هر سیستم rfid از دو بخش تگ و کدخوان تشکیل شده است. بلوک های مدولاتور و دمدولاتور از بلوک های تشکیل دهنده تگ rfid می باشند. افزایش نرخ داده ارسالی و کاهش توان مصرفی از پارامترهای مورد توجه در طراحی مدار مدولاتور می باشد. در این طراحی از مدولاسیون پس انتشار qpsk استفاده شده است که نرخ ارسال داده در آن دو برابر مدولاسیون فاز psk می باشد و هم چنین از ورکتور برای ایجاد چهار امپدانس خازنی متفاوت استف...

این پایان نامه به بررسی و شبیه سازی ترانزیستورهای نانولوله کربنی و ارائه سه ساختار جدید برای آنها می¬پردازد. با توجه به اهمیت کوچک شدن ترانزیستورها، در ساختارهای ارائه شده سعی کرده¬ایم که اثرات زیان بخش کانال کوتاه را کاهش دهیم. ترانزیستورهای نانولوله جدید پیشنهاد شده در این پایان نامه عبارتند از: 1- ترانزیستور نانولوله کربن با گیت دوقلو، 2- ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربن با دوپینگ پله¬ای د...

در این پایان نامه ضرب کننده فرکانسی بررسی شده و دو ضرب¬کننده فرکانسی تک انتهایی و تفاضلی مبتنی بر dll در تکنولوژی و ولتاژ طراحی شده است. به منظور کاهش توان در ضرب کننده فرکانسی تک انتهایی از ساده ترین ساختار در طراحی مدار پمپ بار و مدار خط تاخیر کنترل شونده با ولتاژ استفاده شده است. همچنین در واحد ترکیب کننده از مداری ساده و مبتنی بر ترانزیستور-بدون استفاده از سلف و خارن- استفاده شده است که توا...

پس از بازنگری کلی بر تکنولوژی soi مدل و ترانزیستورهای soi و انواع روش های تبدیل سیگنال آنالوگ به دیجیتال مورد بررسی قرار می گیرد. در ادامه با طراحی زیرمدارهای مبدل a/d فلاش سه بینی اثر تکنولوژی soi بر این مدل بررسی می شود. مدل های soi بکاررفته از دانشگاه برکلی و پارامترهای آنها از دانشگاه فلوریدا تهیه شده و شبیه سازی مدارات بوسیله نرم افزار pspice5.0 و spice-opus انجام شده است. براساس شبیه سازی...

در این پایان نامه پارامترهای مهم در مدارات دیجیتال توضیح داده شده و چند سلول جمع کننده متداول مورد بررسی قرار گرفته است. ایده های مختلفی که در پیاده سازی مدارات جمع کننده وجود داشته، شبیه سازی شده است. در پیاده سازی مدار سلول جمع کننده، در بعضی از مقالات طبقات ورودی و در بعضی دیگر طبقات خروجی متفاوت است. در مقالات متفاوت از منطق های cmos مکمل، نسبتی، ترانزیستور عبوری مکمل، گیت های انتقال، تابع ...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه‌هادی (MOSFET (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (SOI) به‌طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می‌روند. بنابراین، دست‌یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می‌آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می‌گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه هادی (mosfet (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (soi) به طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می روند. بنابراین، دست یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

در این مقاله ساختار جدیدی برای ترانزیستور سه‌گیتی (SG-TD) ارائه شده است. در این ساختار با به کار بردن سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس و ایجاد تونل‌زنی به درون ناحیه سورس، مشخصه‌های ماسفت سه‌گیتی در مقایسه با ساختار ماسفت‌های سه‌گیتی مرسوم (C-TG) بهبود داده شده است. در ساختار پیشنهادی علاوه بر اینکه عایق بودن ترانزیستور در زیر کانال حفظ می‌شود، اثرات منفی آن نیز کاهش می‌یابد. در ساختار ارائه  شده...

مهندسان در طراحی های بزرگ و پیچیده، قبل از ساخت نمونه فیزیکی و برآورد هزینه و زمان ساخت آن احتیاج به شبیه سازی کامپیوتری سخت افزار دارند. از طرفی سرعت شبیه سازهای متداول برای حجم بزرگ مدار بسیار کند می شود و این به دلیل محاسبات زیادی است که برای بدست آوردن اطلاعات ریز زمانی مدار انجام می شود. اما در بسیاری از موارد یک طراح احتیاج به دیدن درستی عملکرد طرح خود دارد و نه اطلاعات ریز زمانی آن. در ا...

در این پروژه، طراحی و ساخت بخش های الکترونیک سرعت سنج لیزری به روش زمان پرواز انجام می گیرد. هدف، طراحی و ساخت بخش های الکترونیک سرعت سنج لیزری برای مسافت های حدود 1000m بوده است. مدار گیرنده سیستم مبتنی بر یک ماژول آشکارسازیست که در آن از یک آشکارساز apd که دارای بیشترین میزان حساسیت در طول موج 900nm است استفاده می شود. با طراحی مناسب بخش تغذیه ولتاژ بالا مبتنی بر یکسوسازی ولتاژهای سینوسی یک ن...