هدف ما در این تحقیق فرمول بندی هامیلتونی یک مدل برای ذره آزاد نسبیتی همراه با درجه آزادی اسپینی و افزایش تقارن های پیمانه ای آن است. این مدل در دو بعد فضایی به عنوان مدلی برای توصیف رفتار آنیون ها به کار برده می شود. به این منظور فضای فاز این مدل را ساخته و با گسترش ابعاد این فضا هامیلتونی را در آن بازنویسی می کنیم. اساس کار ما تبدیل قیدهای نوع دوم مدل به قیدهای نوع اول، که مولد تبدیل پیمانه ای...

استانین، یک نانوساختار دو بعدی از اتم های Sn، دارای ساختار لانه زنبوری می باشد. بر هم کنش اسپین-مدار ذاتی قوی استانین، موجب ایجاد شکاف انرژی تا حدود 0.07 الکترون ولت در ساختار نواری آن می شود. در این پژوهش، ویژگی های الکترونی نانونوارهای استانینی لبه زیگزاگ با مدل تنگ بست و روش تابع گرین در حضور میدان های الکتریکی و مغناطیسی را بررسی می نماییم. در حضور میدان الکتریکی عمودی، در نانونوارهای استان...

زنجیرۀ آیزینگ اسپین-2/1 در حضور میدان مغناطیسی و برهم کنش ژایالوشینسکی­ــ­موریا در نظر گرفته شده است. ابتدا با استفاده از عمل گر دوران مدل مذکور به مدل اسپین-2/1  xxzناهمسان گرد در میدان مغناطیسی طولی تبدیل و سپس با روش فرمیونیزه کردن و اعمال تقریب میدان متوسط نمایش قطری هامیلتونی سیستم تعیین شده است. سپس رفتار گرمای ویژۀ آن بررسی شده است. نتایج محاسبۀ مذکور نشان می دهد که بیشینۀ مقدار گرمای وی...

در این مقاله اثر ناهمواری فصل مشترک بر روی عبوردهی الکتریکی وابسته به اسپین در یک اتصال تونل­زنی مغناطیسی بررسی می­شود. در محاسبات از روش ماتریس انتقال و تقریب جرم مؤثر برای محاسبۀ احتمال عبور استفاده شده است. ساختار مغناطیسی دو سدی مذکور شامل دو نیم رسانای فرومغناطیسی جدا شده­ با یک لایۀ غیرمغناطیسی است که به دو الکترود فلز غیرمغناطیسی متصل هستند. مؤلفه­های مختلف احتمال­ عبوردهی وابسته به اسپی...

در این مقاله، رسانش وابسته به اسپین یک سیم کوانتومی فرومغناطیس را در حضور یک یا دو نقص با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی محاسبه نموده و تأثیر چرخش گشتاور مغناطیسی نقص (ها) را بر روی رسانش سامانه بررسی می کنیم. نتایج نشان می دهد که در سیم مغناطیسی، مستقل از وجود یا عدم وجود نقص، بازه مجاز انرژی نسبت به حالت غیرمغناطیسی به اندازه پارامتر وارونگی اسپینی جا به جا می شود. با ایجاد نقص ...

در این تحقیق اثر سمت گیری کوارک ها بر روی تولید مزون های سنگین bc(1s) را بررسی و توابع ترکش آنها را در مقیاس اولیه µ° محاسبه نموده ایم. سپس با استفاده از معادله تحول آلترلی- پاریسی توابع ترکش را به مقیاس بالاتر µ تحول داده ایم. هم چنین توزیع تکانه عرضی سطح مقطع دیفرانسیلی برای این ذرات را در برخورد دهنده های هادرونی lhc و tevatron run ii محاسبه نموده ایم. نتایج ما توافق مناسبی با داده های تجربی...

ترابرد وابسته به اسپین در سیم های کوانتومی‎ که‎‎‎‎‎‎ قدرت برهمکنش اسپین-مدار راشبا در داخل آنها بصورت تناوبی و شبه تناوبی با ترتیب فیبوناچی تغییر می کند، با استفاده از روش ماتریس انتقال بطور نظری مورد بررسی قرار گرفته است. تاثیر تعداد واحدهای سازنده سیم، طول واحدهای سازنده، قدرت برهمکنش اسپین-مدار راشبا، انرژی الکترون های فرودی و یک واحد نقص، بر روی ضریب عبور و شات نویز و قطبش اسپینی بررسی شده ...

اسپینترونیک یکی از زمینه¬های نوظهور علم نانو است که هدفش مطالعه نقش اسپین الکترون در فیزیک ماده چگال می¬باشد. در این پایان نامه به بررسی دو شاخه جدید اسپینترونیک می¬پردازیم. در بخش مدارهای اسپینی، هدف محاسبه اندازه جریان اسپینی در دو مدار اسپینی π و t شکل با در نظرگرفتن دو نانوکانال غیرمغناطیسی متفاوت از جنس طلا و مس می¬باشد. بر اساس نتایج بدست آمده در این پایان¬ نامه جریان اسپینی شاخه سری با ک...

در این پایان نامه به بررسی اثر اسپین- مدار در ساختارهای گرافنی پرداخته شده است. ابتدا با معرفی ساختار فیزیکی گرافن، خواص و کاربردهای آن را توضیح داده سپس اشاره ای کوتاه بر پژوهش های انجام شده در این زمینه شده است. با استفاده از مدل بستگی قوی، ترازهای انرژی پای برای گرافن محاسبه و رسم شده است، در ادامه با توجه به اینکه گرافن پایه ساختاری نانولوله های کربنی می باشد ضمن مطالعه ی ساختارهای گرافنی ر...

در این تحقیق با استفاده از روش بستگی قوی و هامیلتونی بسط داده شده بر پایه اوربتال¬های اتمی و فرمول¬بندی تابع گرین به بررسی برهمکنش¬های الکترون-الکترون، الکترون-فونون، الکترون-فوتون و اسپین-مدار راشبا بر روی خواص الکترونی، مغناطیسی و ترابرد در نانو ساختارهای کربنی می¬پردازیم. وجود لبه¬های زیگزاگ در نقاط کوانتومی کربنی موجب جایگزیدگی اسپین بر روی لبه¬ها و مغناطش خالص در نانوساختار می¬شود. برای بر...