در سیستم های با ولتاژ کم، نمونه گیری به دلیل تضاد بین رنج دینامیک، خطی بودن، سرعت و مصرف توان مشکل می شود. بنابراین بحث دستیابی به توان، سرعت و دقت مطلوب و نیز کاهش خطای آفست و خطای بهره برای این تقویت کننده ها در این پروژه مورد بررسی قرار گرفته است. مدارهای t/h سریع تر در ساختار حلقه باز عمل می کنند، ولی مشکل اساسی ، عدم دقت مطلوب آنهاست. مدارهای t/h با ساختار حلقه بسته می توانند خطینگی بالا ر...

افزاره های ساخته شده با سیلیکن کاربید پتانسیل گسترده ای را برای چگالی توان بالا و کاربردهای کلیدزنی دمای بالا نشان می دهند. در میان چندگونه های سیلیکن کاربیدی، گونه 4h-sic با توجه به موبیلیتی ذاتی بالایی که دارد به عنوان امیدبخش ترین نوع برای پیشرفت افزاره های قدرت مطرح می باشد. در میان تمام ساختارهای افزاره های قدرت، ترانزیستورهای اثر میدانی اکسید فلزی (ماسفت) ساخته شده با 4h-sic بواسطه داشتن ...

مدارهای مرجع ولتاژ از بلوک های اصلی در مدارهای آنالوگ و دیجیتال هستند که هدف از به کار گیری آنها تولید ولتاژ مرجع با وابستگی بسیار کم به تغییرات دما، پروسس و منبع تغذیه برای قسمتهای دیگر مدار مجتمع است. یک نمونه از این مدارات، مدارهای مرجع شکاف انرژی هستند که ولتاژ مرجع دقیق متناسب با اختلاف پتانسیل بین باند هدایت و ظرفیت نیمه هادی تولید می کنند زیرا این پارامتر دارای تغییرات بسیار جزیی با تغیی...

در این پایان نامه به بررسی و تحلیل عملکرد آشکارساز نوری با ساختار ترانزیستوری و ناحیه فعال از جنس نانونوار گرافین پرداخته شده است. در این راه ابتدا نانونوار گرافین معرفی و شیوه به دست آوردن هامیلتونین آن با رویکرد تنگ بست توضیح داده شده است. با استناد به نتایج حاصل از شبیه سازی ها در رویکرد تنگ بست نیاز به در نظر گرفتن سه همسایگی اول و آثار لبه ای مشهود است. سپس با استفاده از قانون طلایی فرمی ض...

در این پایان نامه، یک تقویت کننده توان کلاس ab با توجه به الزامات نسل چهارم مخابرات بی سیم در فرکانس مرکزی ghz4/2 طراحی شده است. تقویت کننده از دو طبقه دیفرانسیلیِ آبشاری تشکیل شده است. مهمترین هدف ما در این تحقیق، طراحی یک تقویت کننده توان است که اثر غیرخطی عناصر آن، با روش های مداری، بدون نیاز به روش های خطی سازی متداول مانند پیش اعوجاج دیجیتالی و "حذف و بازیابی پوش "، حذف شوند. در این تحقیق ...

با پیشرفت تکنولوژی الکترونیک و کاهش ابعاد تا زیر میکرومتر و نانومتر مشکلاتی برای افزاره ها و مدارهای مجتمع پیش می آید که باید هم زمان با پیشرفت تکنولوژی سعی در بهبود این مشکلات نیز داشته باشیم. یک گام بزرگ در جهت پیشرفت علم الکترونیک استفاده از ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق در ساخت مدارهای مجتمع است. اما با کوچک سازی مدارهای مجتمع تا مقیاس نانومتر مشکلات مهمی برای این ترانزیستورها به وجود می آ...

یکی از مهم ترین بخش های مدارات مجتمع نوری آشکارسازهای نوری هستند؛ ساختاری که نور را به سیگنال الکتریکی تبدیل می کند. اخیراً گرافن به عنوان ماده ای دو بعدی با خواص نوری و الکترونیکی مناسب برای استفاده در آشکارسازها، مورد توجه محققان قرار گرفته است که طیف فرکانسی تراهرتز تا مادون قرمز را پوشش می دهد و کاربردهای فراوانی در ارتباطات، علوم پزشکی به منظور اسکن اندام بدون ضرر، امنیت و ... دارد. مشخصات ...

در سال های اخیر، تقاضا برای سیستم های اندازه گیری جابجایی غیر تماسی با عدم قطعیت زیر نانومتر به طور قابل توجهی افزایش یافته است. در حیطه صنعت تکنولوژی، دو پارامتر میزان دقت و قابلیت اطمینان ابزار و ماشین آلات از اهمیت بسزائی برخوردار می باشند. این پارامترها در طول مدت عملکرد دستگاه، در اثر تغییرات دمایی و رطوبتی به طور محسوسی افت می کنند که باعث بروز خطاهایی در عملکرد نرمال سیستم می شوند که حتی...

در این پایان نامه، در ادامه روند حرکت ادوات نوری به سمت مقیاس نانو، یک ساختار اهمی کانال کوتاه را پیشنهاد کردیم. سپس با کمک فرمول بندی تابع گرین غیر تعادلی، مدلی ارائه کردیم تا بتواند عملکرد نور گسیلی این ساختار را با در نظر گرفتن آثار کوانتومی پیش بینی نماید. مدل ارائه شده علاوه بر در نظر گرفتن آثار کوانتومی قادر است رخدادهای فیزیکی موجود در فرآیند نورگسیلی را به خوبی پیش بینی و بسیاری از ابها...

در سالهای اخیر استفاده از مداراتrf که بخش جدایی ناپذیر ارتباطات بیسیم می باشد، اهمیت زیادی پیدا کرده است در این میان نیازمند توازن در مشخصاتی نظیر بهره، توان، نویز و حتی تطبیق امپدانس خواهیم بود. همین امر موجبات طراحی و استفاده از روش های ترکیب سیگنال ها و مدارات برای دست یابی به این اهداف را پس از چندین دهه تجربه در ساخت تراشه های نیمه هادی فراهم آورده است. در این اثر تمرکز بر کاربرد روشهای طر...