هدف اصلی از این پایان نامه پیدا کردن راه حل جدیدی برای کاهش تلفات در مدارات cmos vlsi می باشد . بطور ویژه تمرکز بر ما بر کاهش تلفات نشتی است . اگر چه تلفات توان نشتی در تکنولوژی 18 نانومتر و بالاتر ناچیز است با این حال در تکنولوژی زیر 65 نانو متر مقدار آن قابل صرف نظر نیست و تقریبا با تلفات توان دینامیکی برابری می کند .در این پایان نامه یک ساختار جدید مداری جهت کاهش تلفات توان نشتی ارایه گردیده...

درعلم نیمه هادی هرچه ابعاد قطعه کوچکتر میشود اثرهای کانال کوتاه ومکانیک کوانتومی ( وجود ترازهای انرژی گسسته در لایه های الکترونی اتم ) روی مشخصه های ترانزیستور بیشترخود را ظاهرمی سازند ، وترانزیستورهای نانو وایر فت به عنوان یکی از مهمترین قطعات با کاهش قطر کانال به یک سیم نازک ، کنترل کانال را بخوبی انجام میدهند . این قطعات بطور گسترده در تکنولوژی cmos درحال توسعه هستند واین سبب میشود که در مدا...

امروزه یکی از کاربرد های مهم ممریستور استفاده از آن به عنوان سیناپس در شبکه های عصبی مصنوعی است. علت آن نیز ساخت متراکم و عملکرد عالی آن به عنوان حافظه آنالوگ است. اما اگر تنها از یک ممریستور به عنوان سیناپس استفاده شود و بدنه سلول یک پالس ژنراتور باشد، در این صورت اگر پالس در پیش سیناپس ایجاد شود جریان از ممریستور عبور کرده و پتانسیل پس سیناپس را افزایش می دهد. با پایان یافتن پالس پیش سیناپسی،...

چکیده نانولوله هایکربنی قابلیت های منحصر به فرد زیادی دارند که چشم انداز مناسبی در کاربردهاینانوالکترونیکو در مدارات مجتمع آینده می توان برای آن ها متصور شد.به دلیل مشخصات الکترونیکی عالی نانولوله های کربنی نظیر قابلیت تحرک بالا، سازگاری با ثابت دی الکتریک بالا و قطر کوچک، استفاده از نانولوله های کربنی به عنوان یکی از بلوک های اصلی در کاربردهای آینده الکترونیک می تواند مطرح باشد. استفاده از ...

در این رساله یک مدل دو بعدی تحلیلی برای تغییرات پتانسیل سطح در امتداد کانال در تخلیه کامل یک ماسفت دو گیتی سیلیکن روی عایق پیشنهاد شده است تا اثرات کانال کوتاه در آن مورد بررسی قرار گیرد. ترانزیستور ما شامل دو گیت و اختلاف ولتاژ بین آن دو می باشد. ما نشان می دهیم که پتانسیل سطح در کانال یک تابع پله ای را نمایش می دهد که به منزله عدم تاثیر گذاری بایاس درین بر روی پتانسیل سطح است. این اختلاف پتان...

نانو الکترونیک شاخه ای از فناوری نانو است که از نظر ساخت وسایل الکترونیکی کوچک تر، سریع تر و کم مصرف تر نقش بسیار مهمی در تکنولوژی جهانی دارد. کوچکتر شدن ابعاد ترانزیستورهای سلیکونی رایج موجب ایجاد مشکلاتی از جمله ایجاد جریانات نشتی و خازن های پارازیتی می شود که بروز چنین مشکلاتی خود موجب افزایش توان مصرفی، تاخیر و افزایش حاضلضرب تاخیر در توان می گردد. تکنولوژی ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کر...

اثرات کانال کوتاه یکی از حساس ترین نکات در ساخت ترانزیستورها در ابعاد کمتر از میکرو ونانو است وبه مانع اصلی فن آوری ساخت ترانزیستور در مقیاس نانوتبدیل شده است و باعث تخریب عملکرد وتغیر ویژگیهای الکتریکی شده است. یک نمونه از اثرات کانال کوتاه اشباع سرعت است که در آن حامل در دستگاه به سرعت به اشباع رسیده با جود آن که حالت اشباع بوجود نیامده است. در سال های اخیر ترانزسیتورهای اثر میدانی مبتنی بر گ...

محققین، ادوات اسپینی را جهت بهبود عملکرد ادوات الکتریکی پیشنهاد داده اند. ادوات اسپینی مهمترین نقش خود را در ساخت ترانزیستورها ی اسپینی ایفا کرده اند. همانطور که در این پایان نامه نیز به آن خواهیم پرداخت، ترانزیستورهای اسپینی بر روی صفحه ی گرافینی با برخورداری از قابلیت گرافن جهت رفع چالش های ترانزیستورهای فعلی ارایه شده اند. که سرعت این ترانزیستورها به علت بالا بودن سرعت حرکت الکترونها در سطح ...

چکیده به خوبی می دانیم که کاهش طول گیت، یک وسیله ی قوی جهت افزایش هدایت انتقالی و فرکانس عبور ترانزیستور های اثر میدانی فلز نیمه هادی (mesfet) می باشد. البته با کاهش طول گیت بدون کاهش چگالی ناخالصی و ضخامت کانال، عملکرد قطعه بوسیله اثرات کانال کوتاه و عوامل پارازیتی کاهش می یابد. از مهمترین اثرات کانال کوتاه در ترانزیستور mesfet می توان به کاهش سد کانال بوسیله ولتاژ درین(dibl) ، شیفت منفی در و...

تشخیص عیوب، خطاها در مراحل اولیه و خطاهای توسعه یافته ی درایوهای الکتریکی توسط پایش شرایط آن ها امکانپذیر است. عیوب درایو موجب تغییر در شرایط کار عادی آن نمی شوند ولی بر اثر تکرار و شدت یافتن باعث کاهش عمر مفید و نهایتاً منجر به خرابی آن می شوند. هدف این رساله ارائه ی روشی جدید برای تشخیص برخی عیوب درایو موتور سنکرون مغناطیس دائم شامل افزایش مقاومت اتصال و قطع و وصل لینک dc، خطای اتصال کوتاه ترا...