نتایج جستجو برای: پروتز زیبایی سیلیکونی انگشت

تعداد نتایج: 8718  

سرکارات فرزین, جعفریان محمد, , سرکارات فرزین, , شاهرخی محمود, , طاهری داریوش, ,

هدف: هدف از انجام این تحقیق فراوانی ضایعات نسج نرم ناشی از پروتزهای کامل متحرک و نیز ارتباط این ضایعات با متغیرهایی چون سن، جنس، مدت استفاده از پروتز، نوع دندان بکار گرفته شده، مدارک علمی سازنده، وضعیت بالانس اکلوزالی، وضعیت ارتفاع عمودی پروتز، میزان گسترش لبه ها و بالاخره نحوه رعایت بهداشت و عادات استفاده از آن بوده است.مواد و روشها: این مطالعه از نوع توصیفی – مقطعی بوده، نمونه گیری به روش خوش...

ژورنال: طب جانباز 2017
جبل عاملی, خشایار, شریف مرادی, کیوان, طهماسبی, علی, کمالی, مصطفی,

اهداف: استفاده از پروتز در افراد با قطع عضو یک‌طرفه اندام تحتانی منجر به تغییر الگوی کینماتیک و کینتیک حین راه‌رفتن می‌شود که منشا ایجاد درد و ناراحتی در مفاصل و عضلات است. هدف تحقیق حاضر، بررسی اثر پروتز زیر زانویی بر نیروی تولیدی عضلات و نیروی تماس مفصلی زانو و ران هنگام راه‌رفتن در این افراد بود. ابزار و روش‌ها: در این مطالعه شبه‌تجربی در سال 1394 تعداد 8 مرد غیرجانباز قطع عضو زیر زانو مراجع...

نانوساختارهای جدید سیلیکا به نام ذرات SPB (ذرات سیلیکونی تهیه شده به روش سل-ژل و با استفاده از قالب کوپلیمرهای سه­ قطعه­‌ای) با موفقیت در سامانه آب- نرمال اکتان (کمک­حلال)، در محیطی اسیدی ساخته شدند. از تترا اتوکسی سیلان (TEOS) به‌عنوان منبع سیلیکا، اتانول به‌عنوان کمک ­عامل سطح ­فعال و مخلوط دو کوپلیمر PPG-b-PEG-b-PPG و PEG-b-PPG-b-PEG (پلورونیک) به‌عنوان قالب، استفاده شد. ذرات جدید سیلیکای می...

سیلیکون ها مواد اصلاح شده اتم سیلیسیم میباشند که در سالهای اخیر بعلت داشتن پایه معدنی و خواص ویژه نسبت به سایر مواد شیمیایی، رشد چشمگیری یافته اند. کاربرد وسیع مواد سیلیکونی در زمینه های پلیمری، الکترونیک، پزشکی، نظامی و علوم زیست محیطی، توجه مراکز علمی و پژوهشی و دنیای تکنولوژی را بخود جلب کرده است. به دلیل خواص ویژه سیلیکون ها، کاربرد های متنوعی در صنایع رنگ ورزین پیدا نموده اند. پلیمرهای سیل...

شل شدگی غیرعفونی مفصل مصنوعی ران از جمله شایع‌ترین علل نیاز به تعویض مجدد مفصل ران است. در مورد مکانیسم ایجاد شل شدگی غیرعفونی اتفاق نظر وجود ندارد. بعضی آن‌ را یک روند کاملاً مکانیکی می‌دانند که ناشی‌ از نیروهای مکرری است که در طی زمان به ران وارد می‌گردد. بعضی دیگر، آن‌ را یک روند کاملاً زیستی‌ می‌بینند که به علت خورده شدن استخوان (ناشی‌ از ذرات ریز آزاد شده از سایش قسمت‌های مختلف پروتز) اتفاق ...

پایان نامه :وزارت بهداشت، درمان و آموزش پزشکی - دانشگاه علوم پزشکی و خدمات بهداشتی درمانی تهران 1326

چکیده ندارد.

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
معصومه گودرزی m goudarzi alzahra universityدانشگاه الزهرا ناهید ملکی جیرسرایی n maleki-jirsaraei alzahra universityدانشگاه الزهرا

انگشت های وشکسان حاصل از ناپایداری سافمن - تیلور را که یک رشد لاپلاسی است با استفاده از نگاشت همدیس بررسی کردیم. انگشت های وشکسان از بروز ناپایداری سافمن - تیلور در مرز مشترک بین دو سیال در سلول هل - شاو مستطیلی، هنگامی که سیال با وشکسانی کمتر سیال با وشکسانی بیشتر را می راند پدید می آید و به وسیله تکنیک های نگاشت همدیس، معادله لاپلاس را با شرایط مرزی برای فصل مشترک دو سیال حل می کنیم، سپس آن ر...

 In the last decade, Si(100) has been used as a suitable substrate in field effect transistors. Some issues such as leakage current and tunneling current through the ultrathin films have been increased with shrinking the electronic devices – particularly, field effect transistors – to nanoscale, which is threatening more use of Si(100). We have thus demonstrated a series of experiments to grow ...

ژورنال: :مجله دانشکده دندانپزشکی اصفهان 0
محمد شیشه ساز اسدالله احمدزاده شهاب شهیدی mohammad shishehsaz assadollah ahmadzadeh shahab shahidi

مقدمه: یکی از مشکلات اصلی در تحلیل فشار پروتز دندانی با مواد طبیعی جدید، شکل نا­مشخص آنهاست. هدف از این مطالعه تعیین اثر لیگامنت ها و نیز تغییر ماده ی چسباننده بر توزیع تنش در پروتزهای ثابت دندانی از نوع اتصال یکطرفه و دو طرفه بود. مواد و روش ها:در این مطالعه مدل اجزای محدود، در ساخت مدل های فیزیکی از دندان های طبیعی استفاده شد. سپس از مدل و پروتز مربوطه تصویر سه بعدی تهیه شد و مدل اجزاء محدود ...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
علی بهاری a bahari university of mazandaranدانشگاه مازندران

در نانو ترنزیستورهای دهه اخیر، si(100) به عنوان یک زیرلایه یا بستر مناسب به کار می رود. مسائلی نظیر افزایش جریان تونلی و نشتی با کاهش اندازه قطعات الکترونیکی و بویژه ترانزیستورهای اثر میدانی سبب شده است تا امکان به کارگیری بیشتر آن مورد تردید قرار گیرد. به همین دلیل در کار حاضر تلاش شده است تا با انجام یک سری از آزمایشات و رشد فیلم های فرانازک بر روی هر دو زیرلایه si(100) و si(111) به بررسی نان...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید