با استفاده از محاسبات اصول اولیة ساختار الکترونی در چارچوب نظریة تابعی چگالی، ویژگی‌های الکترونی، مغناطیسی و پایداری ساختاری ترکیبات نیم‌هویسلر d0-d جدید XYBi (X=K, Rb; Y=Sc, Ti, V, Cr) مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان می‌دهد که ۶ مورد از این ترکیبات شاملKCrBi ،RbVBi ،KVBi ،RbTiBi ،KTiBi و RbCrBi فرومغناطیس‌های نیم-فلزی می‌باشند. گاف انرژی نیم‌فلزی این ترکیبات در محدودة ۴۶/۰ تا ۷۱/۰ الکترون‌ولت...

در این تحقیق نانوذرات (x=0.5, 0.8) Cd1-xZnxS به کمک تابش ماکروویو تهیه شدند. خواص ساختاری نانوذرات با استفاده از پراش پرتو ایکس و (FTIR) و (EDAX) مورد بررسی قرار گرفت. نتایج بررسی هایXRD نشان می دهد که ساختار بلوری نانوذراتCd0.5Zn0.5S از نوع مکعبی و نانوذرات Cd0.2Zn0.8S از نوع هگزاگونال می باشد و کوچکتر شدن اندازه بلورک ها وارد شدن Zn در شبکه را گزارش میدهد. طیف سنجی EDAX مقدار واقعی نمونه ها ر...

در این پژوهش به بررسی خواص الکترونی نانولوله نیترید بور تک دیواره نوع زیگ-زاگ در شرایط فیزیکی مختلف از جمله در حضور ناخالصی پرداخته ایم. محاسبات عددی ما مبتنی بر هامیلتونی تنگ بست، نظریه ی تابع گرین و فرمول بندی لانداور می باشد. عنصر کربن ناخالصی است که به ساختار نانولوله اضافه کرده ایم. نتایج ما نشان می دهد که نانولوله نیترید بور خالص یک عایق با گاف نواری حدود 5 الکترون ولت است و اندازه این گا...

بلورهای فوتونی ساختارهای دی الکتریک متناوب هستند که بطور مصنوعی ساخته می شوند و در تشابه با نیمه هادی ها دارای یک ناحیه ی ممنوعه ی فرکانسی می باشند. انتشار امواج در این ناحیه که به گاف نواری فوتونی معروف است ممنوع می باشد. همانطور که در بلورهای معمولی، تناوب پتانسیل شبکه باعث ایجاد باندهای مجاز و ممنوع انرژی برای الکترونهای سیستم می شود، در بلورهای فوتونی نیز تناوب در مواد دی الکتریک و ضریب شکس...

دیودهای نورگسیل پلیمری (pleds) به طورکلی از چند لایه ی آلی پلیمری تشکیل شده اند که روی هم قرار گرفته و با اعمال ولتاژ به آنها، می توان از آنها نور گرفت. این منابع نوری ویژگی های منحصربه فردی دارند که همین ویژگی ها منجر به کاربردهای مختلف آنها شده است. مهم ترین کاربرد این منابع استفاده از آنها در ساخت صفحه نمایش هاست. صفحه نمایش های ساخته شده از این قطعات، در ولتاژهای پایین کار می کنند، می توانن...

لایه های نازک سلنید روی با روش ساده ی رسوب گیری از حمام شیمیایی ساخته شده اند. طرح پراش اشعه x نشان می دهد که محصولات در فاز مکعبی مرکز وجهی سلنید روی تشکیل شده اند. نمونه ها با طیف جذبی برای تعیین گاف انرژی و sem مورد آنالیز قرار گرفته شده اند. نتایج نشان می دهد دمای رسوب گیری نقش پراهمیتی را در فرایند دارد. دیگر پارامترهای تهیه مانند ph و زمان رسوب گیری روی ریخت شناسی و بندگپ انرژی تاثیر دارد...

در بخش اول این تحقیق خواص ساختاری و الکترونی آدامانتان در فاز گاز و همچنین در فاز جامد با روش تابعیت چگالی مورد بررسی قرار گرفت و با یکدیگر مقایسه گردید. سپس یک تا چهار اتم هیدروژن موجود در یک مولکول آدامانتان با سدیم جانشین شد و خواص ساختاری و الکترونی آن ها بررسی گردید. نتایج به دست آمده نشان داد که جانشینی هیدروژن با سدیم باعث کاهش گاف نواری در این ترکیب می گردد. مقایسه نتایج فاز جامد و فاز ...

در این پژوهش خواص الکترونیکی و اپتیکی بلور cdte در دو فاز مکعبی و هگزاگونال و بلور cds در فاز هگزاگونال با استفاده از اصول اولیه و روش تابعی چگالی محاسبه شده است. نتایج بدست آمده یک گاف نواری مستقیم در امتداد در منطقه اول بریلوئن به اندازه ev 6/0 برای فاز مکعبی بلور cdte وev 8/0 برای فاز هگزاگونال بلور cdte وev 2/1 برای هگزاگونال بلور cds را نشان می دهد. در فاز مکعبی بلور cdte مشاهده می شود ...

بلورهای فوتونی ساختارهای منحصر به فردی هستند که قادرند نحوه¬ی انتشار نور را تنظیم کنند. گاف فوتونی تحت تاثیر عوامل مختلف از جمله زاویه تابشی قرار دارد. با توجه به پیشرفت¬های اخیر در عرصه مخابرات و ارتباطات نوری، انتشار پالس با سرعت¬های فرانوری موضوعی است که توجه بسیاری از اذهان را به خود جلب کرده است یکی از محیط¬هایی که بتوان به سرعت¬های فرانوری دست یافت، بلورهای فوتونی است. هارتمن در سال 1962 ...

در این پایان نامه یک مدار مرجع ولتاژ پایین با توان پایین ارایه گردیده است. در مدار مرجع پیشنهادی تمامی ترانزیستورهای mos در ناحیه زیرآستانه بایاس گردیده اند. در ساختار مدار برای کاهش حجم اشغالی بر روی ویفر و همچنین کاهش توان تلفاتی، از مقاومت استفاده نشده است، برای سازگاری بیشتر با تکنولوژی cmos و جلوگیری از پیچیدگی مراحل ساخت، در مدار فقط از ترانزیستور mos استفاده گردیده است. این مدار شامل سه ...