نتایج جستجو برای: تنش ولتاژ پایین

تعداد نتایج: 67162  

در این مقاله یک مبدلdc-dc  دو طرفه سه پورته غیر ایزوله با قابلیت کلیدزنی نرم و ریپل جریان ورودی صفر پیشنهاد می‌شود. از مزایای مبدل پیشنهادی نسبت به مبدل‌های چند پورته مرسوم می‌توان به قابلیت کلیدزنی ZVS برای کلیدهای اصلی، قابلیت کلیدزنی ZCS برای کلیدهای کمکی، جریان گردشی کم و در نتیجه تلفات هدایت کم به دلیل عمل‌کرد اسنابر اکتیو بدون تلفات و ریپل جریان ورودی صفر به دلیل استفاده از مدار کمکی شامل...

مقره‌های پلیمری خطوط هوایی در مدت بهره‌برداری تحت تنش‌های الکتریکی، محیطی و مکانیکی بوده به‌طوری‌که این عوامل، مقره را دچار پیری نموده و باعث افزایش جریان نشتی و کاهش ولتاژ قوس الکتریکی می‌شوند. ترکیب آلودگی و رطوبت هوا مسیری با امپدانس پایین روی سطح مقره ایجاد نموده و درنتیجه جریان نشتی بیش‌تر و ولتاژ قوس الکتریکی کاهش می‌یابد و این موضوع باعث وقوع خطا در مقره شده به‌طوری‌که این امر در مقره‌ها...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - موسسه آموزش عالی غیرانتفاعی و غیردولتی سجاد مشهد - دانشکده برق 1390

در چندین دهه اخیر، تکثیر جهانی کامپیوترها، سیستم های الکترونیکی و تجهیزات قابل انتقال، باعث شده که طراحان و محققان تمرکز بیشتری بر طراحی سیستم های ولتاژ و توان پایین داشته باشند. یک ota ولتاژ و توان بسیار پایین در این پروژه پیشنهاد شده است. برای طراحی مدارات ولتاژ پایین، آینه جریان ها و طبقات ورودی و خروجی بررسی می شوند. روش های زیادی برای طراحی otaهای ولتاژ و توان پایین وجود دارد. یکی از این...

در این تحقیق، ظرفیت اولیه و تغییرات ظرفیت باتری‌های Ah32/V12 به ازای شش غلظت مختلف الکترولیت، در محدوده 33/1-15/1 گرم بر سانتی‌متر مکعب بررسی می‌شود. باتری‌ها با دو جریان تخلیة الکتریکی 2/3 و 8 آمپر در چرخه قرار می‌گیرند. ضریب مصرف مواد فعال مثبت 50 درصد ، مواد فعال منفی 37 درصد است و براساس غلظت سولفوریک اسید موجود در الکترولیت ضریب مصرف اسیدسولفوریک بین 38 و 88 درصد تغییر می‌کند. اگر غلظت اسی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - دانشکده برق و کامپیوتر 1393

امروزه با پیشرفت چشمگیر تکنولوژی، کوچک¬سازی افزاره¬ها به عنوان یکی از نیاز¬های اساسی برای مدارات آنالوگ و دیجیتال مطرح است. اما با کوچک¬سازی افزاره¬ها، مشکلات بحرانی در عملکرد الکتریکی و حرارتی افزاره¬ها بروز می¬نماید که برای حل آن نیاز به ارائه راهکارها و ساختارهای نوین است. این رساله روش¬های موثری برای بهبود اثرات کانال کوتاه، بهبود اثرات بدنه شناور و بهبود اثر خودگرما ارائه می¬کند. برای کاهش...

ژورنال: :مجله فنی مهندسی فناوری های نوین در سیستم های انرژی 0
محمدرضا صفاریان گروه مهندسی مکانیک دانشگاه شهیدچمران امیرمسعود مدثر دانشگاه شهید چمران

مدل سازی و شبیه سازی پیل سوختی متانولی با استفاده از نرم افزارهای متلب و کامسول در این پژوهش انجام شده است. در ابتدا مدلسازی انجام شده با نرم افزار متلب با داده­های آزمایشگاهی راستی آزمایی شده و سپس از این مدل برای بررسی پارامترهای مورد مطالعه بر کارکرد پیل استفاده شده است. تاثیر غلظت روی نمودار پولاریزاسیون، تاثیر چگالی جریان تبادل و ضریب انتقال روی اتلاف ولتاژ، تاثیر استفاده از کاتالیست­های ک...

ژورنال: :مجله فیزیک کاربردی 2015
ترانه وظیفه شناس هادی رحمانی نژاد محمد براتی

گرافین، به دلیل تحّرک ِالکترونی بالا و انعطاف‏پذیری، برای ساختِ قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهایی با عملکرد ِبالا در چند سال ِاخیر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله ما اثر دما را بر چگالی جریان یک ترانزیستور اثرمیدانی نانو نوارگرافینی (gnrfet) بررسی می­کنیم که در آن کانال متشکل از آرایه­ای از نانو‏نوارهای گرافینی دسته صندلی می­باشددر این جا جریانالکتریکی را با استفاده از پتانسیل الکتروس...

حمیدرضا مومنی سعیده لطفی محمدآباد سید سینا سبت احمدی

این مقاله تحلیلی پیچیده از استراتژی سوئیچینگ جدید را برای یک مبدل گشتاور مستقیم مبتنی بر مبدل ماتریس DTC موتور درایو القایی IM مورد بررسی قرار می دهد. Paradigm switching پیشنهاد شده با استفاده از دوازده بخش 30 درجه برای هر دو جریان بردارهای ولتاژ. بیان تحلیلی از نرخ تغییر گشتاور و شار برای IM به عنوان یک عامل از بردارهای ولتاژ MC، مشتق شده است. تاثیر بردارهای ولتاژ MC بر روی جریان استاتور و تنش...

در این مقاله کمانش عرضی یک نانوتیر پیزوالکتریک واقع در محیط الاستیک با استفاده از تئوری تیر ردی مورد بررسی قرار گرفته است. نانوتیر در راستای ضخامت قطبی شده و تحت یک ولتاژ خارجی و اختلاف دما قرار دارد. برای مدل کردن بستر الاستیک از مدل پاسترناک و برای بررسی اثرات مقیاس کوچک از تئوری الاستیسیته گرادیان کرنشی استفاده شده است. ابتدا به بررسی روابط کرنش-تغییر مکان پرداخته شده، سپس با استفاده از روش ...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد شاهرود - دانشکده مهندسی برق 1393

در این تحقیق ، به مطالعه بر روی مراجع ولتاژ پرداختیم با استفاده از جریان زیر آستانه ماسفت ها و روش مفهوم اصل ولتاژ باندگپ معکوس (البته با در نظر گرفتن بتا ترانزیستور اتصال دوقطبی) ، مداری طراحی کردیم که قادر به جبران دمایی مرتبه دوم بود. هدف پیشنهادی این پایان نامه ، توسعه مرجع ولتاژ باندگپ با ترجیحا عملکرد ولتاژ پایین و همچنین تضمین پایداری در ولتاژ مرجع بود. با استفاده از نرم افزار hspice و ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید