخت سیستم ...

در این مقاله به ارائۀ یک حسگرِ نانوجابه­جایی بر مبنای بلورِ فوتونی دو بعدی با ساختارِ مثلّثی متشکّل از حفره­های هوا داخل مادّۀ دی الکتریک می­پردازیم. این حسگر از دو قطعه بلورِ فوتونی تشکیل شده که یکی از آن ها ثابت و قطعۀ دیگر در راستای افقی حرکت می­کند. شدّتِ نورِ آشکار شده توسّطِ آشکارساز در این ساختار تابعی از جابه­جایی بین دو قطعه است. در این حسگر ضریب کیفیّتِ کاواک برابر45000 و حساسیّتِ حسگر 54/2 در محدودۀ...

امروزه نانوساختار تیتانات باریم-استرانسیم به دلیل خواص فروالکتریک و ثابت دی الکتریک بالا مورد توجه بسیاری از محققان قرار گرفته است. هدف از این پژوهش، سنتز نانو پودر های دی الکتریک تیتانات باریم استرانسیم به روش سل- ژل می باشد. بدین منظور دو ترکیب مختلف ba0.7sr0.3tio3 وba0.5sr0.5tio3 از تیتانات باریم استرانسیم با استفاده از مواد اولیه، استات باریم، استات استرانسیم، ایزوپروپوکسید تیتانیم، استیل ا...

با توجه به کاربرد وسیع شناساگر های مواد و همچنین با توجه به تفاوت خصوصیات دی الکتریک مواد، در این تحقیق به بررسی خصوصیات ثابت دی الکتریک و روشهای استاندارد اندازه گیری آن برای جامدات و مایعات و به صورت خاص گازها پرداختیم. در مورد جامدات و مایعات روشهای کاربردی زیادی وجود دارند که با دقت بسیار بالا ثابت دی الکتریک را اندازه گیری می کنند اما از آنجاکه گازهای مخلوط در هوا و بسیاری بخارات دیگر گازی...

اندازه گیری های گذردهی نسبی مخلوط های دوتایی (1و2- بوتان دی ال + 1و4- دی اکسان)، (2- اتیل- 1- هگزانول + 1و4- دی اکسان) و (1و2- بوتان دی ال + 2- اتیل- 1- هگزانول) برای غلظت های مختلف در دماهای 2/293، 2/298، 2/308 و 2/318 کلوین انجام شد. ممان دوقطبی های مولکولی بوسیله ی روش گوگن هایم- دبای در محدوده ی دمایی 2/293 تا 2/318 کلوین تعیین شدند. تغییرات ممان دو قطبی موثر و فاکتور همبستگی بر حسب کسر مول...

یکی از میکروسکوپ هایی که در حوزه ی نانومتری به کار برده می شود میکروسکوپ نوری روبشی میدان نزدیک است. تفکیک پذیری میکروسکوپ های معمولی در ابعاد طول موج نور است در حالیکه این میکروسکوپ ها با استفاده از میدان نزدیک، تفکیک پذیری کمتر از طول موج را امکانپذیر می سازند. در این پایان نامه، نوک کاوه ی میکروسکوپ با یک کره ی دی الکتریک تقریب زده شده و تصویر به دست آمده از توپوگرافی سطح در حالت های مختلف م...

در مقالۀ حاضر بلور فوتونی سه گانه یک بعدی جدیدی معرفی و وابستگی آن نسبت به دما در دو ضخامت مختلف و پهنای شکاف باند در دمای ثابت با تغییرزاویۀ تابش پرتو بررسی شده است. ترکیب دو دی الکتریک و با دو بلورمایع  و  به صورت جداگانه بلور فوتونی پیشنهادی در این مقاله هستند که نشان می دهد پهنای شکاف باند با افزایش دما افزایش می یابدو با افزایش زاویۀ تابش پرتو پهنای شکاف باند بلور فوتونی در دمای ثابت علاوه...