در ترانزیستورهای فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل (cmos) ضخامت گیت اکسید سیلیکون 1 تا 2 نانومتر است. کاهش ضخامت به 1 نانومتر برای تولیدات آتی این ترانزیستورها سبب افزایش جریان تونلی و همچنین جریان نشتی می گردد. از جمله مواد مناسب اکسید هافنیوم است که ثابت دی الکتریک بالایی دارد، گاف نواری آن پهن بوده و در تماس با زیرلایه سیلیکونی دارای تعادل حرارتی است. در کار حاضر فرایندهایی در جهت سنتز hfo2 به کار ...

پیشرفت روزافزون صنعت میکروالکترونیک، نیازمند ارتقای مواد الکترونیکی پیشرفته از جمله سرامیک­های دی­الکتریک با ثابت دی­الکتریک بالا برای کاربردهایی نظیر خازن­ها می­باشد. دی­الکتریک­های برپایه اکسید نیکل دسته­ای از این مواد پیشرفته می­باشند، که به علت داشتن ثابت دی­الکتریک بسیار بالا در محدوده دمایی گسترده، در سال­های اخیر مورد توجه محققان بوده­اند. در این پژوهش، سرامیک­ دی­الکتریک li0.05ni0.95o ب...

در این مقاله خواص اپتیکی ترکیب alingan از جمله قسمت حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک، رسانندگی اپتیکی، ضریب شکست، ضریب خاموشی و تابع اتلاف انرژی مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته اند. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت شدۀ خطی با پتانسیل کامل (fp-lapw) در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از بسته محاسباتی wien2k صورت گرفته است. در نهایت نیز خواص اپتیکی این ترکیبات بررسی شد که نتایج به دست...

در این تحقیق نانوفریت های مس cufe2o4 ، آلاییده با یون های روی و نیکل با فرمول های عمومی cu1-xmxfe2o4 که m نشان دهنده نیکل ( x= 0 ,0.5 ,1) و روی ( x = 0 ,0.25 ,0.5 ,0.75 ,1 ) می باشد ، به روش سل – ژل سنتز شدند. تحلیل الگوی پراش اشعه x نمونه ها نشانگر تشکیل ساختار مکعبی اسپینلی با گروه فضایی fd3m بود که ساختار و گروه قضایی فریت ها می باشد. پس از تأیید ساختار نمونه ها به کمک الگوی پراش ، قرص دی ...

چگونگی بهینه سازیِ ذخیره و مصرف انرژی موضوعی است که امروزه توجه گسترده جهانی را به خود جلب کرده است. توسعه خازن ها با قابلیت ذخیره سازی بالای انرژی یکی از جنبه های قابل توجه بهره برداری منابع جدید انرژی است. مواد دی الکتریک پلیمری با ثابت دی الکتریک بالا، نقش موثری را در توسعه این خازن ها، ایفا می کنند. از سال 1960 میلادی شیمیدان ها تحقیقات گسترده ای در زمینه خاصیت دی الکتریکی پلیمرها انجام داده...

به منظور افزایش بهره سلول های خورشیدی لایه نازک، روش هایی برای طراحی مناسب نانوساختارهای پلاسمونیکی و دی الکتریک در سلول پیشنهاد و بررسی می کنیم که امکان برانگیختگی تعداد قابل توجهی از مدهای مختلف اپتیکی و در نتیجه افزایش احتمال جذب فوتون توسط سلول را فراهم می کنند. با بهره گیری از تکنیک محاسباتی تفاضل متناهی در حوزه زمان (FDTD)، برهمکنش نور با ساختارهای پیشنهادی را مدلسازی و چگونگی تنظیم مدهای...

روش انتگرال کانتور چندمدی یکی از روشهای تحلیل و طراحی مدارهای موجبری صفحهh- است. این روش تأثیر مدهای مرتبه بالاتر غیرانتشاری را که به دلیل وجود ناپیوستگی در ساختار موجبری ایجاد شده و در نزدیکی ناپیوستگی انرژی قابل ملاحظه ای دارند، در نظر می گیرد. این ویژگی موجب بالا رفتن دقت روش در تحلیل و یا طراحی مدارهای موجبری با ساختار پیچیده می شود. در این مقاله قصد داریم از توانمندی این روش در شناسایی خو...

مقدمه: با استفاده از نانو ذرات نقره با خاصیت اپتیکی منحصر به فرد و قابل تنظیم، نانوحسگرهای زیستی طراحی و ساخته می­شوند. در این مقاله یک نانو پوستۀ کروی دو لایه شامل دی الکتریک و نقره بر اساس تشدید پلاسمون سطحی به عنوان حسگری زیستی معرفی شده است. روش بررسی: با تاباندن نور بر نانو پوستۀ کروی، بر اثر بر همکنش قوی بین پلاسمون­های سطحی پوسته و حفرۀ داخلی کره، طیف جذبی شدیدی در گسترۀ طول موج 1400-400...

ولتاژهای شفت از جمله پدیده هایی هستند که در ماشین های دوار وجود دارند و منابع متفاوتی به نسبت های مختلف در به وجود آوردن این ولتاژها سهیم هستند. در این پژوهش ولتاژهای شفت در مولدها مورد بررسی و تحلیل قرار می گیرند. ولتاژ شفت باعث به وجود آمدن جریان های عبوری از یاتاقان ها می گردد. این جریان ها از روغن یاتاقان ها عبور می کنند و به مرور زمان با ایجاد حباب در آن ها منجر به از کار افتادن آن ها می ش...

پلاسمونیک در گرافین، آرایه¬ای دو بعدی از اتم¬های کربن در یک شبکه لانه زنبوری، در سال¬های اخیر مورد توجه بسیاری از محققین قرار گرفته است. گرافین همانند مواد پلاسمونیکی مرسوم مانند طلا و نقره، توانایی انتقال نور در سطح خود را به صورت پلاسمون پلاریتونهای سطحی دارا می-باشد. این ماده در گستره¬های تراهرتز و مادون قرمز دارای تلفاتی ناچیز بوده و بنابراین پلاسمون پلاریتونهای سطحی که در این گستره¬ها، مخص...