نتایج جستجو برای: نیم رسانای اکسید فلزی

تعداد نتایج: 25208  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه مازندران - دانشکده علوم پایه 1392

در سال های اخیر، کامپوزیت های هیبریدی آلی و غیرآلی با توجه به ثابت دی الکتریک بالاتر، فاکتور کیفیت بالاتر و جریان نشتی کم تر به عنوان جایگزین مواد گیت دی الکتریک در نظر گرفته شده اند. نفوذ بور از فیلم نازک دی-اکسید سیلیکون، جریان های تونلی و نشتی را افزایش می دهد و نشان می دهد که دی اکسید سیلیکون نمی تواند برای دستگاه های cmos (فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل) مورد استفاده قرار گیرد. برخی از افراد ا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده علوم پایه 1389

انباشت لایه های نازک اکسید روی غیر آلائیده و همچنین آلایش یافته با عناصر قلع، نیتروژن و استفاده همزمان نیتروژن و عناصر گروه iii با استفاده از روش اسپری پایرولیزز مد نظر می باشد. هدف، بهبود خواص فیزیکی لایه های اکسید روی با استفاده از عناصر آلاینده است و از این رو توجه خاصی به تغییر نوع رسانش از n به p در اثر آلایش ساختار صورت گرفته. دسترسی به لایه هایی با خواص ایده آل از نوع n و p امکان معرفی ن...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده علوم پایه 1391

لایه نازک اکسید روی، نیم رسانای نوع n با گاف انرژی پهن و مستقیم ev3/3 و انرژی اتصال اکسایتونی بزرگ mev 60 است. این ماده همچنین در ناحیه مرئی شفاف است. اکسید روی به علت هدایت الکتریکی و شفافیت بالا، دارای کاربردهای گسترده ای در ابزارهای الکترونیکی و اپتوالکترونیکی مانند مواد پیزوالکتریک، سلول خورشیدی ، حسگرهای گازی و بیولوژیکی و الکترودهای شفاف پیدا کرده است. اخیرا تحقیقات گسترده ای بر روی حسگره...

ژورنال: لیزر پزشکی 2012
آقابلوری زاده, محمد, محمودی, سیامک, نورالهی, حمزه,

  مقدمه: این تحقیق به منظور بررسی پاسخ‌دهی آشکارساز چاه کوانتومی برای آشکارسازی طیف پراکندگی رامان ارتقاء یافته سطحی( SERS ) آنزیم تروپونین نوع I جهت تشخیص سکته قلبی یا انفارکتوس میوکارد صورت گرفته است.   روش بررسی: در این پژوهش با استفاده از روشِ تحلیلیِ تزویج مد، ابتدا با در نظر گرفتن تقریب رسانای کامل الکتریکی برای لایه‌ی فلزی حفره‌دار، به وجود آمدن تشدیدهای عبوری را نشان می‌دهیم سپس با وارد ک...

ژورنال: بسپارش 2014
زهرا کچوئی, ناصر شریف سنجانی

اخیراً چسب های رسانای الکتریسیته به عنوان جایگزین بالقوه لحیم های دارای سرب، توجه و تمرکز زیاد پژوهشگران را به خود معطوف کرده اند. این چسب ها براساس مسیر رسانایی، به دو دسته کلی همسانگرد و ناهمسانگرد تقسیم م یشوند. کاربرد اصلی چسب های رسانای همسانگرد در زمینه قطعات الکترونیک است. مطالعاتی که در زمینه چسب های رسانای الکتریسیته انجام شده است، نشان می دهد که این چسب ها نسبت به فناوری سنتی اتصال...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - دانشکده علوم پایه 1392

در سالهای اخیر حوزه مواد مغناطیسی نیمه رسانای رقیق شده به دلیل کاربرد آنها در ابزارهای الکترونیکی و اسپین ترونیک در سراسر جهان مورد توجه زیادی قرار گرفته است ..به دست آوردن نیمه رساناهایی که در دمای اتاق خاصیت فرومغناطیسی داشته باشند یکی از آرزوهای پژوهشگران درتمامی سالهای اخیر بوده است در عین حال روش تهیه این مواد هم مسئله چالش برانگیزی می باشد.به دست آوردن روشی که هم هزینه کمتر و هم شرایط آسا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده فیزیک 1391

در این پایان نامه، لایه نازک اکسید روی خالص و آلائیده با آلومینیوم برای کاربری به عنوان لایه ی رسانای اکسیدی شفاف در سلول های خورشیدی لایه نازک، ساخته شد و مورد بررسی قرار گرفت. بدین منظور لایه های نازک zno و azo (0، 3، 6 و 12 درصد مولی آلومینیوم) به روش لایه نشانی چرخشی بر پایه سل ژل بر روی زیرلایه ی شیشه ساخته شد. بعد از ساخت نمونه ها، به بررسی اثر دمای پخت، آلایش al و تابش لیزر به سطح لایه ه...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شیراز - دانشکده مهندسی 1393

از آنجا که اندازه گیری دقیق میزان گلوکز خون ساده ترین و موثرترین راه پیشگیری از آسیب های شدید بیماری دیابت است، لذا ساخت زیست حسگر گلوکز با حساسیت و دقت بالا و قیمت تمام شده پایین یکی از مهمترین اهداف پژوهشگران در دهه های اخیر بوده است که در سال های اخیر با پیدایش و توسعه روز افزون فناوری نانو، تکنولوژی ساخت انواع زیست حسگر نیز با رشد چشمگیری روبرو بوده است. با توجه به برتری های نسبی زیست حسگر...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اصفهان 1387

کاربرد نانو ذرات (نانوبلورهای نیم رسانا) باعث افزایش بازدهی سلول های خورشیدی فوتوولتائی می شوند. عموماً با جذب یک فوتون در دستگاه نیم رسانای فوتوولتائی یک جفت الکترون حفره ایجاد می شود که تفاضل انرژی فوتون نسبت به گاف نوار نیم رسانا در اثر برهم کنش الکترون و حفره با شبکه بلور به صورت گرما هدر می رود، به تازگی برای نانو بلورهای نیم-رسانای محلول نشان داده شده است که این انرژی اضافی می تواند چندین ...

پوشش‏های غنی از روی، یکی از پرمصرف‏ترین پوشش‏های مقاوم به‏خوردگی در صنایع مختلف به‏شمار می‏روند. در این پوشش‏ها اغلب از درصدهای بالای پودر روی (بالای 90% وزنی در فیلم خشک) به‏منظور حفاظت کاتدی موثر استفاده می‏شود که خود منجر به بروز مشکلات زیادی در این پوشش‏ها از جمله کاهش چسبندگی پوشش به بستر فلز، کاهش خواص فیزیکی و مکانیکی و افزایش گرانروی رنگ می‌شود. به‎منظور کاهش مشکلات یادشده، محققان سعی ک...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید