توابع وانیر، نمایش موضعی حالت پایه ی یک سیستم الکترونی در فضای حقیقی هستند و از طریق تبدیل فوریه از توابع بلاخ به دست می آیند.با توجه به طبیعت جایگزیده توابع وانیر، این توابع ابزار مناسبی برای بررسی پدیده های الکترونی موضعی از قبیل مغناطش اربیتالی، قطبش الکتریکی، ترابرد الکتریکی، انتقال بار بین جایگاه های مختلف سیستم و همچنین توصیف پیوندهای شیمیایی می باشند. توابع وانیر می توانند به عنوان مجمو...

هدف از اجرای این پروژه بررسی خواص الکترونیکی گرافین و دو نوع از نانوروبان های گرافینی است. محاسبات بر پایه نظریه تابعی چگالی و شبه پتانسیل با استفاده از نرم افزار siesta انجام گردیده است. نتایج بدست آمده از ساختار نواری و چگالی حالت ها، نشان می دهد گرافین شبه فلز یا نیمه رسانایی با گاف صفر است. اختلاف انرژی مستقیم محاسبه شده در تحقیق حاضر با استفاده از ساختار نواری از گاما به گاما حدود 44/11 ال...

در این پژوهش، پس از معرفی و بیان خصوصیات سیلیکون متخلخل و بلورهای فوتونی، عوامل موثر بر گاف نواری بلور فوتونی سیلیکون نانومتخلخل یک بعدی بررسی شده است. علاوه بر آن نشان داده شده است که با ایجاد یک نقص در ساختار بلور فوتونی، در گاف نواری آن، یک یا چند مُد نقص ایجاد می شود که در عمل از اهمیت بالایی برخوردار است. در ادامه عوامل موثر بر موقعیت، تعداد و ضریب کیفیت مُدهای نقص مورد بررسی قرار گرفته است....

در این پژوهش خواص الکترونیکی و اپتیکی بلورهای bi0.5na0.5tio3 (bnt)، bi0.5na0.5ti0.5zr0.5o3 (bntz) و bi0.5na0.5zro3 (bnz) در فاز تتراگونال مورد بررسی قرار گرفت. از جمله ی این خواص می توان به چگالی ابر الکترونی، ساختار نواری، چگالی حالت ها و خواص دی الکتریک، هدایت اپتیکی، بازتابندگی، ضریب شکست و ضریب خاموشی اشاره کرد. محاسبات با تقریب شیب تعمیم یافته (gga) در چارچوب نظریه ی تابعی چگالی (dft) انجا...

در این پایان نامه خواص الکترونیکی، فونونی و ترموالکتریکی ترکیبات (r=gd, tb, dy)rmno3 با استفاده از محاسبات اصول اولیه مطالعه شده است. خواص الکترونیکی شامل: ساختار نواری، گاف انرژی و چگالی حالت ها با تقریب های gga،lda+u و gga+uدر چهارچوب نظریه تابعی چگالی (dft) انجام شده است. با مقایسه مقادیر گاف نواری اسپین بالا و پایین به این نتیجه می-رسیم که این ترکیبات در حالت اسپین بالا با داشتن گاف نواری ک...

نانوذرات cds آلائیده با آهن ( cds:fe ) به روش سنتز شیمیایی مرطوب در حلال آبی تهیه شده اند و از تیوگلیسرول (tg) به عنوان عامل پوششی استفاده شده است.اندازه نانوذرات محاسبه شده به روش پراش پرتو ایکس و روش اپتیکی در حدود 5-3 نانومتر می باشد. الگوی طرح پراش اشعه ایکس فاز کریستالی هگزاگونال را نشان می دهد. نتایج حاصل از طیف جذب uv نشان می دهد که آلائیدگی گاف نواری را بزرگتر کرده است، که این امر بیانگ...

چکیده ندارد.

در این مطالعه ویژگی­ های ساختاری از جمله ثابت­ های شبکه، مدول حجمی و الکترونی ترکیب ­های (X=S,Se,Te) AgGaX2 وCuSbX2 (X=S,Se,Te) در حالت انبوه در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و روش موج­ های  تخت بهبود یافتۀ خطی با پتانسیل کامل (FP-LAPW) با استفاده از نرم ­افزار Wien2k محاسبه شده است. هم­چنین برای بررسی ویژگی­های الکترونی این ترکیب­ ها، چگالی حالت­ های کل، ساختار نواری، چگال...

چاههای کوانتومی کاربرد وسیعی در ابزار الکترونیکی مانند ترانزیستورها و صنایع اپتوالکترونیکی مانند لیزرهای نیمرسانا و آشکارسازهای مادون قرمز دارند. مطالعه و بررسی اثر میدانهای خارجی مانند میدان لیزری قوی بر روی چاههای کوانتومی دارای اهمیت فراوانی می باشد. در این پایان نامه اثر میدان لیزری را بر روی خواص نوری چاههای کوانتومی نیمه سهموی و سهموی gaas و چاههای کوانتومی کرنشی ingan/algan بررسی خواهیم ...

نتیجه گیری در این پروژه، در زمینه ی نظری، خواص الکترونیکی، اپتیکی و ترموالکتریکی cosb3و mco4sb12 (m=la, tl, y) مطالعه شده است. قرار دادن اتم های y ، la و tl در تهیجاهای شبکه ای آنتیموان کبالت باعث گسترش شبکه بلوری این ترکیب می شود. که افزایش پارامترهای شبکه، خواص الکترونیکی را به شدت تغییر می دهد. رفتار پیوندها در این ترکیب مربوط به دو نوع پیوند متفاوت در آن است، که یکی مربوط به پیوند قوی بین...