با رشد سریع تکنولوژی، ساخت مدارهای الکتریکی به سمت نانو پیش می رود که با کاهش ابعاد قطعات، می توان از قطعات بیشتری در مدارات بهره برد. یکی از محتمل ترین جایگزینهای ترانزیستورهای سیلیکونی، به خاطر خصوصیات الکترونی عالی و ظرفیت بالای حمل جریان، ترانزیستورهای نانو لوله کربنی است. با نانو متری شدن ابعاد قطعات با توجه به محدودیتها و بروز اثرات مکانیک کوانتم محاسبه معادلات پیچیده و زمانبر می شود و ای...

طراحی اسیلاتور با نویز فاز کمتر، همواره مدنظر طراحان بوده است. در میان اسیلاتورهای مختلف، اسیلاتورهای lc به دلیل عملکرد نویز فاز بهتر، مصرف توان کمتر، ساختار تفاضلی و پیاده¬سازی آسان نسبت به سایر اسیلاتورها نقش مهمی را در طراحی مدارهای فرکانس بالا ایفا می¬کنند. ابتدا مروری بر برخی از روش¬های کاهش نویز فاز انجام شده و یک روش با استفاده از نرم¬افزار ads شبیه¬سازی شده است. در ادامه، آنالیز تفص...

این پروژه به معرفی یکی از کاربردی ترین تکنولوژی های نوین مدیریت مصرف انرژی با نام دیودهای آلی متصاعد کننده نور (oled) و کاربرهای آن پرداخته است. در ابتدا نگاهی خواهیم داشت به تاثیر مواد ارگانیکی که با داشتن خواص الکتریکی و اپتیکی مطلوب به عنوان گروهی از نیمه هادی ها در ساخت ادوات الکترونیکی به کار می روند و همچنین نانو لوله های کربنی بر روی دیود نوری، سپس نحوه ساخت oled و آرایه ای آن بیان می شو...

چکیده ندارد.

اکسید کادمیم در سلولهای فتوولتانیک-حسگرهای گازی و بعنوان نیم رسانا در صنایع الکترونیک کاربرد داشته وخواص کاتالیستی خوبی از خود نشان می دهد. اکسید کادمیم یک نیم رسانای نوعn است که حتی در غیاب عناصر دوپه شونده هدایت الکتریکی بالا نشان می دهد. تعداد زیادی از کریستالهای اکسید کادمیم در مورفولوژی های متفاوت از قبیل نانو سیم -نانو میله-سنتز شده اند.مطالعات نشان داده است که دوپه کردن اکسید کادمیم با ب...

در دهه¬های اخیر ساخت ابزارهای الکترونیکی با استفاده از مواد نانومقیاس، تغییرات اساسی در صنعت الکترونیک ایجاد کرده است. انتخاب ماد? مناسب جهت ساخت ابزارهای الکترونیکی با عملکرد بالا با پای? نیم¬رساناهای ترکیبی با گاف نواری پهن، از مهم¬ترین مراحل است. از میان هم? اکسیدهای فلزی، zno به¬دلیل فرآیند ساخت آسان، گاف نواری مستقیم و پهن ev 37/3، انرژی پیوندی اکسایتونی بالا mev 60 و تنوع ریخت از مناسب¬تر...

در این پژوهش، ویژگی های ساختاری و الکترونی انبوهه و نانولایه ی ترکیب های نیم هویسلر thpdsb و thptsb بررسی شده اند. محاسبه ها بر پایه ی نظریه ی تابعی چگالی با استفاده از روش امواج تخت بهساخته ی خطی به علاوه ی اوربیتال های موضعی (lapw+lo) در کد محاسباتی wien2k انجام شده است. برای بررسی ویژگی های ساختاری از پتانسیل تبادلی- همبستگی lda ، pbe-gga و pbesol-gga در حضور برهمکنش اسپین- مدار و قطبش اسپین...

پلیمر پلی آنیلین، پلی پیرول و کوپلیمرهای آنها با نسبت های معین، به روش ولتامتری چرخه ای سنتز و رفتار الکتروشیمیایی آنها با روشهای متداول الکتروشیمی مانند ولتامتری چرخه ای و اسپکتروسکوپی امپدانس الکتروشیمیایی بررسی شد. نتایج حاصل از برازش منحنی های امپدانس نشان دهنده آن است که در درصد های مختلف مونومرهای آنیلین و پیرول رفتار الکتروشیمیایی و ظرفیت خازن های لایه دوگانه ایجاد شده تغییر یافته و خواص...

ناهمسانگردی الکتریکی بدین معنی که چگالی جریان در یک محیط تابعی از جهت‌گیری میدان الکتریکی در آن محیط باشد، اخیراً در تفسیر اندازه‌گیری‌های مگنتوتلوریک (MT) بسیار مورد توجه قرار گرفته است. در بیشتر این بررسی‌ها، استنتاج ناهمسانگردی براساس جدایش‌های‌فازی قطبش‌های گوناگون داده‌های MT بوده است. تأکید بر پاسخ‌های فاز از این حقیقت ناشی می‌شود که توده‌های رسانای سطحی دامنه مؤلفه‌های تانسور امپدانس مربو...

به کمکِ تقریب دی الکتریکِ پیوسته، مدهای فونون های اپتیکی حاصل از فصلِ مشترکِ یک سیمِ کوانتومی استوانه ای از جنس gaas در یک محیطِ نیمه رسانای قطبی gaxal1-xas بررسی شده است. نتایج به دست آمده دو شاخۀ متفاوت ( so1, so2 ) از مدهای فونونی سطحی را نشان می دهند. با افزایش بردارِ موج ( )، بسامد هر یک از مدهای فونونی به بسامد یک ساختارِ صفحه ای تخت نا متجانس همگرا می شود.