یافتن روشی مناسب برای ذخیره سازی مقدار زیادی گاز هیدروژن و با ایمنی لازم  برای استفاده در خودروها و سایر تجهیزات همچنان توجه مراکز پژوهشی انرژی و محیط زیست را به خود جلب نموده است. در این پژوهش با انجام شبیه سازی دینامیک ملکولی (md) میزان هیدروژن جذب شده در سیستم نانو ذرات  feti و نانو لوله ها کربنی تک لایه (swnt) در محدوده دمایی 100-60 کلوین، با محاسبه مقدار جذب هیدروژن (θ)، آنتالپی جذب (q) و ...

فرایندهای اکسیداسیون پیشرفته، منجر به تولید رادیکال های بسیار فعال هیدروکسیل می شوند که این رادیکال ها، پتانسیل بالایی برای اکسیداسیون ترکیبات آلی دارند. یکی از این فرایندها، فنتون است که در آن، یون آهن به عنوان کاتالیست، در یک محیط اسیدی با اکسیدان وارد واکنش شده و تولید رادیکال هیدروکسیل می نماید. این واکنش از نوع واکنش های اکسایش- احیا بوده که یون فلزی، انتقال یک الکترون را می پذیرد. کارایی ...

چکیده ندارد.

سابقه و هدف: انتشار سولفید هیدروژن (یک گاز بدبو و سمی) به اتمسفر به‎دلیل تأثیرات خطرناک بالقوه بر سلامت انسان، یک نگرانی در زمینه سلامت عمومی است؛ بنابراین، حذف سولفید هیدروژن از جریان هوای آلوده لازم است. در این مطالعه، عملکرد بیوفیلتری با بستر مخلوط فوم پلی اورتان و فیبر نخل در حذف سولفید هیدروژن ارزیابی شده است. مواد و روش ها: جریان هوای حاوی سولفید هیدروژن با دبی برابرl/min 6/6 و زمان ماند ...

استفاده از تکنولوژی غشایی یکی از مناسب‌ترین روش‌ها برای فرآیند‌های جداسازی از جمله برای جداسازی گازها می‌باشد. با توجه به وقت و هزینه‌های زیاد مطالعات آزمایشگاهی، دینامیک سیالات محاسباتی[1] می‌تواند پیش بینی خوبی از رفتار سیال بدون انجام آزمایش داشته باشد. در این پژوهش، فرآیند جداسازی مخلوط گازی هیدروژن و نیتروژن توسط غشاء پالادیم-نقره بر پایه سرامیکی در یک مدول لوله‌ای تو...

در این پژوهش، تولید هیدروژن با استفاده از فرآیند ریفرمینگ بخار با متان بررسی ‌شده است. هیدروژن، به‌دلیل کاربردهای وسیع و نقش مهمش در آینده به‌‏عنوان سوخت، ماده‏ای ارزشمند است. ریفرمینگ بخار با متان از رایج‌ترین و مهم‌ترین فرآیندهای تولید هیدروژن است که در دماهای C°900-700 در صنایع مختلف انجام می‏شود. دمای بالای فرآیند مشکلاتی مانند سینترینگ کاتالیست، افزایش هزینه‌ها، تشکیل کک روی کاتالیست و افز...

در این مقاله با استفاده از نظریه تابعی چگالی حالت های جایگزیده در ناحیه گاف انرژی نانوساختارهای بی نظم سیلیکون مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته است. همچنین اهمیت اثر واهلش مکان اتم ها در تغییر گاف انرژی نشان داده شده است. با حذف 2% از اتم های سیلیکون با پیوندهای ضعیف و اضافه کردن هیدروژن به منظور از بین بردن پیوندهای آویزان، موفق به حذف این جایگزیدگی ها و افزایش گاف انرژی a-si شدیم. میزان افزایش ...