در این پایان نامه ساختارهای باند ممنوعه الکترومغناطیسی معرفی و مشخصات اصلی آنها شامل باند ممنوعه الکترومغناطیسی برای امواج سطحی و فاز انعکاس متغیر با فرکانس برای امواج مسطح بررسی شده است. همچنین انواع مختلفی از این ساختارهای مصنوعی و کاربرد آنها در بهبود عملکرد آنتن ها مورد مطالعه قرار گرفته است. سه روش اصلی شبیه سازی و تحلیل ساختارهای باند ممنوعه به منظور شناسایی مشخصات و تعیین بازه فرکانسی عم...

بدلیل پردازش آسان سیگنالهای دیجیتال نیاز است تا سیگنالهای آنالوگ(سیگنالهای واقعی) به سیگنالهای دیجیتال تبدیل شوند که این کار توسط مبدل آنالوگ به دیجیتال انجام می پذیرد. یک مبدل آنالوگ به دیجیتال در واقع گلوگاه یک سیستم مد-مشترک به حساب می آید که وظیفه تبدیل سیگنالهای آنالوگ به سیگنالهای دیجیتال را دارد.اکثر سیستمهای مد-مشترک که با پهنای باند فرکانسی کمتری کار می کنند مثلآ قسمت گیرنده یک موبایل ...

در این مقاله برآنیم، که تقویت‌کننده هدایت انتقالی (OTA1) در تکنولوژی CMOS را از طریق بدنه (Bulk Driven) راه اندازی کنیم. با این روش به مدارهایی با توان مصرفی پایین دست می‌یابیم که با توجه به پهنای باند مناسب آن، برای کاربردهای فرکانس بالا در وسایل مخابراتی بی‌سیم و لوازم پزشکی و... قابل استفاده است. OTA یکی ازساختارهای بنیادی تقویت‌کننده‌هاست. در دهه‌ی اخیر، طراحان مدارهای آنالوگ به ...

در این مقاله به بررسی رفتار کریستال فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دی الکتریک با ساختار اپتیکی با ترتیب لایه ها به صورت Glass/(MgF2-Ge)N/Air پرداخته شده است. شبیه سازی این کریستال انجام شد و طیف عبوری آن رسم گردید. طبق محاسبات شبیه سازی شده و رسم نمودار طیف عبوری، این ساختار دارای شکاف باند فوتونیکی پهن بوده است و همچنین طول موج مرکزی آن با اولین توقف باند آن با شرط براگ تطابق خوبی دارد. با افزایش ...

در این مقاله یک آنتن شکافی مایکرواستریپی چاپی جدید با خاصیت پلاریزاسیون دایروی و تغذیه شده با خط CPW طراحی، تحلیل و شبیه سازی شده است. ساختار آنتن شکافی پیشنهادی از یک پچ پله ای شکل اصلاح شده و صفحه زمین مربعی که درون آن یک شکاف پله-ای واقع شده ترکیب بندی شده است. با استفاده از پچ پله ای و صفحه زمین مربعی اصلاح شده، رزونانس های اضافی دیگری تحریک شده و پهنای باند امپدانس وسیعی مخصوصا در باند بال...

در این مقاله برآنیم، که تقویت‌کننده هدایت انتقالی (OTA1) در تکنولوژی CMOS را از طریق بدنه (Bulk Driven) راه اندازی کنیم. با این روش به مدارهایی با توان مصرفی پایین دست می‌یابیم که با توجه به پهنای باند مناسب آن، برای کاربردهای فرکانس بالا در وسایل مخابراتی بی‌سیم و لوازم پزشکی و... قابل استفاده است. OTA یکی ازساختارهای بنیادی تقویت‌کننده‌هاست. در دهه‌ی اخیر، طراحان مدارهای آنالوگ به ...

در این پایان نامه یک گیرنده نوری شامل تقویت کننده امپدانس انتقالی و تقویت کننده محدودکننده در فناوری cmos 180nm برای نرخ داده2.5gb/s طراحی شده است. در بخش تقویت کننده امپدانس انتقالی، یک روش فیدبک فعال جدید با استفاده از یک تضعیف کننده فعال با بهره منفی، جهت افزایش پهنای باند پیشنهاد شده است. با فرض پذیرش 7% پیک در پاسخ فرکانسی، 20% افزایش توان مصرفی و افزایش ناچیز سطح تراشه این روش می تواند حد...

افزایش پهنای باند سیگنال روشی مستقیم برای انتقال اطلاعات با نرخ بالا درفرستنده و گیرنده های رادیویی می باشد؛ سیستم باند بسیارعریض به تکنولوژی رادیویی اطلاق می شود که درسطوح انرژی و مصرف توان پایین وبرای ارتباطات در رنج کوتاه و پهنای باند وسیع با استفاده از طیف فرکانسی عریض در نظر گرفته شده است و با افزایش تقاضا برای ارتباط بی سیم در رنج کوتاه و نرخ انتقال اطلاعات بالا این تکنولوژی با هدف نرخ ان...

در مقالۀ حاضر بلور فوتونی سه گانه یک بعدی جدیدی معرفی و وابستگی آن نسبت به دما در دو ضخامت مختلف و پهنای شکاف باند در دمای ثابت با تغییرزاویۀ تابش پرتو بررسی شده است. ترکیب دو دی الکتریک و با دو بلورمایع  و  به صورت جداگانه بلور فوتونی پیشنهادی در این مقاله هستند که نشان می دهد پهنای شکاف باند با افزایش دما افزایش می یابدو با افزایش زاویۀ تابش پرتو پهنای شکاف باند بلور فوتونی در دمای ثابت علاوه...

چنانچه در نمونه گیری، داده ها با احتمالی متناسب با اندازه انتخاب شوند، داده های حاصل را در طول-اریب نامند. برآورد ناپارامتری تابع چگالی با استفاده از داده های در طول-اریب، مشکلتر از سایر حالات است. یکی از برآوردگرهای معروف در این زمینه توسط جونز (1991) معرفی شده است. در این مقاله ابتدا پارامتر پهنای باند این برآوردگر با رهیافت بیزی برآورد می شود. سپس سازگاری قوی آن با به کار بردن پهنای باند برآ...