گرافین، نامزد مناسبی برای نانوالکترونیک مدرن است. از آن جا که در گرافین نوار رسانش و ظرفیت با هم در تماس هستند، در نتیجه گرافین شبه فلزی با گاف انرژی صفر خواهد بود. برای به کارگیری گرافین در صنعت الکترونیک، نیاز است که گاف انرژی در نوار انرژی آن ایجاد گردد. در واقع گاف انرژی معیاری از ولتاژ آستانه و نرخ خاموش-روشن شدن در ترانزیستورهای اثر میدانی است. در سال های اخیر روش های گوناگونی برای ایجاد ...

در مقاله حاضر، با استفاده از نظریه تابعی چگالی به بررسی اصول اولیه تأثیر آرایش دهی نانولوله کربنی (0و8) توسط اتم نیکل بر خواص حسگری آن در معرض مولکول متان پرداخته شده است. ابتدا تأثیر جذب متان بر نانولوله های خالص بررسی شده و نشان داده شده است که در غیاب نیکل، این نانولوله ها حسگر ضعیفی با انرژی جذب بسیار کم برای گاز متان هستند. سپس به بررسی جذب مولکول متان بر نانولوله کربنی (0و8) آرایش یافته ب...

ترکیبات pbse و pbs نیمرساناهایی با گاف نواری باریک می باشند و به صورت تجاری مورد استفاده قرار می گیرند. نقاط کوانتومی نیمرسانای iv-vi مثل pbse به علت شعاع بوهر بزرگ شان، محبوس شدگی کوانتومی قوی و خواص نوری منحصربه فردی دارند. به همین دلیل، این ماده برای کاربرد در حوزه های مختلف نوری و الکتریکی، از جمله ساخت ادوات فوتونیکی مثل آشکارسازهای نوری، مناسب است. با توجه به اینکه خواص نوری این نانوبلوره...

خواص ساختاری الکترونی بلور کلسیم سولفید با استفاده از روش fp-lapw محاسبه شده است. برای انجام محاسبات از تقریبهای چگالی موضعی (lda) و شیب تعمیم یافته (gga) برای جمله تبادلی همبستگی استفاده شده است. خواص ساختاری حالت زمینه برای فازهای اول (ساختار نمک طعام) و دوم (ساختار کلرید سزیم) بررسی شد. مقادیر بدست آمده از جمله پارامتر تعادلی شبکه, مدول تراکمی, مشتق مدول تراکمی نسبت به فشار و فشار گذار, سازگ...

در این مقاله ویژگی های ساختاری و  الکترونی ازجمله  ثابت شبکه، مدول حجمی، تراکم پذیری،بهینه سازی حجم ، ساختار نوارهای انرژی، چگالی حالت ها و چگالی ابرالکترونی نیم رسانای منیزیم سلنید (mgse) درفازهگزاگونال برای ساختارb4 مورد بررسی قرار می گیرد. محاسبه ها بااستفاده ازروش امواجتخت تقویت شدۀخطیباپتانسیل کامل، درچارچوبنظریۀتابعیچگالی (dft) وبااستفادهازنرمافزار wien2kصورتگرفت.نتیجه هایبه دستآمدهیک گاف...

نتایج بدست آمده نشان می دهند که اکسید ایندییم با داشتن گاف انرژی به اندازه ev 24/3 یک اکسید نیم رسانای شفّاف است. افزودن آلاینده کروم به آن باعث شد که این ترکیب نیم رسانای نوع شود و گاف انرژی به اندازه ی ev 01/4 تغییر پیدا کند و برای آلاینده روی، نوع و گاف انرژی ev 29/3 شود. ضرایب شکست استاتیکی و برابر 2 و برابر 9365/1 برای اکسید ایندییم خالص بدست آمد و افزودن آلایش های فوق برای نوع و به ترتیب ا...

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

در این پژوهش خواص الکترونیکی شامل: ساختار نواری، گاف انرژی، چگالی حالت ها وچگالی ابر الکترونی، و نیز خواص اپتیکی از جمله: ضریب شکست، ضریب خاموشی، هدایت اپتیکی و تانسور دی الکتریک فازهای مختلف بلور mgsio3با تقارن های pbca ، pnma و cmcm محاسبه شده است. محاسبات با تقریب شیب تعمیم یافته (gga) در چهارچوب نظریه ی تابعی چگالی(dft) انجام شده است. به طور کلّی محاسبات کار حاضر نشان می دهد، با افزایش فشار...

سابقه و هدف: بیس پلیت های غیرفیبرکربنی (به عنوان وسیله کمک درمانی) که در رادیوتراپی بعضی از نواحی به ویژه در درمان سرطان پستان استفاده می شوند، به دلیل ایجاد پرتوهای پراکنده می تواند در میزان دز نواحی سطحی بدن و پوست تاثیرگذار باشد. اخیراً با استفاده از فیلم گاف کرومیک نتایج خوبی در دزیمتری پوست به دست آمده است. هدف از این مطالعه برآورد میزان تغییرات دز پوست در به کارگیری بیس پلیت های غیر فیبر ک...