در این پایان نامه خواص ترابردی و رسانشی نانونوارهای گرافن چین خورده را با استفاده از روش تنگ بست مطالعه می کنیم. با ظهور چین خوردگی در نانونوارهای گرافن زیگزاگ شکل شکاف های کوچک با رسانندگی صفر و تراز های کوچک با قدرت رسانندگی در اطراف اولین تکینگی ون- هاو مشاهده میشود.همچنین دراین نانونوار در چگالی حالت ها از رسانا به نارسانا میرسیم که هرچه شدت چین خوردگی زیاد باشد عرض گاف بیشتر میشود.درمبحث ج...

چکیده: از زمان کشف گرافن در سال 2004، گرافن توجه دانشمندان بسیاری را به خود جلب کرده است. این بلورها ی دوبعدی، یک طبقه ی جدید کاملی از مواد با خواص الکترونیکی، مکانیکی و نوری فراهم کرده اند. گرافن یکی از آلوتروپ های دوبعدی کربن می باشد، که ساختار آن شامل ورقه های مسطح با ضخامت یک اتم می باشد که از اتم های کربن (که با یکدیگر پیوند sp2 دارند)تشکیل شده و به طور فشرده در یک شبکه ی کریستال لانه ز...

در سال های اخیر بررسی اثر اسپین مربوط به جفت شدگی اسپین- مدار در ساختارهای کوانتومی نیم رسانا به ویژه نقاط کوانتومی توجه بسیاری از محققان را به خود جلب نموده است. در این ساختارها محدودیت فضایی، سبب کوانتیدگی ترازهای انرژی الکترون ها در نوار رسانش شده، خصوصیات فیزیکی این سیستم های نیم رسانا را دگرگون می سازد. یکی از مهمترین مشخصه های نقطه های کوانتومی امکان گذار بین زیرنوارها در نوار رسانش یا ظر...

از سال 1977 رویای ترکیب ویژگی‎های مکانیکی پلیمر‎ها با ویژگی‎های الکتریکی و نوری فلزات، علم و فناوری پلیمر‎های رسانا را توسعه داده است. درحالی که این مواد در حالت طبیعی‎ نارسانا یا نیم رسانا هستند، اگر آلاییده شوند می‎توانند دارای رسانایی درحد فلزات باشند. یک سیستم مزدوجی سیستمی است که دارای پیوندهای یگانه و دوگانه‎ی متناوب باشد. برای این مواد گاف انرژی در محدوده‎ی 5/1 تا 3 الکترون ولت است. اولی...

حضور ناخالصی های مغناطیسی در فلزات موجب تغییر خواص الکتریکی آن ها می گردد. ما با استفاده از یک مدل ساده به بررسی اثرات پراکندگی ناشی از حضور ناخالصی های مغناطیسی بر رسانش نانولوله های تک دیواره کربنی می پردازیم. این مدل ساده عبارت است از استوانه ای فلزی که تعداد کمی ناخالصی مغناطیسی بر روی سطح آن قرار گرفته اند. بخش غیر خطی رسانش (اثر کاندو) را که حاصل برهم کنش الکترون های رسانش با ناخالصی هاست...

برهمکنش های فوق ریز در مکان اورانیوم از ترکیب آنتی فرومغناطیس usb2 با استفاده از نظریه تابعی چگالی و روش امواج تخت بهبود یافته به علاوه اوربیتالهای موضعی (apw+lo) بررسی شده اند. میزان جایگزینی الکترونهای ƒ در این ترکیب مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان می دهند که الکترونهای 5ƒ تمایل دارند به خوبی با الکترونهای رسانش هیبرید شوند.

ما برای یا نانو نوار گرافین به ابعاد 20*5 نانومتر مقدار ضریب رسانش را برابر w/mk 261/1بدست آوردیم. مشاهده کردیم با افزایش دما ضریب رسانش گرمایی نخست افزایش می یابد و سپس شروع به کاهش می کند.با افزایش درازا نیز ضریب رسانش به شکل توانی افزایش مییابد. در بخش مکانیکی مدول یانگ را برای یک نانو نوار گرافین به همین ابعاد 1.09tpa بدست آوردیم. دیدیم با افزایش دما مدول یانگ زیاد شده ولی در دماهای بیشتر ا...

چکیده ندارد.

به تازگی گروهی از محققان لابراتوار ملی منابع نوری پیشرفته دانشگاه کالیفرنیا در ساندیگو که نتایج تحقیقات خود را در مجله "نیچر فیزیک" منتشر کرده اند موفق شدند ویژگیهای غیر منتظره ای گرافیت را از دیدگاه هدایت جریان برق و جذب پرتوها کشف کنند. این محققان در این خصوص توضیح دادند: "گرافیت از سالها قبل به عنوان یک ماده نیمه رسانا شناخته می شد اما گرافین هیچ شباهتی به نیمه رساناهای فعلی ندارد. بعضی از ...