زمینه و هدف: مطالعات اخیر پیشنهاد می کنند که عصاره تمبر هندی باعث سرکوب التهاب و کاهش آسیب ناشی از استرس اکسیداتیو می شود. در این مطالعه ما تلاش کردیم، ارتباط بین اثر پیش تغذیه عصاره تمبرهندی بر میزان نفوذپذیری سد خونی- مغزی و میزان بروز ادم مغزی را در مدل سکته مغزی رت مشخص کنیم. روش بررسی: در این مطالعه تجربی 70 سر موش نر از نژاد ویستار به 10 گروه تقسیم شدند. گروه کنترل آب مقطر دریافت می کردند...

هدف: پتانسیل برانگیخته بینایی (VEP) ابزاری پرکاربرد برای مطالعه عمل‌کرد مسیرهای بینایی است. در مطالعه حاضر محتوای فرکانسی VEP و اثر القای دمیلیناسیون در کیاسمای بینایی بر آن در موش‌های صحرایی بررسی می‌شود. مواد و روش‌ها: پتانسیل برانگیخته بینایی 61 موش صحرایی سالم در شرایط کاملاً یکسان ثبت و تأخیر امواج سیگنال میانگین بررسی شد؛ سپس VEP با تبدیل فوریه به فضای فرکانس منتقل و محتوای فرکانسی آن ارزی...

زمینه و هدف: سامانه ترکیبی بیولوژیک، جذب سطحی، تبادل یونی یک فرآیند جدید در عملیات تصفیه آب و پساب بوده که در آن با استفاده از فرآیند جذب سطحی در بسترهای شن سیلیسی و کربن اکتیو و نیز فرآیند تبادل یونی در بستررزینی (رزین های ژل تراوا) آلاینده های موجود در پساب ها به گونه ای کاهش یافته که قابلیت استفاده مجدد را داشته باشند. در این تحقیق عملکرد سیستم یاد شده در تصفیه پساب نیروگاه نیشابور مورد بررس...

روش قطبش القایی طیفی(SIP)به عنوان یک روش ژئوفیزیکی، نقش مهمی در زمینه‌ی اکتشافات زیرسطحی از جمله هیدروژئوفیزیک، مسائل زیست‌محیطی، باستان‌شناسی و غیره دارد؛ با این وجود کاربرد این روش با محدودیت‌های جدی به دلیل اثر جفت‌شدگی الکترومغناطیس روبرو شده است. این اثر به دلیل القای جریان الکتریکی متناوب از طریق کابل جریان متصل به زمین رسانای الکتریکی است. این اثر القایی باعث تغییر پتانسیل الکتریکی ثبت‌ش...

در این مقاله، اثرات پراکندگی وابسته به اسپین بر روی خواص ترابرد الکتریکی و درهم تنیدگی الکترون ها، مانند جریان الکتریکی، رسانش الکتریکی، عامل فانو، نوفه شلیکی و درجه درهم تنیدگی، را در یک سیستم مزوسکوپیکی مانند سیم های کوانتمی متصل به دو الکترود نیمه بی نهایت ایده ال بررسی می کنیم. محاسباتمان مبتنی بر روش ماتریس انتقال در تقریب جرم مؤثر می باشد. با استفاده از فرمول بندی لاندائور و ضریب عبوردهی،...

در این مقاله یک ساختار جدیدی از ترانزیستور دو گیتی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق پیشنهاد شده است. در این تکنولوژی، اکسید مدفون به عنوان یک لایه عایق نسبت به سیلیسیم، هدایت گرمایی پایین تری دارد که باعث بروز مشکلاتی برای ماسفت های در مقیاس نانو می گردد. در این مقاله یک پنجره سیلیسیمی زیر ناحیه کانال جایگزین قسمتی از اکسید مدفون می گردد تا باعث کاهش ماکزیمم دمای افزاره گردد زیرا قابلیت انتقال حرار...

دراین پایان نامه یک ترانزیستور فلز – نیمه هادی (مسفت ) بر روی عایق با ساختاری نوین پیشنهاد شدهاست. تلاش ها در راستای کاهش تجمع میدان الکتریکی در لبه ی گیت در طرف درین بوده است. توزیع بار در ساختار پیشنهادی نسبت به ساختار مرسوم در کانال بهبود نسبی یافته و این امر به وسیله کاهش تجمع میدان الکتریکی در لبه ی گیت در جانب درین رخ داده است، در نتیجه ولتاژ شکست به شکل ملموسی بهبود یافته است. به منظور ک...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه هادی (mosfet (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (soi) به طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می روند. بنابراین، دست یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...